led技術(shù)與應(yīng)用(重要)-全文預(yù)覽
【正文】 為一個(gè)楔形的板(斜式導(dǎo)光板，即導(dǎo)光板兩邊厚度不一)，這使得NB面板沒(méi)有辦法做得很薄。平面化的光源不僅有優(yōu)異的亮度均勻性，還不需要復(fù)雜的光路設(shè)計(jì)，這樣一來(lái)LCD的厚度就能做得更薄，同時(shí)還擁有更高的可靠性和穩(wěn)定性。在色彩表現(xiàn)力和色階過(guò)渡方面，LED背光也有顯著的優(yōu)勢(shì)，其色彩表現(xiàn)力強(qiáng)於CCFL背光源，色彩還原好，可對(duì)顯示色彩數(shù)量不足的液晶技術(shù)起到很好的彌補(bǔ)作用。原有的CCFL背光由於色純度等問(wèn)題，在色階方面表現(xiàn)不佳。這樣的壽命對(duì)於頻繁使用的用戶來(lái)說(shuō)意味著使用23年後LCD的亮度就將會(huì)明顯下降，許多LCD產(chǎn)品在使用幾年後螢?zāi)痪蜁?huì)發(fā)黃、亮度明顯變暗，而不得不更換LCD的CCFL背光模組。雖然從技術(shù)上來(lái)說(shuō)CCFL已經(jīng)相當(dāng)成熟，無(wú)論是性能還是穩(wěn)定性都久經(jīng)考驗(yàn)。 在2005年，業(yè)界開(kāi)發(fā)成功了無(wú)熒光粉、Φ5透明樹(shù)脂封裝的白光LED。另外，采用RGB三種管芯組成的RGB LED常用於手機(jī)的變色背光。白光是復(fù)合光，可以用紅、綠、藍(lán)(R、G、B)三基色LED混合成白光。另外，采用很多小功率白光LED組成的燈泡可靠性也差一些，燈泡體積也較大。 表3 PU5WXX系列LED的典型發(fā)光強(qiáng)度 為了要提高發(fā)光強(qiáng)度，開(kāi)發(fā)出中功率LED(一般為幾百mW)，其工作電流也提高到70mA。早期的LED主要用GaAs、GaP(二元素半導(dǎo)體材料)和GaAsP(三元素半導(dǎo)體材料)，1994年左右采用AlInGaP(四元素半導(dǎo)體材料)後，其發(fā)光強(qiáng)度及發(fā)光效率有很大的提高。XL7090WHT的發(fā)光強(qiáng)度大，電流350mA時(shí)的典型光通量為60lm，在瞬態(tài)脈沖電流700mA時(shí)典型光通量可達(dá)98lm，而目前一般1W白光LED的光通量為3045lm)；XL7090WHT的發(fā)光效率高達(dá)60lm/W，視角寬達(dá)100176。從表2可以看出，這30多年來(lái)，LED的發(fā)光效率提高了250倍以上。例如，在GaAs的襯底上采用AlInGaP工藝技術(shù)制成的Φ紅光LED，在小視角4176。 表1 不同生產(chǎn)年份LED的發(fā)光強(qiáng)度比較 所以LED的主要發(fā)展方向是提高發(fā)光強(qiáng)度(也就是一般所指的提高亮度)。為了使用方便，LED通常都使用樹(shù)脂包裝，做成5mm左右的各種形狀，十分堅(jiān)固耐震。LED的發(fā)光原理是利用半導(dǎo)體中的電子和空穴結(jié)合而發(fā)出光子，不同於燈泡需要在3000度以上的高溫下操作，也不必像日光燈需使用高電壓激發(fā)電子束，LED和一般的電子元件相同，只需要24V的電壓，在常溫下就可以正常動(dòng)作，因此其壽命也比傳統(tǒng)光源來(lái)得更長(zhǎng)。這位Nakamura的技術(shù)突破，讓氮化鎵(GaN)陣營(yíng)正式快速超越SiC。這也是許多研發(fā)團(tuán)隊(duì)辛勤投入開(kāi)發(fā)藍(lán)光LED元件時(shí)，必須痛苦抉擇的兩條截然不同的道路。19941995年人們開(kāi)發(fā)成功了藍(lán)光LED，并在1998年實(shí)現(xiàn)了真正商品化。 發(fā)光二極管(LED是利用光輻射原理來(lái)發(fā)光的，其發(fā)光顏色與制作材料有很密切的關(guān)系。除了各種應(yīng)用照明、戶外建筑及手機(jī)背光源等應(yīng)用外，業(yè)界正在積極找尋各種新應(yīng)用。. . . .. .LED技術(shù)及應(yīng)用 技術(shù)分類： 顯示與光電 發(fā)表時(shí)間：20061121 ，其中50%在日本，20%在臺(tái)灣。 LED產(chǎn)業(yè)趨勢(shì) 早在1907年開(kāi)始，人們就發(fā)現(xiàn)某些半導(dǎo)體材料制成的二極管在正向?qū)〞r(shí)有發(fā)光的物理現(xiàn)象，但生產(chǎn)出有一定發(fā)光效率的紅光LED已是1969年了。 LED技術(shù)研發(fā)之路，最為人津津樂(lè)道的故事，就是開(kāi)發(fā)藍(lán)光LED時(shí)，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩大門(mén)派之爭(zhēng)。這位研發(fā)人員的重大突破，引發(fā)了包括Sony及Toshiba等大廠的最高主管都出面為自己所做的錯(cuò)誤決策導(dǎo)致技術(shù)落後而道歉。 LED技術(shù) LED是繼1950年代矽(Si)半導(dǎo)體技術(shù)後，由三五族(IIIV族)化合物半導(dǎo)體發(fā)展的半導(dǎo)體器件。LED晶片大小可以因用途而隨意切割，跟傳統(tǒng)的燈泡或日光燈相比，體積相對(duì)小得多。 值得注意的是，除了大家常見(jiàn)的可見(jiàn)光外，LED還有不可見(jiàn)光，如“紫外光”與“紅外光”等，例如電視遙控器就是一種紅外光應(yīng)用，其波長(zhǎng)約為900nm，而紫外光則因?yàn)榫哂袣⒕δ?，所以被廣泛應(yīng)用在醫(yī)療用途上。 LED主要向大功率和小體積兩
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