處理器核心供電-全文預(yù)覽
【正文】 住這些效率只是理論值。圖 5 顯示了計(jì)算出的效率曲線，它們分別是一個(gè)同步開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器、一個(gè)異 第 6 頁(yè) 共 9 頁(yè) 步開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和一個(gè)線性穩(wěn)壓器，條件均為 輸出電壓，輸出電流范圍為 50ma 至 5a。前面提到過(guò)的新型ldo穩(wěn)壓器電壓降已經(jīng)大幅減小，某些情況下已 接近了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的效率，拓寬了它們的應(yīng)用范圍。市面上大多數(shù)的線性穩(wěn)壓器都使用標(biāo)準(zhǔn)的帶隙基準(zhǔn)源，它的最低輸出電壓極限是大約。但是，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器可以通過(guò)控制傳輸晶體管的導(dǎo)通時(shí)間（占空比）來(lái)減少對(duì)輸入端平均輸入電流的需求。電池壽命一般用毫安小時(shí)（ mah）來(lái)表示。計(jì)算出方案所需 θja 后，將其與 ldo數(shù)據(jù)表中的封裝進(jìn)行比較，選定一種封裝形式。 可以用以下公式確定應(yīng)用的功耗對(duì)散熱方式的要求?？梢詮囊粋€(gè) （另一個(gè)核心電壓）為 （ ）提供 3a電流，而功率損失僅為 900mw。市場(chǎng)上也出現(xiàn)了一些改進(jìn)后的 ldo 穩(wěn)壓器：它們有一個(gè) vin 和一個(gè) vbias 輸入，即將主電流通路與 ic的偏置通路分隔開(kāi)。 圖 4， fet 正在代替雙極晶極管用于傳輸晶體管，因?yàn)?fet的低導(dǎo)通電阻可以提供比雙極晶體管固定飽和電壓更低的壓降。 圖 3，按圖 2 順序列出的封裝以及相對(duì)尺寸。如圖 2所示，業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝技術(shù)可以在不加散熱片情況下提供超過(guò) 2w 的功耗。使用線性穩(wěn)壓器的關(guān)鍵在于是否可以發(fā)散和耐受產(chǎn)生的熱量，以及避免由此所致電池壽命的縮減。于是就得到了一些關(guān)鍵數(shù)據(jù)，可以用來(lái)篩選線性穩(wěn)壓器。 確認(rèn)采用了最大的 vin 和最小的 vout 來(lái)計(jì)算最差情況的數(shù)值。除此以外，是否還有其它因素會(huì)影響到最終決策呢。然后盡可能多地添加其它信息。還需要其它特性嗎。是應(yīng)該采用同步方式還是異步方式；用電流模式還是電壓模式；脈沖寬度、脈沖頻率還是磁滯開(kāi)關(guān)。 這個(gè)清單開(kāi)始于一些基本要素：如輸入電壓、輸出電壓以及負(fù)載電流。清單的其它項(xiàng)可能包括：成本、尺寸、電壓降（壓差 vinvout的最低值）、最小 /最大輸入電壓、最小 /最大可接受負(fù)載電壓、容錯(cuò) /精度、負(fù)載瞬態(tài)電流、線路調(diào)整率、靜態(tài)電流、電池類型及壽命、開(kāi) /關(guān)腳、封裝 /布局 /定位的限制、順序、軟起動(dòng)、環(huán)境溫度、期望和禁止的開(kāi)關(guān)頻率、對(duì)部件來(lái)源 /類型的限 制等等。最重要的一些計(jì)算都很簡(jiǎn)單，通過(guò)這些計(jì)算可以確定功率損耗、效率以及需要的散熱方式：首先，用 iout與壓差 vinvout的乘
規(guī)章制度相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1