【正文】 第 22 頁(yè) 共 35 頁(yè) 材料高溫高頻力學(xué)性能原位測(cè)試儀 研究目標(biāo)：針對(duì)航空、航天和核工業(yè)等領(lǐng)域材料在高溫高頻載荷作用下性能測(cè)試需求，突破高溫高頻復(fù)雜載荷下材料力學(xué)性能測(cè)試、微觀力學(xué)性能表征等關(guān)鍵技術(shù)，開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的材料高溫高頻力學(xué)性能原位測(cè)試儀，開(kāi)發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)高 19 溫環(huán)境復(fù)雜載荷作用下材料拉伸、彎曲、高頻疲勞等靜態(tài)和動(dòng)態(tài)力學(xué)性 能原位測(cè)量。開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。ms 1）；腦圖譜重建 速度 ≥8000 幀／ s，腦圖譜視野范圍 ≥120176。針對(duì)腦活動(dòng)無(wú)創(chuàng)高精度測(cè)量的需求，突破高磁場(chǎng)能量密度下腦圖譜精細(xì)繪制等關(guān)鍵技術(shù)，研制具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的核磁共振腦圖譜測(cè)量?jī)x，開(kāi)發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)腦功能圖像獲取、建模和頻譜分析。開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。 紫 外 波 長(zhǎng) 范 圍 240nm~280nm ， 靈 敏 度≤3179。 第 19 頁(yè) 共 35 頁(yè) 高靈敏紫外成像儀 研究目標(biāo)。 高精度光聲光譜檢測(cè)儀 研究目標(biāo)。 考核指標(biāo)。 ，分辨率≤ ；滴定通道數(shù) ≥4 ，饋液精度 ≤1/80000 滴定管體積；平均故障間隔時(shí)間 ≥5000 小時(shí)。 考核指標(biāo)：光度分析：光譜范圍 ≥400nm~700nm ，波長(zhǎng)準(zhǔn)確度 ≤177。目標(biāo)產(chǎn)品應(yīng)通過(guò)可靠性測(cè)試和第三方異地測(cè)試，技術(shù)就緒度不低于 8 級(jí)；至少應(yīng)用于 2 個(gè)領(lǐng)域或行業(yè)；明確發(fā)明專利、標(biāo)準(zhǔn)和軟件著作權(quán)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)數(shù)量；形成批量生產(chǎn)能力，明確項(xiàng)目驗(yàn)收時(shí)銷售數(shù)量和銷售額。 ，閉環(huán)分辨率 ≤5nm ；非線性度 ≤% ，最大負(fù)載能力 ≥10kg ；平均故障間隔時(shí)間 ≥5000小時(shí)。開(kāi)發(fā)長(zhǎng)行程精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)，突破高精度復(fù)合直線運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)和超快直線驅(qū)動(dòng)等關(guān)鍵技術(shù)，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示 第 16 頁(yè) 共 35 頁(yè) 范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在高通量基因測(cè)序儀、超分辨顯微成像 儀、工業(yè)快速檢測(cè)儀等儀器中的應(yīng)用。開(kāi)發(fā)快速反應(yīng)分析轉(zhuǎn)化器，突破秒級(jí)反應(yīng)原位驅(qū)動(dòng)與快速捕捉等關(guān)鍵技術(shù)，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí) 產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)與質(zhì)譜檢測(cè)器、紅外檢測(cè)器、熱導(dǎo)檢測(cè)器等的聯(lián)用。 高精度微量加液器 研究?jī)?nèi)容。波長(zhǎng)范圍 800nm~2500nm，鏡面面積 ≥6mm179。 ，波長(zhǎng)重復(fù)性 ≤ ，最小光譜帶寬 ≤ ；平均故障間隔時(shí)間 ≥5000 小時(shí)。工作波長(zhǎng)范圍 250nm~400nm，凸面光柵口徑 ≥55mm ，線密度范圍 500~700 線 /mm，曲率半徑 ≤150mm ，光柵衍射效率≥60% ；平均故障間隔時(shí)間 ≥5000 小時(shí)。指向性偏轉(zhuǎn)步進(jìn)精度 ≤2μrad ；抗沖擊 ≥1200g ，實(shí)現(xiàn)對(duì)轉(zhuǎn)角的實(shí)時(shí)檢測(cè)；平均故障間隔時(shí)間 ≥10000 小時(shí)。 考核指標(biāo)。 考核指標(biāo)：通道數(shù) ≥64 （可擴(kuò)展），最大采樣率 ≥ ，非雜散動(dòng)態(tài)范圍 ≥120db ，采樣位數(shù) ≥24bit ，最大電壓范圍 11 第 13 頁(yè) 共 35 頁(yè) 177。120kv/m ，分辨力 ≤，準(zhǔn)確度 ≤5% ，功耗 ≤600mw ，封裝體積 ≤φ50mm179。 微型電場(chǎng)傳感器 研究目標(biāo)。 高穩(wěn)定寬量程電流傳感器 研究目標(biāo)。風(fēng)向測(cè)量誤差 177。風(fēng)速測(cè)量范圍 0。 ，機(jī)械品質(zhì)因數(shù) ≥30 ；平均故障間隔時(shí)間 ≥5000小時(shí)。 考核指標(biāo)。 c~+85。量程 177。5mm ，工 作溫度 40℃~+85℃ ，過(guò)載能力 ≥2 倍 fs，抗加速度沖擊 ≤；平均故障間隔時(shí)間 ≥5000 小時(shí)。 考核指標(biāo)。 考核指標(biāo)：普通探針尖端曲率半徑范圍 5nm~1μm ，深寬比≥5 ，彈性常數(shù)范圍 ~40n/m，加工誤差 ≤177。 考核指標(biāo)。60s ，俯仰與橫滾姿態(tài)精度 ≤176。 小型化高精度姿態(tài)傳感器 研究目標(biāo)。c；相對(duì)濕度測(cè)量范圍 0。溫度測(cè)量范圍 90。1015nep/cm2 ；平均故障間隔時(shí)間 ≥5000 小時(shí)。開(kāi)發(fā)高分辨率耐輻照硅探測(cè)器，突破離子注入與表面鈍化等關(guān)鍵技術(shù)，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范與產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在 x 射線衍射儀、高能粒子譜儀和 x 射線成像譜儀等儀器中的應(yīng)用 。 第 7 頁(yè) 共 35 頁(yè) 考核指標(biāo)。 考核指標(biāo)。開(kāi)發(fā)太赫茲混頻器，突破太赫茲混頻電路設(shè)計(jì)與精密制造等關(guān)鍵技術(shù)，采用國(guó)產(chǎn)混頻芯片，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在太赫茲矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、太赫茲頻譜分析儀、太赫茲安全檢測(cè)儀、太赫茲成像儀等儀器中的應(yīng)用。波長(zhǎng)范圍 260nm~1000nm，像元數(shù)目 ≥1024179。 考核指標(biāo)。 考核指標(biāo)。 第 4 頁(yè) 共 35 頁(yè) 考核指標(biāo)。 考核指標(biāo)。開(kāi)發(fā) x 射線菲涅耳透鏡，突破納米 尺度微結(jié)構(gòu)的高深寬比加工技術(shù)難題，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在同步 第 3 頁(yè) 共 35 頁(yè) 輻射、顯微 ct、軟 x 射線成像等儀器中的應(yīng)用。專項(xiàng)實(shí)施周期為 5 年（ 2024－ 2024 年）。通過(guò)本專項(xiàng)的實(shí)施，構(gòu)建 “ 儀器原理驗(yàn)證 → 關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)（軟 硬件） → 系統(tǒng)集成 → 應(yīng)用示范 → 產(chǎn)業(yè)化 ” 的國(guó)家科學(xué)儀器開(kāi)發(fā)鏈條，完善產(chǎn)學(xué)研用融合、協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展的成果轉(zhuǎn)化與合作 第 2 頁(yè) 共 35 頁(yè) 模式，激發(fā)行業(yè)、企業(yè)活力和創(chuàng)造力。 第 1 頁(yè) 共 35 頁(yè) 重大科學(xué)儀器設(shè)備開(kāi)發(fā)國(guó)家科技管理信息系統(tǒng)公共服務(wù)平臺(tái) 附件 7 “ 重大科學(xué)儀器設(shè)備開(kāi)發(fā) ” 重點(diǎn)專項(xiàng) 2024 年度項(xiàng)目申報(bào)指南建議 為落實(shí)《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（ 20242024年）》、《中國(guó)制造 2025》和《關(guān)于加快推進(jìn)生態(tài)文明建設(shè)的意見(jiàn)》等提出的任務(wù)，國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃啟動(dòng)實(shí)施 “ 重大科學(xué)儀器設(shè)備開(kāi)發(fā) ” 重點(diǎn)專項(xiàng)。緊扣我國(guó)科技創(chuàng)新、經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展對(duì)科學(xué)儀器設(shè)備的重大需求，充分考慮我國(guó)現(xiàn)有基礎(chǔ)和能力，在繼承和發(fā)展 “ 十二五 ” 國(guó)家重大科學(xué)儀器設(shè)備開(kāi)發(fā)專項(xiàng)成果的基礎(chǔ)上，堅(jiān)持政府引導(dǎo)、企業(yè)主導(dǎo)，立足當(dāng)前、著眼長(zhǎng)遠(yuǎn)，整體推進(jìn)、重點(diǎn)突破的原則，以關(guān)鍵核心技術(shù)和部件的自主研發(fā)為突破口，聚焦高端通用科學(xué)儀器設(shè)備和專業(yè)重大科學(xué)儀器設(shè)備的儀器開(kāi)發(fā)、應(yīng)用開(kāi)發(fā)、工程化開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化開(kāi)發(fā)，帶動(dòng)科學(xué)儀器系統(tǒng)集成創(chuàng)新，有效提升我國(guó)科學(xué)儀器設(shè)備行業(yè)整體創(chuàng)新水平與自我裝備能力。本專項(xiàng)按照全鏈條部署、一體化實(shí)施的原則，共設(shè)置了關(guān)鍵核心部件、高端通用科學(xué)儀器和專業(yè)重大科學(xué)儀器 3 個(gè)任務(wù)方向。 射線菲涅耳透鏡 研究目標(biāo)。開(kāi)發(fā) s 波段高功率速調(diào)管，突破高 壓電子槍、高功率容量輸出窗口技術(shù)，解決速調(diào)管工作穩(wěn)定性難題，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在高能對(duì)撞機(jī)、同步輻射光源、自由電子激光裝置、輻射成像裝置、輻照加速器等儀器裝置中的應(yīng)用。開(kāi)發(fā)太赫茲倍頻器，突破太赫茲倍頻電路設(shè)計(jì) 與精密制造技術(shù)，采用國(guó)產(chǎn)倍頻芯片，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在太赫茲信號(hào)發(fā)生器、太赫茲矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、太赫茲安全檢測(cè)儀、太赫茲成像儀等儀器中的應(yīng)用。開(kāi)發(fā)通用高精度勻場(chǎng)超導(dǎo)磁體，突破大口徑超導(dǎo)強(qiáng)磁體加工和高精度勻場(chǎng)設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在量子振蕩檢測(cè)儀、核磁譜儀、磁致冷和強(qiáng)磁場(chǎng)材料處理裝置等儀器中的應(yīng)用。開(kāi)發(fā)雙曲面線性離子阱，突破雙曲線形電極加工和四電極高精度平行絕緣裝配等關(guān)鍵技術(shù)，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在離子阱質(zhì)譜儀、大型離子反應(yīng)儀等儀器中的應(yīng)用。 考核指標(biāo)。 太赫茲混頻器 研究目標(biāo)。 探測(cè)器 研究目標(biāo)：開(kāi)發(fā) ingaas 探測(cè)器，突破單光子信號(hào)探測(cè)芯片設(shè)計(jì)制造關(guān)鍵技術(shù)，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí) 5 現(xiàn)在近紅外光譜分析儀 、近紅外成像儀、光纖光譜分析儀等儀器中的應(yīng)用。開(kāi)發(fā)大面積低劑量 x 射線平板探測(cè)器，突破高速幀率采集、高填充系數(shù)大面積探測(cè)、高效率低劑量探測(cè)等關(guān)鍵技術(shù)，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在工業(yè)檢測(cè) x 射線成像儀、醫(yī)學(xué) x 射線成像儀等儀器中的應(yīng)用。 高分辨耐輻照硅探測(cè)器 研究目標(biāo)。5cm ，位置分辨率 ≤100μm ，漏電流密度 ≤2na/cm2 耗盡電壓，探測(cè)器工作電壓 ≥600v ，抗輻照指標(biāo) ≥1179。 考核指標(biāo)。 c，溫度測(cè)量誤差 ≤ 。 30m/s，風(fēng)速測(cè)量誤差 ≤1m/s ；功耗 ≤100mw ，傳感器響應(yīng)時(shí)間 ≤140s ；平均故障間隔次數(shù) ≥50 次。 ，航向姿態(tài)精度≤176。開(kāi)發(fā)飛行安全數(shù)據(jù)記錄器，突破多通道快速記錄、抗惡劣環(huán)境、小型化集成等關(guān)鍵技術(shù)，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā) 、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在機(jī)載航電測(cè)試系統(tǒng)、極端惡劣環(huán)境下飛行器動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備等儀器上的應(yīng)用。開(kāi)發(fā)高分辨率多功能原子探針，突破高耐磨材料制備和納米尺度結(jié)構(gòu)制備工藝的難題，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)