光纖通信課件第四講-全文預覽
【正文】 ； Z——二氧化硅系多模準突變型光纖； D——二氧化硅系單模光纖； X——二氧化硅纖芯塑料包層光纖； S——塑料光纖。 35 Ⅴ ：外護層的代號及其意義為： 外護層是指鎧裝層及其鎧裝外邊的外護層，外護層的代號及其意義如表 22所示。 Ⅱ ：加強構件代號及其意義為： 無符號 ——金屬加強構件； F——非金屬加強構件； G——金屬重型加強構件； H——非金屬重型加強構件。 （ 6）特種光纜 ——除上述幾類之外，作特殊用途的光纜。 （ 2）軟光纜 ——具有優(yōu)良的曲撓性能的可移動光纜。 7．按護層材料性質分 光纜可分為聚乙烯護層普通光纜、聚氯乙烯護層阻燃光纜和尼龍防蟻防鼠光纜。 3．按光纖套塑方法分 可分為緊套光纜、松套光纜、束管式光纜和帶狀多芯單元光纜。 ① 海底光纜 有淺海光纜和深海光纜兩種，圖 234所示為典型的淺海光纜，圖235所示是較為典型的深海光纜。 圖 231 中心束管式帶狀光纜 圖 232 層絞式帶狀光纜 25 （ 5）單芯結構光纜 單芯結構光纜簡稱單芯軟光纜，如圖 233所示。 圖 22 230所示是屬于分散加強構件配置方式的束管式結構光纜。目前，我國采用的骨架式結構光纜，都是采用如圖 225所示的結構。層絞式結構光纜類似傳統(tǒng)的電纜結構，故又稱之為古典光纜。 （ 2）護層 護層主要是對已成纜的光纖芯線起保護作用，避免受外界機械力和環(huán)境損壞。 常用方法： MCVD法 (改進的化學汽相沉積法 )； PCVD(微波等離子體法 )； VAD和 OVD法等 (汽相軸向沉積法和管外汽相沉積法 ) MCVD法熔煉過程： MCVD法熔煉工藝示意圖 計算機流量控制 高純氧 四氯化硅 四氯化鍺 輔助摻雜劑 配好比例的反應物混合氣體 移動火焰 旋轉石英反應管 同步卡盤 排氣 6 ????2224 2 closocls ii高溫 ????23223 6234 cloBoBcl高溫MCVD法熔煉過程：分為 3個階段 混合階段：高純氧以一定的流量在四氯化硅和四氯化鍺中鼓泡，使其以適當?shù)谋壤渌偷绞⒎磻? 沉積階段：高純氧和四氯化硅和四氯化鍺進行反應，沉積在石英管子內壁，先沉積包層，改變摻雜劑，再沉積纖芯。 ? 為了獲得纖芯與包層折射指數(shù)呈階躍變化 (SI型 )或梯度變化 (GI型 )的光纖，生產芯料時皆在高純 SiCl4(％ )中加入百分之幾的GeCl4，也有摻 鍺烷 的。日本則開發(fā) 氣相軸向沉積法 VAD工藝，除回收率高外，還可制成大型預制件 (達 2500g，可拉制50181。歐美及我國主要采用 改進的化學氣相沉積法 MCVD法，該法 提高了反應物濃度使沉積速率 ，比化學氣相沉積 (CVD)法 快 100倍 以上，并且可在數(shù)小時內將預制件拉成幾公里長的多模纖維，由于簡單實用，已成為常規(guī)的光纖生產方法。某些多晶硅生產廠家在用 SiHCl3氫還原生產多晶硅的過程中產生大約 30％的副產物 SiCl4，用這種副產物生產光纖顯著降低了成本。金屬氧化物和非金屬氧化物的沸點 與四氯化硅 ( )相差很大，可用精餾法提純；含氫化合物沸點與其接近，但一般有極性，容易被吸附，適當?shù)奈絼┛梢詫崿F(xiàn)分離 精餾：利用原料和雜質沸點不同，通過反復蒸餾，達到提純目的 (可達到 %)
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1