【正文】 息(祥見故障代碼表)。IGBT結(jié)溫高于85℃時,調(diào)整PWM的輸出,令I(lǐng)GBT結(jié)溫≤85℃。(4)(2) 過零檢測當(dāng)正弦波電源電壓處于上下半周時, 由DD2和整流橋DB內(nèi)部交流兩輸入端對地的兩個二極管組成的橋式整流電路產(chǎn)生的脈動直流電壓通過R7R14分壓的電壓維持Q11導(dǎo)通,Q11集電極電壓變0, 當(dāng)正弦波電源電壓處于過零點(diǎn)時,Q11因基極電壓消失而截止,集電極電壓隨即升高,在集電極則形成了與電源過零點(diǎn)相同步的方波信號,CPU通過監(jiān)測該信號的變化,作出相應(yīng)的動作指令。(3) VCE檢測電路將IGBT(Q1)集電極上的脈沖電壓通過R76+R7R53分壓送至Q6基極,在發(fā)射極上獲得其取樣電壓,此反影了Q1 VCE電壓變化的信息送入CPU, CPU根據(jù)監(jiān)測該電壓的變化,自動作出各種動作指令:(1)配合VAC檢測電路、VCE電路反饋的信息,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應(yīng)的動作指令(祥見加熱開關(guān)控制及試探過程一節(jié))。1V電壓,不接線盤(L1)測試CPU第7腳電壓,177。配合電流檢測電路、VCE電路反饋的信息,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應(yīng)的動作指令(祥見加熱開關(guān)控制及試探過程一節(jié))。 以上動作過程,保證了加到Q1 G極上的開關(guān)脈沖前沿與Q1上產(chǎn)生的VCE脈沖后沿相同步。 CPU輸出PWM脈沖到由RC3R16組成的積分電路, PWM脈沖寬度越寬,C33的電壓越高,C20的電壓也跟著升高,送到振蕩電路(G點(diǎn))的控制電壓隨著C20的升高而升高, 而G點(diǎn)輸入的電壓越高, V7處于ON的時間越長, 電磁爐的加熱功率越大,反之越小。(2) V8 ON時(V8=),V8V9,V10為低,Q8和Q3截止、Q9和Q10導(dǎo)通,+22V通過R7Q10加至Q1的G極,Q1導(dǎo)通。當(dāng)V6V5時,V7轉(zhuǎn)態(tài)為OFF,V5亦降至D12與D13的順向壓降, 而V6則由C5經(jīng)R5D29放電。t4~t5的i4是阻尼管D11的導(dǎo)通電流,在高頻電流一個電流周期里,t2~t3的i2是線盤磁能對電容C3的充電電流,t3~t4的i3是逆程脈沖峰壓通過L1放電的電流,t4~t5的i4是L1兩端電動勢反向時, 因D11的存在令C3不能繼續(xù)反向充電, 而經(jīng)過CD11回流所形成的阻尼電流,Q1的導(dǎo)通電流實(shí)際上是i1。GT60M303 東芝公司出品,耐壓900V,電流容量25℃時120A,100℃時60A, 內(nèi)部帶阻尼二極管。GT40T101東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時80A,100℃時40A,內(nèi)部不帶阻尼二極管,所以應(yīng)用時須配套15A/1500V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)后可代用SGW25N1SKW25N1GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)后可代用GT40T301。SKW25N120西門子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時46A,100℃時25A,內(nèi)部帶阻尼二極管,該IGBT可代用SGW25N120,代用時將原配套SGW25N120的D11快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 IGBT將場控型器件的優(yōu)點(diǎn)與GTR的大電流低導(dǎo)通電阻特性集于一體, 是極佳的高速高壓半導(dǎo)體功率器件。目前有用不同材料及工藝制作的IGBT, 但它們均可被看作是一個MOSFET輸入跟隨一個雙極型晶體管放大的復(fù)合結(jié)構(gòu)。LM339內(nèi)置四個翻轉(zhuǎn)電壓為6mV的電壓比較器,當(dāng)電壓比較器輸入端電壓正向時(+輸入端電壓高于入輸端電壓), 置于LM339內(nèi)部控制輸出端的三極管截止, 此時輸出端相當(dāng)于開路。電路的各項測控主要由一塊8位4K內(nèi)存的單片機(jī)組成,外圍線路簡單且零件極少,并設(shè)有故障報警功能,故電路可靠性高,維修容易,維修時根據(jù)故障報警指示,對應(yīng)檢修相關(guān)單元電路,大部分均可輕易解決。全系列機(jī)種均適用于50、60Hz的電壓頻率。 458系列簡介458系列是由建安電子技術(shù)開發(fā)制造廠設(shè)計開發(fā)的新一代電磁爐,界面有LED發(fā)光二極管顯示模式、LED數(shù)碼顯示模式、LCD液晶顯示模式、VFD瑩光顯示模式機(jī)種。 故障案例 故障現(xiàn)象1一、簡介 散熱系統(tǒng) 浪涌電壓監(jiān)測電路 加熱開關(guān)控制 振蕩電路 LM339集成電路.. . . ..目錄一、簡介 特殊零件簡介 主回路原理分析 同步電路 VCE檢測電路 IGBT溫度監(jiān)測電路 故障代碼表 主板檢測標(biāo)準(zhǔn)200~240V機(jī)種電壓使用范圍為160~260V, 100~120V機(jī)種電壓使用范圍為90~135V。458系列雖然機(jī)種較多,且功能復(fù)雜,但不同的機(jī)種其主控電路原理一樣,區(qū)別只是零件參數(shù)的差異及CPU程序不同而己。 LM339集成電路 IGBT絕緣柵雙極晶體管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)簡稱IGBT,是一種集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激勵場控型器件優(yōu)點(diǎn)于一體的高壓、高速大功率器件。, 柵驅(qū)動功率極小, 驅(qū)動電路簡單。, 關(guān)斷時間短,耐壓1kV~、, 約為GTR的10%,接近于功率MOSFET, 開關(guān)頻率直達(dá)100KHz, 開關(guān)損耗僅為GTR的30%。(2)(4)(6) 主回路原理分析時間t1~t2時當(dāng)開關(guān)脈沖加至Q1的G極時,Q1飽和導(dǎo)通,電流i1從電源流過L1,~t2時間i1隨線性上升,在t2時脈沖結(jié)束,Q1截止,同樣由于感抗作用,i1不能立即變0,于是向C3充電,產(chǎn)生充電電流i2,在t3時間,C3電荷充滿,電流變0,這時L1的磁場能量全部轉(zhuǎn)為C3的電場能量,在電容兩端出現(xiàn)左負(fù)右正,幅度達(dá)到峰值電壓,在Q1的CE極間出現(xiàn)的電壓實(shí)際為逆程脈沖峰壓+電源電壓,在t3~t4時間,C3通過L1放電完畢,i3達(dá)到最大值,電容兩端電壓消失,這時電容中的電能又全部轉(zhuǎn)為L1中的磁能,因感抗作用,i3不能立即變0,于是L1兩端電動勢反向,即L1兩端電位左正右負(fù),由于阻尼管D11的存在,C3不能繼續(xù)反向充電,而是經(jīng)過CD11回流,形成電流i4,在t4時間,第二個脈沖開始到來,但這時Q1的UE為正,UC為負(fù),處于反偏狀態(tài),所以Q1不能導(dǎo)通,待i4減小到0,L1中的磁能放完,即到t5時Q1才開始第二次導(dǎo)通,產(chǎn)生i5以后又重復(fù)i1~i4過程,因此在L1上就產(chǎn)生了和開關(guān)脈沖f(20KHz~30KHz)相同的交流電流。二是LC自由振蕩的半周期時間是出現(xiàn)峰值電壓的時間,亦是Q1的截止時間,也是開關(guān)脈沖沒有到達(dá)的時間,這個時間關(guān)系是不能錯位的,如峰值脈沖還沒有消失,而開關(guān)脈沖己提前到來,就會出現(xiàn)很大的導(dǎo)通電流使Q1燒壞,因此必須使開關(guān)脈沖的前沿與峰值脈沖后沿相同步。(2)“G點(diǎn)輸入的電壓越高, V7處于ON的時間越長, 電磁爐的加熱功率越大,反之越小”。 導(dǎo)通、Q9和Q10截止,Q1的G極為0V,Q1截止。 同步電路R7R51分壓產(chǎn)生V3,R74+R7R52分壓產(chǎn)生V4, 在高頻電流的一個周期里,在t2~t4時間 (圖1),由于C3兩端電壓為左負(fù)右正,所以V3V4,V5OFF(V5=0V) 振蕩電路V6V5,V7 OFF(V7=0V),振蕩沒有輸出,也就沒有開關(guān)脈沖加至Q1的G極,保證了Q1在t2~t4時間不會