高中化學(xué)提高題專題復(fù)習(xí)晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專項訓(xùn)練練習(xí)題及答案-預(yù)覽頁
【正文】 正八面體型（如圖）。（3）鹵素單質(zhì)及其化合物在許多性質(zhì)上都存在遞變規(guī)律，請說明下列遞變規(guī)律的原因。① Q表示X2 （g）與H2 （g）反應(yīng)的反應(yīng)熱，Q_____0（填“”、“”或“=”）。完成下列填空：，一種硅酸鹽的組成為：M2O兩元素原子的質(zhì)子數(shù)之和為24。（6）C3N4的結(jié)構(gòu)與Si3N4相似。_________________（8）如果上述反應(yīng)在10L的密閉容器中進(jìn)行，則制得的Si3N4質(zhì)量為_____________。(3)GaF3的熔點高于1000℃，℃，其原因是______________。12．K4[Fe(CN)6]可用作食鹽的抗結(jié)劑，高溫下K4[Fe(CN)6]會分解生成(CN)KCN、NFe3C、C等物質(zhì)。（4）碳元素可形成多種結(jié)構(gòu)和性質(zhì)不同的單質(zhì)，其中金剛石的熔點為3550℃，C60的熔點約為280℃，導(dǎo)致這種差異的原因是___。2．A【解析】【分析】【詳解】A. 熔點是1070℃，易溶于水，水溶液能導(dǎo)電，屬于離子晶體的物理性質(zhì)，A正確；B. ℃，液態(tài)不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電，屬于分子晶體的物理性質(zhì)，B錯誤；C. 不溶于水，熔點3550℃，不導(dǎo)電，屬于原子晶體的物理性質(zhì)，C錯誤；D. ℃，質(zhì)軟、導(dǎo)電，?cm3，屬于金屬晶體的物理性質(zhì)，D錯誤；故合理選項是A。4．B【解析】【分析】【詳解】A．NH3與水分子間易形成氫鍵，而CH4與水之間不能形成氫鍵，則在相同條件下，NH3在水中的溶解度大于CH4，與分子間作用力有關(guān)，故A正確；B．非金屬性F＞Cl＞Br＞I，則HF、HCl、HBr、HI熱穩(wěn)定性依次減弱，與共價鍵有關(guān)，與分子間作用力無關(guān)，故B錯誤；C．組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，沸點越高，則FClBrI2的熔、沸點逐漸升高，與分子間作用力有關(guān)，故C正確；D．CH3CHCH3CH2CH(CH3)2CHCHCH3CH2CH2CH3均為烷烴，結(jié)構(gòu)相似，相對分子質(zhì)量越大，分子間的作用力越強(qiáng)，沸點越高，其中(CH3)2CHCHCH3CH2CH2CH3是同分異構(gòu)體，支鏈越多，分子間作用力越小，沸點越低，則CH3CHCH3CH2CH(CH3)2CHCHCH3CH2CH2CH3的沸點逐漸升高，與分子間作用力有關(guān)，故D正確；故答案為B。7．D【解析】【分析】【詳解】，一定存在離子鍵，可能會含共價鍵，如氯化銨晶體中既有離子鍵又有共價鍵，A不正確。比較不同類型晶體的熔點，一般原子晶體＞離子晶體＞分子晶體，冰和干冰都是分子晶體，可以根據(jù)常溫下水為液態(tài)，而二氧化碳為氣態(tài)判斷冰的熔點高于干冰，所以D正確。【點睛】1. 石墨晶體是片層結(jié)構(gòu)，層內(nèi)相鄰的C以共價鍵相連，有共價晶體的特點；層與層之間的作用力是分子間作用力，有分子晶體的特點；所以石墨是混合型晶體。9．5 第四周期、ⅦA（都對得1分） FClBrI2都是分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力依次增強(qiáng)。12．3d64s2 NCFeK 6 直線形 3：4 sp 正八面體 2 金剛石是原子晶體，C60是分子晶體，前者原子間是靠強(qiáng)烈的共價鍵結(jié)合的，后者分子間是靠微弱的范德華力結(jié)合在一起的 (1，) 【解析】【分析】（1）Fe原子核外電子排布式為；IIA、VA族為全充滿或半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素；與形成6個配位鍵；（2）(CN)2分子中存在碳碳鍵，結(jié)構(gòu)式為，HCN結(jié)構(gòu)式為；（3）Fe3C的晶胞結(jié)構(gòu)中，以C原子為原點建立三維坐標(biāo)系，F(xiàn)e原子位于坐標(biāo)軸上且關(guān)于原點碳原子對稱，6個Fe形成的空間結(jié)構(gòu)為正八面體；配位數(shù)之比等于相應(yīng)原子數(shù)目反比；（4）金剛石是原子晶體，是分子晶體；（5）由A、B參數(shù)，可知A處于坐標(biāo)系的原點，晶胞中含有A原子的3個棱分別為坐標(biāo)系的x、y、z軸，C為與晶胞右側(cè)面，C到晶胞左側(cè)面距離為參數(shù)x，到晶胞前平面距離為參數(shù)y，到晶胞下底面距離為參數(shù)z；由質(zhì)量公式計算
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