【正文】 寸 125mm(寬 )*145mm(高 )*245mm(深 ) 重量 350g 電源鋰電池，一次充電可連續(xù)使用 100 小時； 標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 溫度： 23177。 （ 3）產(chǎn)品特點 ? 測試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片等的少子壽命 及鍺單晶的少子壽命測量。 ? 貫穿深度大，達 500 微米，相比微波光電導(dǎo)的 30 微米的貫穿深度，真正體現(xiàn)了少 子的體壽命的測量，避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。 ? 少子壽命測試范圍 :1μ s6000μ s ? 可測低阻硅料下限： .cm, 可擴展到 .cm ? 激光波長： m ? 激光在單晶硅中的貫穿深度： 500μ m ? 工作頻率： 30MHz ? 低輸出阻抗，輸出功率＞ 1W ? 電源：～ 220V 50Hz 功耗＜ 50W 探針輪廓儀 設(shè)備名稱： 探針輪廓儀設(shè)備編號： HIKSCT6 （ 1）系統(tǒng)簡介 Dektak 150集四十余年的技術(shù)積累和創(chuàng)新于一身，為滿足用戶不同應(yīng)用方向的需要 提供了多種可選配置。通過選配三維成像附件套裝還可以極 大地擴充儀器的功能。 （ 2）應(yīng)用范圍 適用材料 : CVP21 應(yīng)用范圍寬， 可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。全數(shù)字化電子學(xué)控制箱，采用最新的 DSP 浮點芯片，運算速度高達 ，采用 18位 ADC 芯片，采樣速度高達 500K，有一個 16位高速 ADC， 采樣速度高達 5MHz。 基座 科研型 AFM 專用底座，支撐 AFM 探頭；包括，手動 /自動進針系統(tǒng)，數(shù)據(jù)采 集系統(tǒng)，與探頭和控制箱的接口等。該指標(biāo)國內(nèi)領(lǐng)先，接近國際水平。 包括：頂視圖、三維視圖、剖面分析、階梯分析、 bearing 分析、功 率譜分析、 顆粒分析、粗糙度分析等。體積小，使 用方便，抗震效果好。 激光橢偏儀 設(shè)備名稱： 激光橢偏儀設(shè)備 編號： HIKSCT9 （ 1）系統(tǒng)簡介 多角度激光橢偏儀使用 波長 HeNe 激光器，對測量薄膜厚度，折射率和吸 收系數(shù)有非常出色的精度。是西門子 法、硅烷法等工藝生產(chǎn)原生多晶硅料的企業(yè)、物理提純生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)、半導(dǎo)體 材料廠、器件廠、科研部門、高等院校以及需要超大量程測試電阻率測試的企業(yè)的最佳 幫手。 10% 50/60 Hz 功率： 12W 硅芯電阻率測試儀 設(shè)備名稱： 硅芯電阻率測試儀設(shè)備編號： HIKSCT11 （ 1）系統(tǒng)簡介 硅芯電阻率測試儀，是一款高端測量圓柱晶體硅電阻率測試儀 器，可測量硅芯，檢 磷棒，檢硼棒，籽晶等，由于儀器大大消除了珀爾帖效應(yīng)、塞貝克效應(yīng)、少子注入效應(yīng) 等負效應(yīng)的影響，因此測試精度大大提高，量程實現(xiàn)了電阻率從 104 歐姆 . 厘米到 10+4 歐姆 .厘米（可擴展）的測試范圍。 105 — 5 179。 （ 2）產(chǎn)品特點 ? 適用于西門子法、硅烷法等工藝生產(chǎn)原生多晶硅料的企業(yè) ? 適用于物理提純生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè) ? 適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導(dǎo)體器件企業(yè) ? 適用于科研部門、高等院校及需要超大量程測量電阻率的企業(yè) ? 測量范圍廣，硅型號電阻率測量范圍為 ～ 19999Ω ?cm ? 可判別鍺型號，電阻率范圍為 104～ 103Ω ?cm ? 雙數(shù)字表結(jié)構(gòu)使測量更精確，操作更簡便 ? 可判別從高阻單晶到重摻單晶幾乎所有非本征半導(dǎo)體 材料型號 ? 儀表指針和液晶數(shù)字兩種顯示有機結(jié)合，保證型號檢測萬無一失 ? 具有靈敏度表設(shè)置，保證高阻硅材料型號的準(zhǔn)確測量 ? 綜合了熱電法和整流法兩種測試型號的方法，是半導(dǎo)體材料型號測量的萬用表 ? 冷熱筆和三探針經(jīng)久耐用，極大降低測試成本 ? 具有穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點 ? 采用進口元器件，留有更大的安全系數(shù)，大大提高了測試儀的可靠性和使用壽命 ? 具有抗強磁場和抗高頻設(shè)備的性能 （ 3）技術(shù)參數(shù) ? 可判別硅型號電阻率范圍： 104 ～ 104 Ω178。包括 Fe、 Cr、 Ni、 Cu、 Zn、 Ca、 Mg、 Al 等金屬元素。 ? 在啟動 PC 時，自動運行系統(tǒng)檢查來確定應(yīng)將的運行狀態(tài)。 10%)， 50/60HZ， 300VA ? 主機尺寸： 780 寬179。 165179。 3Hz ? 功率消耗：≤ 5W ? 尺寸（ LxWxH）： 280x200x60mm 1硅片測試儀 15 半自動無接觸硅片測試儀 設(shè)備名稱： 半自動無接觸硅片測 試儀 設(shè)備編號： HIKSCT16 （ 1）系統(tǒng)簡介 半自動無接觸硅片測試儀可以測量硅片厚度、總厚度變化 TTV、彎曲度、翹曲度、 單點和總體平整度，該儀器適用于 Si， GaAs， InP， Ge 等幾乎所有的材料，強大的軟 件功能能夠在幾秒內(nèi)測試硅片的厚度、總厚度變化 TTV、彎曲度、翹曲度、單點和總 體平整度，所有的設(shè)計都符合 ASTM(美國材料實驗協(xié)會 )和 Semi 標(biāo)準(zhǔn)，確保與其他工 藝儀器的兼容與統(tǒng)一。 （ 2）應(yīng)用范圍 切片 線鋸設(shè)置 厚度 總厚度變化 TTV 監(jiān)測 導(dǎo)線槽 刀片更換 磨片 /刻蝕和拋光 過程監(jiān)控 厚度 總厚度變化 TTV 材料去除率 彎曲度 翹曲度 平整度 研磨 材料去除率 最終檢測 抽檢或全檢 終檢厚度 （ 3）技術(shù)參數(shù) ? 晶圓硅片測試尺寸： 50 mm 300mm. ? 厚度測試范圍： 1000 u m ， 可擴展到 1700 um. ? 厚度測試精度： +/ ? 厚度重復(fù)性精度： ? TTV 測試精度 : +/ ? TTV 重復(fù)性精度 : ? 彎曲度測試范圍： +/500um [+/850um] ? 彎曲度 測試精度： +/ ? 彎曲度重復(fù)性精度： ? 晶圓硅片導(dǎo)電型號： P 或 N 型 ? 材料： Si ， GaAs ， InP ， Ge 等幾乎所有半導(dǎo)體材料 ? 可用在： 切片后、磨片前、后， 蝕刻，拋光以及出廠、入廠質(zhì)量檢測等 ? 平面 / 缺口：所有的半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)平面或缺口 ? 硅片安裝：裸片，藍寶石 / 石英基底， 黏膠帶 ? 連續(xù) 5 點測量 （ 4）產(chǎn)品特點 ? 無接觸測量 ? 適用的晶圓材料包括 Si， GaAs， InP， Ge 等幾乎所有的材料 ? 厚度和 TTV 測量采用無接觸電容法探頭 ? 高分辨率液晶屏顯示厚度和 TTV 值 ? 性價比高 ? 菜單式快速方便設(shè)置 ? 高分辨率液晶 LCD 顯示 ? 提供和計算機連接的輸出端口 ? 提供打印機端口 ? 便攜且易于安裝 ? 為晶圓硅片關(guān)鍵生產(chǎn)工藝提供精確的無接觸測量 ? 高質(zhì)量微處理器為精確和重復(fù)精度高的測量提供強力保障 ? 高質(zhì)量聚四氟乙烯晶圓測試架，為晶圓硅片精確定位提供保障 1硅片缺陷測試儀 設(shè)備名稱： 硅片缺陷測試儀設(shè)備編號： HIKSCT18 （ 1）系統(tǒng)簡介 硅片缺陷觀測儀，于對 硅片的缺陷進行觀察，效果非常明顯，包括肉眼無法觀測的 位錯、層錯、劃痕、崩邊等。配合投影儀和 計算機等顯示、存儲設(shè)備，能更好的觀測和保存研 究結(jié)果； ? 使用 1/2CMOS 感光芯片，具有體積小，技術(shù)先進，像素較高， 成像清晰、線 條細膩、色彩豐富； ? 傳輸接口為 高速接口， 軟件模塊化設(shè)計； ? 有效分辨率為 200 萬像素； ? 所配軟件能兼容 windows 2020 和 windows XP 操作系統(tǒng)。成像系統(tǒng)的參數(shù) 設(shè)置包括光照亮度，對比度，伽馬射線和一體化的時間設(shè)置，獲取模式選擇和損壞像素 管理。斷線的修復(fù)是一個費時費力的工作，同時不是所有的斷線都 能夠成功。 ? 探傷測試面最好進行拋光處理，因此我們推薦在線切割之前進行紅外探傷 ? 紅外成像光源受電阻率影響，硅塊電阻率越低，則對紅外光的吸收越多 ? 一般電阻率不能低于 *Cm,我們推薦的電阻率在 *Cm 以上 （ 4）技術(shù)參數(shù) ■ 主要探測指標(biāo)：夾雜（通常為 SiC），隱裂，微粒等 ■ 硅塊電阻率： ≥*Cm（推薦） ■ 檢測時間：平均每個硅塊 1 分鐘 ■ 最大探測深度： 200mm ■ 外框和箱體 尺寸： 143x53x55 外框采用數(shù)控工程 鋁合金 外框是覆蓋靜電強力漆鋁面板 主機重量： 98 kg 附件重量： 25 kg ■ 旋轉(zhuǎn)臺 采用單軸伺服電機 最大承載量 :40kg 具有過流保護以防止損傷和電機燒毀 無步進損失，高分辨率解碼機器 ■ 紅外光源 高強度 NIR 鹵燈， 273mm 加熱波長 功率： 230V, 1000W 溫度： 2560 攝氏度 光強可通過軟件控制 軟件具有過熱保護 ■ 觀測儀 采用紅外 CCD 控溫 12 位 ADC 頻率： 60Hz 和 100Hz 兩個選擇 像素間距 : 30μ m 分辨率： : 320x256 像素 可手動調(diào)節(jié)紅外鏡頭 1氧碳測試儀 設(shè)備名稱： 氧碳測試儀設(shè)備編號： HIKSCT20 （ 1）系統(tǒng)簡介 硅材料氧碳含量測試儀器，所測硅料硅棒硅片氧、碳含量自動、快速、準(zhǔn)確，可靠 性高，穩(wěn)定性好，一致性佳， ASTM 線性度對 % T 的偏離小于 % T，是全球 公認標(biāo)準(zhǔn)的氧碳含量測試儀器。對于氧碳含量測試儀，樣品倉及相關(guān)地方都應(yīng)安放干燥袋，以保證干燥度。 ? 基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件包含了最廣泛的 、友好的在線幫助系統(tǒng)，該系統(tǒng)不僅指導(dǎo)如何操作軟 件，還提供了從基本原理、光譜解析到最優(yōu)實驗設(shè)計等一系列專家?guī)椭δ堋? ? 制樣簡便、智能操作。完全拋棄了老式螺釘螺母，出廠前 激光定位的方法，克服了由螺絲彈簧控制鏡 面角度的不穩(wěn)定性。 ? 光學(xué)臺采用整體鑄模形式，加上高精度的“對針定位”固定光學(xué)元件，達到了超高 精度的重 復(fù)性，大大增加了儀器的穩(wěn)定性。 ? 最新 ETC EverGloTM 光源，紅外光源能量穩(wěn)定輸出，確保光源整個壽命中均可保 證性能一致，從而得到穩(wěn)定的高質(zhì)量紅外圖譜； ? 可通過“ Turbo”模式獲得超出常規(guī)能量 25%高能量輸出，用以滿足特殊測試要求。 ? 所有的檢測器均“即插即用” （ Plug and Play），易于更換與使用。 ? 高性能電子系統(tǒng)：最新的 24 位 A/D 轉(zhuǎn)換器， 500KHz 的 A/D 轉(zhuǎn)換速度，真正做到 實時采集光譜數(shù)據(jù)，保證數(shù)據(jù)的真實性與可靠性。 （ 2）系統(tǒng)組成 ? 系統(tǒng)包括兩個 150Ｗ氙燈，分別做為探測光源和偏置光源 (選配件 )。 ? 系統(tǒng)可工作于斬波模式與連續(xù)模式，斬波模式采用鎖相放大器來實現(xiàn)數(shù)據(jù)采集，連 續(xù)模式采用高精度直流放大器來實現(xiàn)數(shù)據(jù)采集。 ? 獨有的垂直光路設(shè)計 獨有的垂直光路設(shè)計，被測樣品平面放置 ,不僅確保樣品的穩(wěn)定擺放，以保證測試 的穩(wěn)定性，而且更適合染料敏化電池的測試。 ? 標(biāo)準(zhǔn)樣品臺 適用于樣品尺寸相對固定的太陽能電池片的量測。 （ 4）技術(shù)參數(shù) 項目指標(biāo)和說明 150W氙燈 光學(xué)穩(wěn)定度≦ %，可工作在斬波模式（適合常規(guī)單晶 /多晶 /非 晶硅、 CdTe CIGS GaAs 等太陽能電池）與連續(xù)模式（適合慢響應(yīng)染料敏化電 池，有機太陽能電池） 測試光斑尺寸 3mm~10mm 三光柵 DSP掃描單色儀 波長范圍 300nm～ 2020nm 波長準(zhǔn)確度 a)177。 156mm 數(shù)據(jù)采集裝置靈敏度 a)斬波模式： 2nV； b)連續(xù)模式： 100nA 測量重復(fù)精度 對太陽光譜曲線積分重復(fù)性在177。 770mm179。通過測量 IV 特性曲線，并進一步進行數(shù)據(jù)分析處理，可以 直接了解到光伏器件的各項物理性能，包括光電轉(zhuǎn)換的效率、填充因子等。 7SCSpec 系統(tǒng)可以測 試太陽能電池的光譜響應(yīng)（ Spectral Response）、量子效率 (Quantum Efficiency) 或 IPCE （ Monochromatic Incident PhotontoElectron Conversion Efficiency)，光譜反射率(Spectral Reflectivity)和電流密度 (Current Density)。太陽光模擬器具備光束準(zhǔn)直、光斑均勻、光譜與太陽光匹配的特點，使用 戶足不出戶即可完成需要太陽光照射條件的實驗， 太陽光模擬器適用于單晶硅、多晶 硅、非晶薄膜、染料敏化、有機、 IIIV 族半導(dǎo)體等各種不同類型的太陽能電池。 （ 2）產(chǎn)品特點 準(zhǔn)確測試光伏方陣和組件在野外條件下的太陽輻射強度，環(huán)境溫度，風(fēng)速，電池組 件的溫度，開路電壓、短路電流、最大功率、最大功率點電壓、最大功率點電流和填 充因子 （ 3）產(chǎn)品功能 測算光伏方陣和組件在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下 (STC)下的開路電壓、短路電流、最大功率、 最大功率點電壓、最大功率點電流、填充因子和轉(zhuǎn)換效率采用 ARM 技術(shù)進行設(shè)計，獨 創(chuàng)低功耗電子負載，只需蓄電池供電，可脫離 220V 電網(wǎng)和筆記本電腦使用，適合野外