[工學(xué)]6章-頻率響應(yīng)-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 在使用一個(gè)放大電路時(shí)應(yīng)了解其信號(hào)頻率的適用范圍，在設(shè)計(jì)放大電路時(shí)，應(yīng)滿(mǎn)足信號(hào)頻率的范圍要求。 晶體管的高頻等效模型 167。 頻率響應(yīng)概述 167。 由于放大電路中耦合電容、旁路電容、半導(dǎo)體器件極間電容的存在，使放大倍數(shù)為頻率的函數(shù)。 U i.U o.I.。 U o.1. 高通電路 :信號(hào)頻率越高，輸出電壓越接近輸入電壓。 U i R U o C ( b ) 高頻段極間電容的影響 ＋ － ＋ － ? 在高頻段，隨著信號(hào)頻率逐漸升高，晶體管極間電容和分布電容、寄生電容等雜散電容的容抗減小，使動(dòng)態(tài)信號(hào)損失，放大能力下降。 近似分析中，可以用折線化的近似波特圖表示放大電路的頻率特性。是假想的基區(qū)內(nèi)的一個(gè)點(diǎn)。Lmμeb39。μ39。39。μb b 39。mb0 UIrgrIgUgI?????? ??? 低頻時(shí)，忽略電容，混合 ?模型與 H參數(shù)模型等效。0μπeb39。 lg f dB32lg20 ?注意折線化曲線的誤差 － 20dB/十倍頻 折線化近似畫(huà)法 晶體管的頻率參數(shù) 1 0TT?? ??ffff??? 時(shí)的頻率為使 ?)CC(rfffμπeb39。 保留電路中的電容； 其他部分畫(huà)成交流通路。 這樣求得三個(gè)頻段的頻率響應(yīng) , 然后再進(jìn)行綜合 。sisosmUUUUUUUUAu?????????????)]([ Lcmbeeb39。πC2. 低頻電壓放大倍數(shù) :定性分析 0 U.ooU.oI.o。 2. 低頻電壓放大倍數(shù)： 定量分析 j1LcLs m oooosoososlRCRRAUUUUUUAuu????????????????CRRARRRRRCRRAA uuu)(j11j1LcsmLcLcLcLs m osl???????????????)( cmbeeb39。滯后，時(shí)，當(dāng)，滯后)90(0 39。s39。sis39。 39。eb39。π39。ssosh39。eb39。eb39。LmH39。 )]([ π2139。Lmπ39。Lm 1 CRgRg 、??μsbb39。 6dB 3dB fL fH ≈ 121 lg40lg20lg20lg20 uuuu AAAA ???? ???fL fL1， fH fH1，頻帶變窄！ 考慮多級(jí)放大的情況： ),2,1( bwbwHHLLnkffffffkkk????????????????nk knkk 12HH12LL1111 11 對(duì)于 n級(jí)放大電路，若各級(jí)的下、上限頻率分別為 fL1～ fLn、 fH1～ fHn，整個(gè)電路的下、上限頻率分別為 fL、 fH，則 ?????????????nkknkuku AA11 lg20lg20????由于 求解使增益下降 3dB的頻率，經(jīng)修正，可得 本章結(jié)束
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