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500ta多晶硅、16kta三氯氫硅新建項目可行性研究報告-全文預(yù)覽

2025-08-27 05:42 上一頁面

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【正文】 液槽車 4生活垃圾固散裝  小 計     合計 廠區(qū)道路道路布置:本工程道路采用效區(qū)型道路,道路布置為環(huán)形道路布置,廠區(qū)主干道及物流主干道均為8米,次干道為6米,環(huán)形消防道為6米。(2)充分考慮本地區(qū)社會現(xiàn)有運輸設(shè)施能力與共同協(xié)作的可能性。廠內(nèi)雨水及經(jīng)處理后的生產(chǎn)、生活污水由廠區(qū)排水暗溝匯集再排出廠外工業(yè)園排水管網(wǎng)。廠區(qū)有3處出入口與廠外園區(qū)道路相連。同時,廠內(nèi)各建筑物之間的防火間距、與廠內(nèi)道路之間的間距、與廠圍墻間的間距均能滿足《建筑設(shè)計防火規(guī)范》GB50016200《工業(yè)企業(yè)總平面設(shè)計規(guī)范》GB5018793的要求。 總平面布置本項目廠內(nèi)主要建筑有氫氣凈化車間(101)、還原主車間一(102)、還原主車間二(103)、三氯氫硅車間(104)、精餾車間(105)、尾氣回收車間(106)、氫氣氣柜(201)、乙類倉庫一(202)、乙類倉庫二(203)、貯罐區(qū)(204)、貯罐區(qū)泵房(205)、熱水池及泵房(301)、機修車間(302)、車庫(303)、發(fā)配電間(304)、循環(huán)(消防)水池(305)、循環(huán)(消防)水池泵房(306)、輔助車間(307)、事故應(yīng)急池(308)、污水處理系統(tǒng)(309)、地磅一(310)、地磅二(311)、綜合辦公樓(401)、研發(fā)樓(402)、門衛(wèi)一(403)、門衛(wèi)二(404)、門衛(wèi)三(405)。(2)符合生產(chǎn)工藝要求,保證生產(chǎn)過程中的連續(xù)性,使生產(chǎn)作業(yè)線最短、物料流向合理,管線短捷、避免反復運輸和交叉作業(yè)。廠址附近無自然景觀和人文景觀,無縣級以上重點文物保護對象,無特別需要保護的生物物種,項目生產(chǎn)區(qū)對區(qū)域環(huán)境質(zhì)量影響較小,符合規(guī)劃要求。 廠址方案本項目選址在鹽化基地,該基地位于城區(qū)東南約6公里的新基山,東西長約2802米,南北長約3760米。(3)供電:供電為雙回路10KV 13000KVA容量的專用供電系統(tǒng)接入,一路是從***化工的110 KV變電站接入,另一路是從新建鹽化基地220 KV變電站接入。廠區(qū)采用DN150的給水管道為全廠生產(chǎn)、生活和消防供水。鹽化基地位于城區(qū)西南約2公里的福城工業(yè)園。(3)地震烈度根據(jù)《中國地震動參數(shù)區(qū)劃圖》(GB183062001),**地區(qū)抗震設(shè)防烈度小于6度,為非抗震設(shè)防區(qū)。 水文地質(zhì)及地震烈度(1)水文該地區(qū)水文地質(zhì)條件較為簡單,自上而下有兩個含水巖組,一是松散巖孔隙含水巖組,地下水賦存于砂礫卵石層,厚度一般8~10m,最厚達12m以上,地下水埋深5~7m。市區(qū)位于橫穿**的浙贛鐵路和縱貫**的贛江交叉點上,市域東鄰豐城、南接新干、西毗新余、北連高安。06′33″至115176。生產(chǎn)所需輔料主要有氮氣自制供生產(chǎn)使用。 多晶硅裝置自控技術(shù)a、主要技術(shù)方案本項目若實行全流程自動化控制投資較大,因此本裝置根據(jù)工藝和輔助,公用工程等的不同操作和特性,采用簡單調(diào)節(jié)、復雜調(diào)節(jié)和組合調(diào)節(jié),重要參數(shù)均為自動調(diào)節(jié)、集中控制、并按生產(chǎn)需要設(shè)置了一些溫度、壓力、流量、液位的報警和設(shè)備的連鎖,輔助生產(chǎn)裝置的參數(shù)就地檢測和操作,一般采用單參數(shù)調(diào)節(jié)。主要控制方案為:以常規(guī)數(shù)字顯示為主,根據(jù)工藝要求,設(shè)置兩個控制室,作為溫度集中顯示點,流量以現(xiàn)場控制為主,報警系統(tǒng)也安裝在控制室里。 工藝流程方框圖三氯氫硅工藝流程方框圖 干燥 氫氣 脫氧 干燥 HCL合成爐 氯氣 硅粉 沸騰爐 過濾器 硅粉回收利用 空氣冷凝器 鹽水冷凝器 尾氣冷凝器 回收 粗三氯氫硅 淋洗塔 放空 精餾塔 檢驗 檢驗 三氯氫硅成品 副產(chǎn)品四氯化硅 H2儲氣柜凈化裝置加壓泵粗三氯氫硅儲槽鼓泡器精三氯氫硅還原爐多晶硅檢測切割包裝多晶硅產(chǎn)品尾氣回收HCl硅芯多晶硅芯爐硅芯純H2廢水排放中和處理H2冷凝液多晶硅H2+Cl2=2HClSi+3HCl=SiHCl3+H2 并伴隨有如下副反應(yīng):SiHCl3+HCl=SiCl4+H2SiHCl3+ H2=Si+3HCl并伴隨有如下副反應(yīng):4SiHCl3=3SiCl4+2H2+Si 原材料消耗定額及年消耗量序號名 稱規(guī)格單位單位定額(/t)年用量備注一三氯氫硅1硅粉≥98%t52802氫≥99%m33201043氯氣≥98%m3164804氮氣≥98%m396000自產(chǎn)二多晶硅1三氯氫硅%t2010000自產(chǎn)2氫氣99%m32010000 自控方案 三氯氫硅裝置自控技術(shù)(1)自控設(shè)計范圍本設(shè)計適用于年產(chǎn)16000噸三氯氫硅項目裝置,項目裝置包括氯化氫合成、三氯氫硅合成、三氯氫硅提純、尾氣回收和洗滌吸收等工序;該控制系統(tǒng)將在生產(chǎn)裝置內(nèi)滿足本裝置的生產(chǎn)監(jiān)視、過程控制、參數(shù)報警、數(shù)據(jù)記錄及趨勢等項的功能要求,并能安全可靠運行。洗滌水則進入中和池進行處理。精餾的釜底殘液及輕組分三氯氫硅則進入高低沸物槽,裝車外賣。(2)三氯氫硅精制工序自制的三氯氫硅放入三氯氫硅儲槽,再經(jīng)泵送往高位槽,經(jīng)控制流量后進入精餾塔釜,從塔頂出來的氣相經(jīng)全凝器(二級)進行冷凝得到的冷凝液再經(jīng)過濾器,一路返回精餾塔頂作為回流液,一路作為產(chǎn)品流入計量槽。(4)尾氣吸收工序來自冷凝器的不凝性氣體進入尾氣洗滌塔,經(jīng)循環(huán)泵送出的洗滌水在尾氣洗滌塔中五處噴淋洗滌,回收HCl溶液至20%濃度后外售;氣體達標排放。合成的HC1氣體經(jīng)氯化氫緩沖罐純化去三氯氫硅合成工序。同時對還原尾氣進行處理,回收三氯氫硅,四氯化硅和氫氣。三氯氫硅氫還原法是經(jīng)過精制的三氯氫硅經(jīng)揮發(fā)后與精制后的氫氣在還原爐中高溫下發(fā)生還原反應(yīng)而析出硅,獲得多晶棒,再往進一步處理后而獲得多晶硅產(chǎn)品。本項目三氯氫硅裝置生產(chǎn)工藝采用三氯氫硅沸騰床合成、加壓精鎦、冷凝分離提純生產(chǎn)高純度的三氯氫硅產(chǎn)品和四氯化硅副產(chǎn)品的傳統(tǒng)工藝。此外還有用固定床氯化爐,銅粉作催化劑,氯化氫和硅粉直接合成三氯氫硅。 建設(shè)工程組成序號子項號項 目 名 稱規(guī)模備注1101氫氣凈化車間1200m22102還原主車間一4464m23103還原主車間二5616m2預(yù)留4104三氯氫硅車間768m25105精餾車間1248m26106尾氣回收車間5616m27201氫氣氣柜1000m3預(yù)留1000m38202乙類倉庫一1296m29203乙類倉庫二1296m210204貯罐區(qū)502m2250m3三氯氫硅350m3四氟化硅150m3鹽酸11205貯罐區(qū)泵房65m212301熱水池及泵房1296m213302機修車間1296m214303車庫1296m215304發(fā)配電間577m2一期使用16305循環(huán)(消防)水池500m3深3m17306循環(huán)(消防)水池泵房65m218307輔助車間1216m2冷凍、空壓19308事故應(yīng)急池270m3深3m20309污水處理系統(tǒng)1280m221310地磅一80t22311地磅二80t23401綜合辦公樓8616m 224402研發(fā)樓7476m225403門衛(wèi)一27m226404門衛(wèi)二23m227405門衛(wèi)三24m2 4 工藝技術(shù)方案 工藝技術(shù)方案 工藝技術(shù)方案的選擇三氯氫硅傳統(tǒng)的三氯氫硅合成工藝是將干燥氯氣及凈化后的氫氣經(jīng)各自的緩沖罐進入氯化氫合成爐中反應(yīng)成氯化氫并進入沸騰爐中。5177。結(jié)晶致密,表面平整,無氧化夾層。 產(chǎn)品質(zhì)量標準 三氯氫硅質(zhì)量標準目前尚無三氯氫硅產(chǎn)品的國家標注和行業(yè)標準。國內(nèi)多晶硅的價格亦受國際市場的影響,因全球多晶硅主要生產(chǎn)廠商只有七家,國內(nèi)產(chǎn)能極小主要依靠進口,因此預(yù)計2008年以后多晶硅的價格為1700~1800元/公斤?!笆晃濉逼陂g,將是多晶硅產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的黃金時期,多晶硅來頭增長的潛力巨大。據(jù)專家預(yù)測,到2009年,全世界多晶硅的年需求量將達到7萬噸,同時,我國周邊地區(qū)的俄羅斯、韓國、新加坡、馬來西亞等國均無多晶硅生產(chǎn)條件和能力,對多晶硅有巨大市場需求。由于全球原油價格上漲,歐美地區(qū)對新能源的需求上升,這些國家都采取了鼓勵太陽能發(fā)展的措施,這促使太陽能產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,從而導致多晶硅需求猛增。目前多晶電池用量最大。 主要技術(shù)經(jīng)濟指標序號項 目 名 稱單 位數(shù) 量備 注一生產(chǎn)規(guī)模1三氯氫硅t/a5002多晶硅t/a16000其中商品量6000 t/a二年操作時時/班/天8/3/300三主要原材料、動力用量1硅粉(≥98%)t/a52802氫氣(≥99%、含氧量≤%)Nm3/a32100003氯氣(≥98%)t/a16480四公用工程消耗1水:直流水m3/h 循環(huán)水m3/h2電:裝機容量Kw8540使用容量Kw7820年耗電4512萬Kw(6)。(2)本項目技術(shù)成熟、工藝路線先進。同時擬建項目同時增加了就業(yè)機會,具有一定的社會效益。日本是亞洲最大的多晶硅生產(chǎn)國,但其產(chǎn)量仍不能滿足本國需求,不僅日本,亞太地區(qū)特別是臺灣、新加坡、韓國等地,都是多晶硅的主要需求地。WSTS(全球半導體市場統(tǒng)計)預(yù)計2006年和2007年全球半導體市場的規(guī)模增長分別為8%%。而我國多晶硅的產(chǎn)能在2005年僅為300噸,僅太陽能用多晶硅缺口就達97%。多晶硅是制造太陽能電池及高純硅制品的主要原料,是信息產(chǎn)業(yè)和新能源產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)原材料。(5)遵循可持續(xù)發(fā)展的戰(zhàn)略觀念,注重采取環(huán)境保護努力避免產(chǎn)生新的污染源,環(huán)保工程與工藝裝置同步設(shè)計、同步施工和同步投產(chǎn)。(3)生產(chǎn)裝置及配套的公用工程、輔助設(shè)施都要充分注意技術(shù)的先進性。(2)國家、省、市有關(guān)設(shè)計規(guī)范、規(guī)定。**通能硅材料有限公司在**鹽化化工基地擬征地280畝作為建設(shè)用地,并利用*****化工有限公司氯氣和氫氣的原料優(yōu)勢,生產(chǎn)三氯氫硅、多晶硅。建設(shè)單位:**通能硅材料有限公司企業(yè)性質(zhì):中外合資法人代表:** 企業(yè)概況**通能硅材料有限公司是由美國通用硅材料有限公司與南昌贛宇有機硅有限公司合資組建的中外合資企業(yè)。 可行性研究報告編制的依據(jù)和原則 編制依據(jù)(1)**通能硅材料有限公司與*******工程有限公司簽訂的委托咨詢合同。GB500531994《供配電系統(tǒng)設(shè)計規(guī)范》 GB500521995《建筑物防雷設(shè)計規(guī)范》 GB500572000《石油化工靜電接地設(shè)計規(guī)范》 SH30972000 《電力工程電纜設(shè)計規(guī)范》 GB502171994 《爆炸和火實危險環(huán)境電力裝置設(shè)計規(guī)范》GB500581992 《電力工程電纜設(shè)計規(guī)范》 GB502171994 《建設(shè)項目(工程)勞動安全衛(wèi)生監(jiān)察規(guī)定》勞動部第3號令《漏電保護器安全監(jiān)察規(guī)定》    勞動部1990年《化工企業(yè)安全衛(wèi)生設(shè)計規(guī)定》 HG205711995《生產(chǎn)過程安全衛(wèi)生要求總則》 GB128011991《工業(yè)企業(yè)采光設(shè)計規(guī)范》 GB500331991《工業(yè)企業(yè)照明設(shè)計規(guī)范》 GB500341992《工業(yè)企業(yè)噪聲衛(wèi)生標準》 GB30961982《工業(yè)企業(yè)勞動衛(wèi)生標準》 GB11719~117261989《衛(wèi)生飲用水衛(wèi)生標準》 GB57491985《建筑物防雷設(shè)計規(guī)范》 GB500572000《職業(yè)性接觸毒物危害程度分級》 GB50441985《生產(chǎn)設(shè)備安全衛(wèi)生設(shè)計總則》 GB50831999《建筑滅火器配置設(shè)計規(guī)范》 GB501402005《建筑給水排水設(shè)計規(guī)范》 GB500152003《室外給水
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