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正文內(nèi)容

電力電子技術(shù)實驗報告-預(yù)覽頁

2025-02-11 23:37 上一頁面

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【正文】 據(jù)。(2)功率場效應(yīng)管(MOSFET)特性實驗。二、實驗所需掛件及附件序號型  號備   注1DJK01 電源控制屏該控制屏包含“三相電源輸出”等幾個模塊。(2)掌握各器件對觸發(fā)信號的要求。實驗線路的具體接線如下圖所示:圖1 新器件特性實驗原理圖四、實驗內(nèi)容(1)晶閘管(SCR)特性實驗。Ug(V)Id((A)Uv(V) (2)按下控制屏的“停止”按鈕,換成功率場效應(yīng)管(MOSFET),重復(fù)上述步驟,并記錄數(shù)據(jù)。 (3)了解三相交流調(diào)壓電路帶不同負載時的工作特性。5D42 三相可調(diào)電阻6雙蹤示波器自備7萬用表自備三、實驗線路及原理交流調(diào)壓器應(yīng)采用寬脈沖或雙窄脈沖進行觸發(fā)。圖2三相交流調(diào)壓實驗線路圖四、實驗內(nèi)容(1)三相交流調(diào)壓器觸發(fā)電路的調(diào)試。②將DJK01“電源控制屏”上“調(diào)速電源選擇開關(guān)”撥至“直流調(diào)速”側(cè)。⑥適當增加給定Ug的正電壓輸出,觀測DJK021上“脈沖觀察孔”的波形,此時應(yīng)觀測到單窄脈沖和雙窄脈沖。接上三相平衡電阻負載,接通電源,用示波器觀察并記錄α=30176。、150176。90176。U(V)六、實驗波形α=30176。負載波形 α=90176。Uvt波形 α=120176。2DJK02 晶閘管主電路 3DJK021三相晶閘管觸發(fā)電路該掛件包含“觸發(fā)電路”,“正反橋功放”等幾個模塊。主電路由三相全控整流電路及作為逆變直流電源的三相不控整流電路組成,觸發(fā)電路為DJKO21中的集成觸發(fā)電路,由KCOKC4l、KC42等集成芯片組成,可輸出經(jīng)高頻調(diào)制后的雙窄脈沖鏈。圖5 三相橋式有源逆變電路實驗原理圖四、實驗內(nèi)容(1)三相橋式全控整流電路。②將DJK01“電源控制屏”上“調(diào)速電源選擇開關(guān)”撥至“直流調(diào)速”側(cè)。(注意此處的α表示三相晶閘管電路中的移相角,它的0176。⑥適當增加給定Ug的正電壓輸出,觀測DJK021上“脈沖觀察孔”的波形,此時應(yīng)觀測到單窄脈沖和雙窄脈沖?!?50176。及90176。范圍內(nèi)調(diào)節(jié),同時,根據(jù)需要不斷調(diào)整負載電阻R,()。時的電壓Ud和晶閘管兩端電壓UVT的波形,并記錄相應(yīng)的Ud數(shù)值于下表中。Ud波形 α=60176。UVT的波形α=60176。(3)了解PWM控制與驅(qū)動電路的原理及其常用的集成芯片。D為續(xù)流二極管。由此可知,輸出到負載的電壓平均值UO最大為Ui,若減小占空比α,則UO隨之減小,由于輸出電壓低于輸入電壓,故稱該電路為降壓斬波電路。設(shè)V處于通態(tài)的時間為ton,此階段電感L1上積蓄的能量為UiI1ton。(a) 電路圖(b)波形圖圖42 升壓斬波電路的原理圖及波形控制與驅(qū)動電路控制電路以SG3525為核心構(gòu)成,SG3525為美國Silicon General公司生產(chǎn)的專用PWM控制集成電路,其內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)及各引腳功能如圖47所示,它采用恒頻脈寬調(diào)制控制方案,內(nèi)部包含有精密基準源、鋸齒波振蕩器、誤差放大器、比較器、分頻器和保護電路等。圖47 SG3525芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與所需的外部組件四、實驗內(nèi)容(1)控制與驅(qū)動電路的測試(2)六種直流斬波器的測試五、實驗方法控制與驅(qū)動電路的測試(1)啟動實驗裝置電源,開啟DJK20控制電路電源開關(guān)。接通交流電源,觀測Ui波形,記錄其平均值(注:本裝置限定直流輸出最大值為50V,輸入交流電壓的大小由調(diào)壓器調(diào)節(jié)輸出)。(2)檢查接線正確,尤其是電解電容的極性是否接反后,接通主電路和控制電路
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