門極可關(guān)斷晶閘管-全文預(yù)覽
【正文】 太短，否則電容上儲存的能量太小，不足以關(guān)斷可關(guān)斷晶閘管。輸入導(dǎo)通信號時，G1導(dǎo)通，產(chǎn)生正門極脈沖電流,使可關(guān)斷晶閘管導(dǎo)通。當(dāng)可關(guān)斷晶閘管T關(guān)斷后,門極恢復(fù)阻斷，門極電流降為零，G2也恢復(fù)阻斷。圖2a是一種門極開通電路，當(dāng)導(dǎo)通信號電壓是高電平時，晶體管G1導(dǎo)通，其發(fā)射極電流即作為觸發(fā)電流流入可關(guān)斷晶閘管門極。GTO的存儲時間則隨陽極電流值的增大而增大，下降時間一般小于2us。3）集成結(jié)構(gòu)中每個GTO單元的陰極面積小，門極和陰極間的距離大為縮短，使得P2基區(qū)的橫向電阻很小，使門極抽出較大的電流成為可能。3 當(dāng)a1+a21時，是不能維持飽和導(dǎo)通而關(guān)斷的條件。雖然外部同樣引出三個極，但內(nèi)部包含數(shù)十個甚至數(shù)百個共陽極的小GTO單元，這些GTO單元的陰極和門極在器件內(nèi)部并聯(lián)，他是為了實現(xiàn)門極控制關(guān)斷而設(shè)計的。過 通過門極施加負(fù)的脈沖電流目錄1概述2GTO的結(jié)構(gòu)3GTO與普通晶閘管的不同4GTO的主要參數(shù)1概述GTO（GateTurnOff Thyristor）是門極可關(guān)斷晶閘管的簡稱，他是晶閘管的一個衍生器件。
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