【正文】 二極管同時(shí)導(dǎo)通，電感中存儲(chǔ)的能量傳遞給負(fù)載。在規(guī)定的磁心損耗下，提高工作頻率，必須相應(yīng)降低工作磁通密度值。 MOSFET的安全工作區(qū)很寬，由電流額定值、電壓和功率負(fù)荷能力所決定。 2022/2/10 19 開(kāi)關(guān)電源基礎(chǔ) MOSFET轉(zhuǎn)移特性及開(kāi)關(guān)特性 2022/2/10 20 開(kāi)關(guān)電源基礎(chǔ) MOSFET驅(qū)動(dòng)特性 2022/2/10 21 開(kāi)關(guān)電源基礎(chǔ) MOSFET溫度特性 2022/2/10 22 開(kāi)關(guān)電源基礎(chǔ) IGBT 全稱是隔離柵雙極晶體管，由 MOSFET和雙極晶體管組合而成。超快恢復(fù)二極管 SRD（ Superfast Recovery Diode），則是在快恢復(fù)二極管基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，其反向恢復(fù)時(shí)間 trr值已接近于肖特基二極管的指標(biāo)。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小，使其 trr可低至幾十納秒 。 1）通態(tài)損耗：是由于開(kāi)關(guān)元件存在的導(dǎo)通電阻或?qū)妷阂鸬模粋€(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)，通態(tài)損耗為： E1=IC2RDSton 或 E1=ICVCEton 其中 IC是開(kāi)關(guān)元件的電流， RDS是 MOSFET的通態(tài)電阻， VCE是 IGBT的通態(tài)壓降， ton是開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通時(shí)間。因此在實(shí)用中往往采用模塊化的構(gòu)造方法，采用一定規(guī)格系列的模塊式電源，按照一定的并聯(lián)方式，分別達(dá)到輸出電流、輸出功率擴(kuò)展的目的。 2022/2/10 29 開(kāi)關(guān)電源基礎(chǔ) 平均電流型自動(dòng)均流原理 采用一個(gè)窄帶電流放大器，輸出端通過(guò)阻值為 R的電阻連到均流母線上， n個(gè)單元采用 n個(gè)這種結(jié)構(gòu)。均流模塊數(shù)理論上可以不限。如果有一個(gè)模塊均流線短路，則系統(tǒng)無(wú)法均流。只有當(dāng) n個(gè)單元中輸出電流最大的一個(gè)電流放大器輸出才能使二極管導(dǎo)通，從而影響均流母線電壓，進(jìn)而達(dá)到該單元均流調(diào)節(jié)作用。 由于二極管總有正向壓降，因而主單元均流總有誤差，而從單元的均流效果是較好的。 MTBF與故障率之間有如下關(guān)系： ?1?M T B F2022/2/10 32 開(kāi)關(guān)電源的可靠性 修復(fù)率及 平均修復(fù)時(shí)間（ MTTR） 設(shè)備的修復(fù)率是單位時(shí)間內(nèi)完成修理的瞬時(shí)概率，對(duì)于指數(shù)分布的場(chǎng)合，修復(fù)率是一個(gè)常數(shù)，用 μ表示。對(duì)于單臺(tái)開(kāi)關(guān)電源，雖然可以通過(guò)改善電路設(shè)計(jì)、生產(chǎn)工藝及元器件選擇等措施在一定程度上提高其可靠性，但可靠性的提高是以成本、體積等方面作為代價(jià)，況且這種提高方式并不具有很大的挖掘潛力。 由于高頻開(kāi)關(guān)電源模塊可修復(fù)繼續(xù)使用，由這種模塊組成的并聯(lián)冗余系統(tǒng)，由非故障狀態(tài)到故障狀態(tài)或經(jīng)維修由故障狀態(tài)到非故障狀態(tài)的轉(zhuǎn)換是隨機(jī)的，在轉(zhuǎn)換過(guò)程中，起作用的只是現(xiàn)在所處的狀態(tài)，而這以前的狀態(tài)則對(duì)本次轉(zhuǎn)換沒(méi)有任何影響。 2022/2/10 35 開(kāi)關(guān)電源的可靠性 N+1冗余系統(tǒng)的可靠性分析 通常情況下，公共并聯(lián)部分的設(shè)計(jì)原則是少而精， λc極低。 2022/2/10 36 開(kāi)關(guān)電源的可靠性 N+2冗余系統(tǒng)的可靠性分析 C??? ?236C??? ?2324C??? ?2360C??? ?2312 0C??? ?2321 0C??? ?2333 6N 故障率（ λs） 1 2 3 4 5 6 2022/2/10 37 開(kāi)關(guān)電源的可靠性 N+2冗余系統(tǒng)的可靠性分析 N+2冗余系統(tǒng)可進(jìn)一步提高并聯(lián)系統(tǒng)的可靠性，在 N相等的情況下， N+2冗余系統(tǒng)的可靠性比 N+1冗余系統(tǒng)的可靠性提高大約 μ/λ量極。此外，隨著環(huán)境溫度的升高，功率半導(dǎo)體內(nèi)部的結(jié)溫會(huì)升高，從而導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗增加，而開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗的增加又將導(dǎo)致結(jié)溫的進(jìn)一步升高。 當(dāng)局部電網(wǎng)有大型變流裝置如高壓變頻器時(shí)，會(huì)造成局部低壓電網(wǎng)上產(chǎn)生高頻振蕩波，振蕩波的幅度會(huì)超過(guò)交流正弦電壓的峰值。由于目前多數(shù)元器件都是進(jìn)口器件，因此，除了選擇合適的品牌，還要由穩(wěn)定的進(jìn)貨渠道。 功率半導(dǎo)體器件需要進(jìn)行散熱處理，功率半導(dǎo)體器件與散熱器之間的固定也是影響開(kāi)關(guān)電源可靠性的因素之一。 C，修正系數(shù)為 3mV/176。 評(píng)價(jià)手段： 蓄電池放電設(shè)備 2022/2/10 45 直流電源的狀態(tài)評(píng)價(jià) 充電裝置的狀態(tài)評(píng)價(jià) 評(píng)價(jià)方法： 對(duì)充電裝置的穩(wěn)壓精度、紋波系數(shù)、穩(wěn)流精度、均流不平衡度進(jìn)行測(cè)試，并與歷史數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)，當(dāng)以上 4個(gè)參數(shù)發(fā)生明顯變化或達(dá)不到標(biāo)準(zhǔn)要求時(shí)，應(yīng)對(duì)充電裝置進(jìn)行檢修或更換。 2022/2/10 47 直流電源的狀態(tài)評(píng)價(jià) 充電裝置的狀態(tài)評(píng)價(jià) 紋波系數(shù)試驗(yàn) DL/T4592022訂貨技術(shù)條件規(guī)定： 充電裝置在穩(wěn)壓狀態(tài)下，交流輸入電壓在其額定值的 +15， 10%范圍內(nèi)變化，輸出電流在其額定值的 0%～ 100%范圍內(nèi)變化，輸出電壓在其充電電壓調(diào)節(jié)范圍內(nèi)的任一數(shù)值上保持穩(wěn)定，紋波系數(shù)小于 177。用帶寬 20MHz示波器，掃描速度低于，示波器探頭盡可能靠近被測(cè)裝置，讀取示波器顯示的最大峰 — 峰值。 1% δI=（ IMIZ） /IZ 100% 其中： IM輸出電流波動(dòng)極限值 IZ輸出電流整定值 對(duì)于運(yùn)行現(xiàn)場(chǎng)的測(cè)試，應(yīng)關(guān)注均充恒流充電時(shí)的穩(wěn)流精度。測(cè)量各模塊輸出電流，并計(jì)算其均流不平衡度。 5% %100??? 模塊的額定電流值 模塊輸出電流平均值模塊輸出電流極限值均流不平衡度直流電源綜合測(cè)試裝置簡(jiǎn)介 主要功能 穩(wěn)壓精度測(cè)試 穩(wěn)流精度測(cè)試 紋波系數(shù)測(cè)試 充電程序測(cè)試 核對(duì)性放電 手動(dòng)負(fù)載 直流電源綜合測(cè)試裝置簡(jiǎn)介 主要特點(diǎn) ◇全自動(dòng)測(cè)試，只需輸入充電裝置、蓄電池組或微機(jī)監(jiān)控充電程序的參數(shù)，系統(tǒng)可自動(dòng)完成各種測(cè)試內(nèi)容； ◇功能齊全，具有穩(wěn)壓精度、穩(wěn)流精度、紋波系數(shù)、蓄電池核對(duì)性放電、微機(jī)監(jiān)控充電程序的測(cè)試功能； ◇具有手動(dòng)測(cè)試功能，便于維護(hù)人員使用； ◇電流調(diào)節(jié)步長(zhǎng)小于 ，近似連續(xù)調(diào)節(jié)，對(duì)充電裝置沖擊小； ◇電壓范圍寬，可同時(shí)用于 110V和 220V電壓等級(jí)； ◇采用合金電阻器和獨(dú)特的控制技術(shù)，體積小，重量輕，安全可靠； ◇便攜式設(shè)計(jì)，每個(gè)裝置均配備專用儀表箱，攜帶方便； ◇紋波系數(shù)采用峰值測(cè)量技術(shù)，完全符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測(cè)試方法； 直流電源綜合測(cè)試裝置簡(jiǎn)介 直流電源綜合測(cè)試裝置簡(jiǎn)介 直流電源綜合測(cè)試裝置簡(jiǎn)介 2022/2/10 55 直流電源綜合測(cè)試裝置簡(jiǎn)介 2022/2/10 56 直流電源綜合測(cè)試裝置簡(jiǎn)介