光纖通信課件第四講-全文預(yù)覽
【正文】 ； Z——二氧化硅系多模準(zhǔn)突變型光纖； D——二氧化硅系單模光纖； X——二氧化硅纖芯塑料包層光纖； S——塑料光纖。 35 Ⅴ ：外護(hù)層的代號(hào)及其意義為： 外護(hù)層是指鎧裝層及其鎧裝外邊的外護(hù)層，外護(hù)層的代號(hào)及其意義如表 22所示。 Ⅱ ：加強(qiáng)構(gòu)件代號(hào)及其意義為： 無(wú)符號(hào) ——金屬加強(qiáng)構(gòu)件； F——非金屬加強(qiáng)構(gòu)件； G——金屬重型加強(qiáng)構(gòu)件； H——非金屬重型加強(qiáng)構(gòu)件。 （ 6）特種光纜 ——除上述幾類之外，作特殊用途的光纜。 （ 2）軟光纜 ——具有優(yōu)良的曲撓性能的可移動(dòng)光纜。 7．按護(hù)層材料性質(zhì)分 光纜可分為聚乙烯護(hù)層普通光纜、聚氯乙烯護(hù)層阻燃光纜和尼龍防蟻防鼠光纜。 3．按光纖套塑方法分 可分為緊套光纜、松套光纜、束管式光纜和帶狀多芯單元光纜。 ① 海底光纜 有淺海光纜和深海光纜兩種，圖 234所示為典型的淺海光纜，圖235所示是較為典型的深海光纜。 圖 231 中心束管式帶狀光纜 圖 232 層絞式帶狀光纜 25 （ 5）單芯結(jié)構(gòu)光纜 單芯結(jié)構(gòu)光纜簡(jiǎn)稱單芯軟光纜，如圖 233所示。 圖 22 230所示是屬于分散加強(qiáng)構(gòu)件配置方式的束管式結(jié)構(gòu)光纜。目前，我國(guó)采用的骨架式結(jié)構(gòu)光纜，都是采用如圖 225所示的結(jié)構(gòu)。層絞式結(jié)構(gòu)光纜類似傳統(tǒng)的電纜結(jié)構(gòu)，故又稱之為古典光纜。 （ 2）護(hù)層 護(hù)層主要是對(duì)已成纜的光纖芯線起保護(hù)作用，避免受外界機(jī)械力和環(huán)境損壞。 常用方法： MCVD法 (改進(jìn)的化學(xué)汽相沉積法 )； PCVD(微波等離子體法 )； VAD和 OVD法等 (汽相軸向沉積法和管外汽相沉積法 ) MCVD法熔煉過(guò)程： MCVD法熔煉工藝示意圖 計(jì)算機(jī)流量控制 高純氧 四氯化硅 四氯化鍺 輔助摻雜劑 配好比例的反應(yīng)物混合氣體 移動(dòng)火焰 旋轉(zhuǎn)石英反應(yīng)管 同步卡盤 排氣 6 ????2224 2 closocls ii高溫 ????23223 6234 cloBoBcl高溫MCVD法熔煉過(guò)程：分為 3個(gè)階段 混合階段：高純氧以一定的流量在四氯化硅和四氯化鍺中鼓泡，使其以適當(dāng)?shù)谋壤渌偷绞⒎磻?yīng)管 沉積階段：高純氧和四氯化硅和四氯化鍺進(jìn)行反應(yīng)，沉積在石英管子內(nèi)壁，先沉積包層，改變摻雜劑，再沉積纖芯。 ? 為了獲得纖芯與包層折射指數(shù)呈階躍變化 (SI型 )或梯度變化 (GI型 )的光纖，生產(chǎn)芯料時(shí)皆在高純 SiCl4(％ )中加入百分之幾的GeCl4，也有摻 鍺烷 的。日本則開發(fā) 氣相軸向沉積法 VAD工藝，除回收率高外，還可制成大型預(yù)制件 (達(dá) 2500g，可拉制50181。歐美及我國(guó)主要采用 改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積法 MCVD法，該法 提高了反應(yīng)物濃度使沉積速率 ，比化學(xué)氣相沉積 (CVD)法 快 100倍 以上，并且可在數(shù)小時(shí)內(nèi)將預(yù)制件拉成幾公里長(zhǎng)的多模纖維，由于簡(jiǎn)單實(shí)用，已成為常規(guī)的光纖生產(chǎn)方法。某些多晶硅生產(chǎn)廠家在用 SiHCl3氫還原生產(chǎn)多晶硅的過(guò)程中產(chǎn)生大約 30％的副產(chǎn)物 SiCl4，用這種副產(chǎn)物生產(chǎn)光纖顯著降低了成本。金屬氧化物和非金屬氧化物的沸點(diǎn) 與四氯化硅 ( )相差很大，可用精餾法提純；含氫化合物沸點(diǎn)與其接近，但一般有極性，容易被吸附，適當(dāng)?shù)奈絼┛梢詫?shí)現(xiàn)分離 精餾：利用原料和雜質(zhì)沸點(diǎn)不同，通過(guò)反復(fù)蒸餾，達(dá)到提純目的 (可達(dá)到 %)
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