出席國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議心得報(bào)告五篇-全文預(yù)覽
【正文】 一論文至多以一人申請(qǐng)為限，其他合著者應(yīng)於申請(qǐng)表中具結(jié)未以同一論文向其他單位第五條第六條第七條申請(qǐng)補(bǔ)助。經(jīng)系主任（所長(zhǎng)）、院長(zhǎng)同意後向研究發(fā)展處提出申請(qǐng)，由學(xué)術(shù)審查委員會(huì)召集人就申請(qǐng)案邀請(qǐng)校內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域?qū)W者一至二人進(jìn)行書面初審，再由學(xué)術(shù)審查委員會(huì)複審，通過後核定助學(xué)金額度。圖八我上臺(tái)報(bào)告之情況 2第二篇：靜宜大學(xué)研究生出席國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議助學(xué)金辦法靜宜大學(xué)研究生出席國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議助學(xué)金辦法民國(guó)99年12月29日行政會(huì)議修正通過第一條靜宜大學(xué)（以下簡(jiǎn)稱本校）為鼓勵(lì)研究生出席國(guó)際會(huì)議，以外語發(fā)表論文，加速第二條第三條第四條研究生對(duì)專業(yè)新知、技術(shù)發(fā)展及新研究方法之瞭解，藉以提昇本校學(xué)生學(xué)術(shù)研究水準(zhǔn)與促進(jìn)國(guó)際文教交流，並依據(jù)「教育部補(bǔ)助國(guó)內(nèi)大學(xué)校院博士班研究生出席國(guó)際會(huì)議處理要點(diǎn)」第三條，訂定「靜宜大學(xué)研究生出席國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議助學(xué)金辦法」（以下簡(jiǎn)稱本辦法）。並以額外增薄膜沉積之製程步驟，再搭配特殊後置處理，以有效增進(jìn)提昇元 件可靠度表現(xiàn)。更不用提更複雜之積體電路之整個(gè)元件的製程了，決不是簡(jiǎn)簡(jiǎn)單單如我發(fā)表文章 中，只有元件電特性分析一個(gè)方向而已。此會(huì)場(chǎng)期間，聽了許多國(guó)外研究學(xué)者的報(bào)告及其他研究主題的口頭演講, 並且針對(duì)內(nèi)容提出一些問題，皆得到臺(tái)上演講者的回答與完整解釋?？陬^報(bào)告部份，圖七與圖八為我上臺(tái)報(bào)告本次主題：「Effect of passivation layer on the reliability of flexible aSi:H TFTs」，中文名稱為：「覆蓋層對(duì)可撓式非晶矽薄膜電晶體之可靠度 影響」之報(bào)過的過程。由我的主題相關(guān)主要場(chǎng)次 為 14號(hào)，也就是第三天晚上的部份，主要是關(guān)於薄膜沉積與元件製程。大會(huì)註冊(cè)會(huì)場(chǎng)與展示會(huì)場(chǎng)(exhibition)皆舉辦在希爾頓大飯店(Hiliton Hawaiian Village)，圖一為希爾頓大飯店報(bào)到會(huì)場(chǎng)之照片，圖 二為邀請(qǐng)演講之會(huì)場(chǎng)。第一篇：出席國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議心得報(bào)告出席國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議心得報(bào)告 計(jì)畫編號(hào)計(jì)畫名稱出國(guó)人員姓名 服務(wù)機(jī)關(guān)及職稱 鄒一德交通大學(xué)/光電工程學(xué)系博士生 會(huì)議時(shí)間地點(diǎn) ~ Hawaii()會(huì)議名稱 ECST 2008 發(fā)表論文題目 Effect of passivati on layer on the reliability of flexible aSi:H TFTs一、參加會(huì)議經(jīng)過 本次很榮幸地能夠參與一年一度的國(guó)際電化學(xué)協(xié)會(huì)(The Electrochemical Society Tran sacti ons 所主辦之年度會(huì)報(bào)；本次大會(huì)地點(diǎn)選擇在美國(guó)，夏威夷群島中的歐胡島舉行，離 上一次於同樣地點(diǎn)舉辦，已經(jīng)是五年前的事了。The Electrochemical Society Tran sactio ns(ECST 2008 主要大會(huì)的會(huì)場(chǎng)分別分散為兩個(gè)地 方、亦為歐胡島之著名景點(diǎn)，分別為：希爾頓大飯店(Hiliton Hawaiian Village)＞及我們的報(bào) 告地點(diǎn)：夏威夷國(guó)際會(huì)議中心(Hawaii Convention Center。而由分析儀器廠商部份，也代表產(chǎn)業(yè)界對(duì)固障與排除分析的重視，因?yàn)槿允怯行Ф?bào)會(huì)場(chǎng)緊臨廠商展示會(huì)場(chǎng)，一共有四天的海報(bào)展示場(chǎng)次。圖五為海報(bào)展示處入口，圖六為 與研究大會(huì)此次相關(guān)的書藉出售與展示。各種新穎儀器之介紹與展示，皆讓我所學(xué)良 圖三參展廠商 1 圖四參展廠商 2予大會(huì)，是以口頭報(bào)告發(fā)表為主軸，很榮幸上臺(tái)報(bào)告非晶矽薄膜電晶體於撓曲狀態(tài)時(shí)特性表 性之相關(guān)研穿成果。一個(gè)元件中只要經(jīng)過一些小小改變的步驟，竟可變化出了如此豐富又多樣化的 演變。我的口頭報(bào)告主題為「Effect of passivation layer on the reliability of flexible aSi:H TFTs」，主要方向?yàn)樘接懛蔷∧る娋w於撓曲條件下，多加後續(xù)處理之特性改變與可 靠度分析。本次參予國(guó)際電化學(xué)協(xié)會(huì)（The Electrochemical Society Transacti
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