【摘要】LOGOSEMIBuilding大連德泰投資有限公司大連半導(dǎo)體研發(fā)中心Contents簡介1大廈概況2租賃信息3物業(yè)管理4簡介?Semi大廈是集寫字間、商務(wù)中心、洽談會議室、餐廳等綜合設(shè)施于一體的現(xiàn)代化辦公樓,共五層,
2025-02-12 11:00
【摘要】海南風(fēng)光第14講,P型硅,N型硅PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓二極管半導(dǎo)體三極管第10章半導(dǎo)體器件本征半導(dǎo)體現(xiàn)代電子學(xué)中,用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺,它們的最外層電子(價電子)都是四個。Si硅原子Ge鍺原子§半導(dǎo)體的基本知識通過一定的
2025-03-10 23:13
【摘要】名詞解釋本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。名詞解釋N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體,其自由電子濃度進(jìn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。在純凈的硅晶體中摻入五價元素(如磷、砷、銻等),使乊取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中,自由電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子,主要靠自由電子導(dǎo)電。自由
2025-01-01 06:43
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝半導(dǎo)體制造工藝l微電子學(xué):Microelectronicsl微電子學(xué)——微型電子學(xué)l核心——半導(dǎo)體器件l半導(dǎo)體器件設(shè)計與制造的主要流程框架設(shè)計芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測試物理原理—制造業(yè)—芯片制造過程由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層曝光刻蝕
2025-03-01 12:19
【摘要】4雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度1、雜質(zhì)濃度上的電子和空穴半導(dǎo)體雜質(zhì)能級被電子占據(jù)的幾率函數(shù)與費米分布函數(shù)不同:因為雜質(zhì)能級和能帶中的能級是有區(qū)別的,在能帶中的能級可以容納自旋下凡的兩個電子;而施主能級只能或者被一個任意自旋方向的電子占據(jù),或者不接受電子(空的)這兩種情況中的一種,即施主
2025-01-22 02:32
【摘要】華中科技大學(xué)機械學(xué)院機械電子信息工程系先進(jìn)制造技術(shù)半導(dǎo)體制造裝備華中科技大學(xué)機械學(xué)院機械電子信息工程系華中科技大學(xué)機械學(xué)院機械電子信息工程系華中科技大學(xué)機械學(xué)院機械電子信息工程系華中科技大學(xué)機械學(xué)院機械電子信息工程系微電子封裝一般可分為4級,如圖所示,即:0級封裝———芯
2025-02-26 08:37
【摘要】EE?4345?-?Semiconductor?Electronics?Design?ProjectSiliconManufacturingGroupMembersYoungSoonSongNghiaNguyenKeiWongEyadFanousHannaKimStevenHsu
2025-03-01 04:35
【摘要】擴散半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)本章重點?摻雜的目的;?摻雜的方法;?恒定源擴散;?有限源擴散;?摻雜:摻雜技術(shù)是在高溫條件下,將雜質(zhì)原子以一定的可控量摻入到半導(dǎo)體中,以改變半導(dǎo)體硅片的導(dǎo)電類型或表面雜質(zhì)濃度。?形成PN結(jié)、電阻?磷(P)、砷(As)——N型硅?硼(B)
2025-02-28 11:58
【摘要】半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)分析報告金融0701第六組目錄一、節(jié)能照明行業(yè)概述二、半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)概述三、半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀四、半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展五、重點上市公司介紹一、節(jié)能照明行業(yè)概述?節(jié)能照明節(jié)能照明是國際上通用的對采用節(jié)約能源、
2025-01-08 03:46
【摘要】半導(dǎo)體物理教材:劉恩科王延來15124750239固體物理的分支半導(dǎo)體的微觀結(jié)構(gòu)和宏觀物理特性的關(guān)系物理特性電學(xué)特性微觀結(jié)構(gòu)原子排列的方式、鍵合結(jié)構(gòu)、電子的運動狀態(tài)等學(xué)習(xí)要求深刻理解概念、物理機制48學(xué)時,3學(xué)分,閉卷考試,平時30%,期末70%第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)n半導(dǎo)體材料分類n晶體材料:單晶和多晶
【摘要】半導(dǎo)體物理學(xué)主講人:代國章物理樓110室,13786187882Email:?課程代碼:14010022?課程性質(zhì):專業(yè)課程/選修課學(xué)分:?時間:周三(9,10)、(單周)周四(3,4)?教室:B座111?課程特點:內(nèi)容廣、概念多,理論和系統(tǒng)性較強。?課程要求:著重物理概
2025-01-01 07:03
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過大約450道工序,消耗6~8周的時間,看似復(fù)雜,而實際上是將幾大工藝技術(shù)順序、重復(fù)運用的過程,最終在硅片上實現(xiàn)所設(shè)計的圖形和電學(xué)結(jié)構(gòu)。在講述各個工藝之前,介紹一下集成電路芯片的加工工藝過程
2025-03-01 04:30
【摘要】晶體生長和外延現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices2023,7,30晶體生長與外延對分立器件而言,最重要的半導(dǎo)體是硅和砷化鎵。本小節(jié)主要討論這兩種半導(dǎo)體單晶最常用的技術(shù)。一種是單晶生長,獲得高質(zhì)量的襯底材料;另外一種時“外延生長”,即在
2025-03-03 20:17
【摘要】第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)測試題(高三)姓名班次分?jǐn)?shù)一、選擇題1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中加入下列物質(zhì)而形成的。A、電子;B、空穴;C、三價元素;D、五價元素
2025-03-25 06:15
【摘要】溶膠-凝膠技術(shù)Sol-Geltechnique一、溶膠-凝膠法的基本概念和特點二、溶膠-凝膠法采用的原料三、溶膠-凝膠過程的主要反應(yīng)四、溶膠-凝膠法制備薄膜及涂層材料一、溶膠-凝膠法的基本概念和特點溶膠-凝膠法基本名詞術(shù)語(precursor):所用的起始原料。(metal
2025-08-15 20:59