本科生科技創(chuàng)新項目撰寫論文規(guī)范-※※本科教學(xué)網(wǎng)-北-預(yù)覽頁
【正文】 兩套可以精確控制的氣相沉積設(shè)備（如右圖所示）以及一臺恒溫磁力攪拌器）和實驗基礎(chǔ)（本校材料學(xué)院實驗測試中心有不同型號的先進(jìn)的SEM、TEM、XRD等測試和表征設(shè)備），故上述實驗方案定能夠順利完成。C）未能參與反應(yīng)。6H2O），配置成混合水溶液,再往溶液中加入一定量的九水合硝酸鋁（Al(NO3)3取出硅片后用去離子水沖洗后放在空氣中，自然干燥。C)保溫時間（min）氣流量（ml/min）備注AZn粉+ P2O5粉（分開放）5206030~40溫度達(dá)到后放入源BZn粉+ P2O5粉（分開放）5003030~40溫度達(dá)到后放入源實驗結(jié)果：在P2O5取量較少的情況下，Si片上能夠獲得少量的沉積物，通過分析，發(fā)現(xiàn)已經(jīng)成功摻入P元素，不過摻雜量相差很大，SEM觀察形貌以顆粒為主。水平管式爐中放有石英管,加熱前,先向石英管中預(yù)通入5minAr氣,流量為300ml/min。4 研究成果在實驗前期準(zhǔn)備與制備籽晶環(huán)節(jié)，已能夠可控制備出不同微觀形貌、不同生長取向的ZnO納米材料。P的摻雜采用CVD法制備出了P摻雜ZnO納米梳，通過SEM發(fā)現(xiàn)部分梳子為雙層結(jié)構(gòu)。通常由簡單化學(xué)氣相沉積法制備的ZnO摻雜樣品都有雜摻不均的缺點，作者認(rèn)為導(dǎo)致同一樣品不同部位的光致發(fā)光曲線存在差異的原因是P的摻雜不均。參考文獻(xiàn)[1] Ryu Y. R, Kim W. J, White H. W. Fabrication of homostructural ZnO pn junctions[J].Journal of Crystal Growth, 2000, 219: 419422.[2] 徐迪,段學(xué)臣,李中蘭,[J].功能材料,2008,39(4):695697.[3] C. X. Shan, Z. Liu, S. K. dependent photoluminescence study on phosphorus doped ZnO nanowires[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2008, 92, 073103.6 /
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