小功率調(diào)頻發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)任務(wù)書-預(yù)覽頁
【正文】 信號進(jìn)行功率放大，使負(fù)載（天線）上獲得滿足要求的發(fā)射功率。 電路的工作原理是：利用調(diào)制信號控制變?nèi)荻?極管的結(jié)電容，改變振蕩器振蕩回路的總電容，從而使調(diào)頻振蕩器輸出信號的頻率隨調(diào)制信號的變化而變化，即實(shí)現(xiàn)調(diào)頻。波長 與頻率 的關(guān)系是 f/c?? 式中， c 為電磁波傳播速度， c=3*108m/s。 (3)總效率 發(fā)射機(jī)發(fā)射的總功率 PO 其所消耗的總功率 PT 比，稱為發(fā)射機(jī)的總效率，用 表示。如果調(diào)頻振蕩器的輸出比較穩(wěn)定，又具有一定的功率，則功率激勵(lì)級和末級功放的功率增益可適當(dāng)小些。其電路形式如圖 31所示。 (1)集電極基波電壓的振幅 Ucm= Icm1RP 式中， Icm1為集電極基波電流的振幅； RP為集電極負(fù)載阻抗。 ???bbi rZ 計(jì)算諧振回路及耦合回路的參數(shù) (1) 輸出變壓器線圈匝數(shù)比 N5/N3(解決最佳匹配負(fù)載問題 ) N5/N3=√ 71/110= 取 N5=4， N3=5。計(jì)算得 N=8，則 N4=5 或 eRLWNL??? 05 N=√ WoL/Rl*Oe*N5=16 e?取值 2~10，上述公式取 2。 (3)高頻扼流圈 ZL2=47uH。 表 32 3DG130 參數(shù)表 PCM ICM VCES hfe fT AP 700mW 300mA ≤ ≥ 30 ≥ 150MHz 13dB 計(jì)算電路參數(shù) (1)有效輸出功率 PH與輸出電阻 RH 寬帶功率放大器的輸出功率 PH應(yīng)等于下級丙類功放的輸入功率 Pi=25mW，其輸出負(fù)載 RH等于丙類功放的輸入的輸入阻抗 |Zi|=86Ω。21 ?? HHRRNN ? 取變壓器次極線圈匝數(shù) N2=2，則初級線圈匝數(shù) N1=6。 ?????? kmAVIVVccR BQ 為了調(diào)節(jié)電路的靜態(tài)工作點(diǎn)， R11可由標(biāo)稱值為 kΩ的電阻與 10 kΩ的電位器組成 。電容可取 ,電感可取 47uH 的色碼電感或環(huán)形磁芯繞制。 射極輸出器的特點(diǎn)是輸入阻抗高，輸出阻抗低，放大倍數(shù)接近于 1。射極加 RW2可改變輸入阻抗。晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)應(yīng)位于交流負(fù)載線的中點(diǎn)，一般取 UCEQ=，ICQ=(3~10)mA。 (4)輸入電阻 Ri 若忽略晶體管基區(qū)體電阻的影響，有 ???? kRRRRR Lwi ]||)[(||)||( 21098 ? （ RL=325Ω） (5)輸入電壓 Uim VPRiiim **3630*223??? ? (6)耦合電容 C C9 為了減小射極跟隨器對前一級電路的影響， C8的值不能過大，一般為數(shù)十 pF，這里取 C8=20pF， C9=。調(diào)頻振蕩器電路如圖 43 所示。 LC 振蕩器 主要技術(shù)指標(biāo)：工作中心頻率： f0=5MHz； 最大頻偏：kHzfm 10??； 頻率穩(wěn)定度：小時(shí)/10*5/ 400 ??ff (1)確定電路形式，設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn) 本題對頻率穩(wěn)定度off/要求不是很高，故選用圖 17 所示的改進(jìn)型電容三點(diǎn)式振蕩器與變?nèi)荻O管調(diào)頻電路。 小功率振蕩器的集電極靜態(tài)工作電流 ICQ 一般為 (1~4)mA。 mARRRR VVccI CEQcQ 2612 4343 ??????? 由 (13)可得 R3+R4=3kΩ ，為了提高電路的穩(wěn)定性， R4 的值可適當(dāng)增大，取R4=1kΩ ，則 R3=2kΩ 。 調(diào)頻電路設(shè)計(jì) 調(diào)頻電路由變?nèi)荻O管 Cj 和耦合電容 C5 組成， R6 和 R7 為變?nèi)荻O管提供靜態(tài)時(shí)的反向偏置電壓 VQ，VccRRRVQ 76 7??。變?nèi)荻O管的接入系數(shù)jCCCp ?? 55，式中， Cj 為變?nèi)荻O管的結(jié)電容，它與外加電壓的關(guān)系為 ?)1(0DjUuCCj ?? ( Cj0 為變?nèi)莨?0 偏時(shí)結(jié)電容 ,UD 為其 PN 結(jié)內(nèi)建電位差 ,γ 為變?nèi)葜笖?shù) ) ① 變?nèi)荻O管參數(shù)選擇 測變?nèi)荻O管的VCj?特性曲線，設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)Q。 為了減小晶體管極間電容對 振蕩器振蕩頻率的影響， C C3 的值要大。（ VQ=4V時(shí) Cj =75pF） 若取 C4=100pF， 電容 C C3由反饋系數(shù) F 及電路條件 C2C C3C4 決定，若取C2=510pF，由 F= C2/ C3= ~ 取 C3=2021pF。 低頻調(diào)制信號 Ui的耦合支路電容 C6及電感 L1應(yīng)對 Ui提供通路，一般的頻率為幾十赫至幾十千赫茲，故取，uHZL471?（固定電感）。 電路工作狀態(tài)或元件參數(shù)的確定 已在電路設(shè)計(jì)中列出 仿真及仿真結(jié)果分析 信號源的仿真圖： 仿真波形圖 在仿真時(shí) 分別調(diào)節(jié) L1 L2 L3 使輸出中心頻率達(dá) 。 設(shè)計(jì)電路的性能評測 (經(jīng)分析或測試是否達(dá)到了設(shè)計(jì)要求 ) 頻率合成器對饋電電源、地線分布等電磁兼容問題都有著較嚴(yán)格的要求。 采取以上措施能夠有效地濾除所有無用頻率和電源紋波，抑制各種干擾和噪聲，降高頻電子線路課程設(shè)計(jì) (報(bào)告 ) 15 低頻率合成器的相位噪聲和雜散。與此同時(shí)，載波頻率穩(wěn)定度控制在 200Hz 以內(nèi)，輸出信號頻率偏差不超過 1kHz，各項(xiàng)指標(biāo)滿足國家廣電總局的技術(shù)要求。 在實(shí)驗(yàn)過程中，通過選取元件、確定電路形式、以及計(jì)算等等，提高我們的動手能力，同時(shí)通過調(diào)試來發(fā)現(xiàn)自己的錯(cuò)誤并分析及排除這些故障，使我們對小功率放大器的知識得到了加深！在調(diào)試過程中應(yīng)該注意以下幾點(diǎn)： (1) 用電壓表測一下三個(gè)三極管的管腳電壓是否滿足該設(shè)計(jì)的要求。 T3管工作在丙類狀態(tài)，媽有較高的效率，賜教可以防止 T3 管產(chǎn)生高頻自激而引起的二次擊穿損壞。雖然這次課程設(shè)計(jì)中我對電路進(jìn)行了仿真，并且認(rèn)真的對電路的每一部分進(jìn)行了修正，但最后出來的波形還是不很穩(wěn)定。我懷著崇敬的心情對老師表示感謝！ 高頻電子線路課程設(shè)計(jì) (報(bào)告 ) 16 參考資料 [1] 陽昌漢 . 高頻電子線路 . 哈爾濱：高等教育出版社， 2021. 要求參考文獻(xiàn)不少于 5 篇
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