大功率led照明產(chǎn)品及散熱技術(shù)-全文預(yù)覽
【正文】 到符合應(yīng)用要求、一致性好的產(chǎn)品十分重要。LED芯片 +熒光粉工藝采用的涂膠方法，通常是將熒光粉與膠混合后用分配器將其涂到芯片上。? 粉涂布量控制：~200℃），膠體不會(huì)因溫度驟然變化而導(dǎo)致器件開(kāi)路，也不會(huì)出現(xiàn)變黃現(xiàn)象。但是順流 LED其發(fā)射的 光子 數(shù)目則會(huì)由發(fā)光面積的加大而提高。 LED設(shè)計(jì)的主要設(shè)計(jì)有如下列諸圖所示 (如圖 1)LED電流轉(zhuǎn)彎的問(wèn)題不能靠封裝的設(shè)計(jì)(如復(fù)晶或 Flip Chip)改善，把電流截彎取直才是正道，這樣必須把電極置于LED磊晶的兩側(cè)。由于藍(lán)寶石基材不導(dǎo)電， LED正負(fù)兩個(gè)電極乃設(shè)在同面。關(guān)鍵的封裝技術(shù)工藝有：大功率ＬＥＤ技術(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)?3W模組 ,9顆芯片 (芯片尺寸 :18mil),3并 3串 , 電流 300mA,電壓 ?5W模組 ,4顆芯片 (芯片尺寸 :40mil),2并 2串 ,電流 700mA,電壓 ?10W 模組 ,9 顆芯片 (芯片尺寸 :40mil),3并 3串 ,電流 1050mA,電壓 幾種整合模式?10W 模組 ,36顆芯片 (芯片尺寸 :18mil),6并 6串 ,電流 500mA,電壓 1821V?25W 模組 ,25顆芯片 (芯片尺寸 :40mil),5并 5串 ,電流 1750mA,電壓 ?30W模組 ,81顆芯片 (芯片尺寸 :18mil),9并 9串 ,電流 1000mA,電壓 ?1W 氮化鎵藍(lán)光 LED倒裝芯片1. 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用領(lǐng)域2. 倒裝芯片說(shuō)明(1) 倒裝芯片尺寸與材料3. 特性測(cè)試 注 1注 3備注 :1. 以上數(shù)據(jù)為使用 Power Dome支架、無(wú)灌膠條件下裸晶測(cè)試結(jié)果，不同封裝方式得到的測(cè)試結(jié)果可能不盡相同，僅供參考； LED最大結(jié)溫允許值也與封裝方式相關(guān)；若封裝生產(chǎn)使用回流焊，必須保證不能在 300 ℃ 以上溫度條件使用超過(guò) 3秒；2. 抗靜電釋放測(cè)試根據(jù)人體模型，使用 RAET方式模擬靜電釋放，所有產(chǎn)品通過(guò)測(cè)試，符合JESD22A114B標(biāo)準(zhǔn) Class 3A等級(jí)。 LED要在照明領(lǐng)域發(fā)展，關(guān)鍵是要將其發(fā)光效率、光通量提高至現(xiàn)有照明光源的等級(jí)。(5) AlGaInN碳化硅（ SiC）背面出光法。(3) 陶瓷底板倒裝法 : 先利用 LED晶片通用設(shè)備制備出具有適合共晶焊接電極結(jié)構(gòu)的大出光面積的 LED芯片和相應(yīng)的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接導(dǎo)電層及引出導(dǎo)電層，然后利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸 LED芯片與陶瓷底板焊接在一起。但是，簡(jiǎn)單地增大發(fā)光面積無(wú)法解決散熱問(wèn)題和出光問(wèn)題，并不能達(dá)到預(yù)期的光通量和實(shí)際應(yīng)用效果。功率型ＬＥＤ芯片技術(shù)原理 大功率 LED廣義上說(shuō)就是單顆 LED光源功率大于(含 )的，擁有大額定工作電流的發(fā)光二極管。大功率 LED技術(shù)、照明產(chǎn)品及其散熱技術(shù) 功率型 LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿(mǎn)足以下兩點(diǎn)要求：? 一是封裝結(jié)構(gòu)要有高的取光效率；? 二是熱阻要盡可能低，這樣才能保證功率 LED的光電性能和可靠性。何為大功率芯片 ?(1)加大尺寸法 : 通過(guò)增大單體 LED的有效發(fā)光面積和尺寸，促使流經(jīng) TCL層的電流均勻分布，以達(dá)到預(yù)期的光通量。LED大功率的實(shí)現(xiàn)方法美國(guó) Lumileds公司于 2023年研制出了 AlGaInN功率型倒裝芯片（ FCLED）結(jié)構(gòu)，其制造流程是： 首先在外延片頂部的 P型 GaN上淀積厚度大于 500A的NiAu層，用于歐姆接觸和背反射； 再采用掩模選擇刻蝕掉 P型層和多量子阱有源層，露出 N型層； 經(jīng)淀積、刻蝕形成 N型歐姆接觸層，芯片尺寸為1mm1mm,P型歐姆接觸為正方形， N型歐姆接觸以梳狀插入其中，這樣可縮短電流擴(kuò)展距離，把擴(kuò)展電阻降至最??； 然后將金屬化凸點(diǎn)的 AlGaInN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護(hù)二極管（ ESD）的硅載體上。按照傳統(tǒng)的 InGaN芯片制造方法在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)出 PN結(jié)后，將藍(lán)寶石襯底切除，再連接上傳統(tǒng)的四元材料，制造出上下電極結(jié)構(gòu)的大尺寸藍(lán)光 LED芯片。? 半導(dǎo)體 LED若要作為照明光源，常規(guī)產(chǎn)品的光通量與白熾燈和熒光燈等通用性光源相比，距離甚遠(yuǎn)。除了芯片外，器件的封裝技術(shù)也舉足輕重。 大功率芯片封裝結(jié)構(gòu)提高 LED性能的一種方法乃將電流由彎流改成順流。為了延長(zhǎng) LED的壽命，輸入的電流必須降低（如 350mA），單位面積的發(fā)光亮度，就受到了限制。尤其進(jìn)者，電流轉(zhuǎn)彎時(shí)若擴(kuò)大芯片的面積
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