第九章離子鍵和離子晶體-全文預覽
【正文】 ( C l ) ( C l ) Δ ( N a C l )2E H E E E H? ? ? 離子晶體的晶格能也可以利用玻恩 朗德方程進行計算： A 為馬德隆常數(shù)， CsCl、 NaCl、 ZnS 型晶體的 A 分別為 、 、 ； n 為玻恩指數(shù)，它與電子組態(tài)有關： 71 +la01 . 3 8 9 1 0 1/ k J m o l = ( 1 )/mA z zERn?? ??? ? ?離子的電子組態(tài) He Ne Ar(Cu+) Kr(Ag+) Xe(Au+) n 5 7 9 10 12 第四節(jié) 離子極化 一、離子的極化力和變形性 二、離子極化對化學鍵類型的影響 三、離子極化對晶體構型的影響 四、離子極化對化合物性質的影響 離子在周圍帶相反電荷離子的作用下，原子核與電子發(fā)生相對位移，導致離子變形而產生誘導偶極，這種現(xiàn)象稱為 離子極化 。 AB 型離子晶體的離子半徑比與配位數(shù)、晶體構型的關系 第三節(jié) 離子晶體的晶格能 離子鍵的強度常用離子晶體的晶格能來度量。但當 r+/r－ 時，陽離子相對較大，它有可能接觸更多的陰離子，從而使配位數(shù)提高到 8。陽、陰離子是否能緊密接觸與陽、陰離子半徑之比 r+/r－ 有關。 （ 3） ZnS 型晶體 : ZnS 型晶體的晶胞也是正立方體，每個晶胞中有 4 個 Zn2+ 和 4 個 S2。CsCl 晶體就是 CsCl 晶胞沿著立方體的面心依次堆積而成。但是當離子晶體熔融或溶于水時，產生自由移動的陽、陰離子，從而可以導電。離子晶體一般具有較高的熔點、沸點和較大的硬度。 按晶格格點上微粒之間的作用力不同，可分為離子晶體、原子晶體、分子晶體和金屬晶體。 （ 2）晶體具有固定的熔點，而非晶體沒有固定的熔點。 （ 2）同一周期中電子層結構相同的陽離子的半徑，隨離子的電荷數(shù)的增加而減?。欢庪x子的半徑隨離子的電荷數(shù)減小而增大。 （ 4） 18＋ 2 電子組態(tài)：離子的次外電子層有 18 個電子 ， 最外電子層有 2 個電子 ， 外層電子組態(tài)為 (n－ 1)s2(n－ 1)p6(n－ 1)d10ns2。陰、陽離子的電荷數(shù)主要取決于相應原子的電子層組態(tài)、電離能、電子親和能等。 在形成離子鍵時，只要空間條件允許，每一個離子可以吸引盡可能多的帶相反電荷的離子，并不受離子本身所帶電荷的限制，因此離子鍵是沒有飽和性的。當陽、陰離子接近到一定距離時，吸引作用和排斥作用達到了平衡，系統(tǒng)的能量降到最低，陽、陰離子之間就形成了穩(wěn)定的化學鍵?；瘜W鍵的類型有離子鍵、共價鍵和金屬鍵?；瘜W上把分子或晶體中直接相鄰的原子或離子間的強烈相互作用稱為化學鍵。陽、陰離子之間除了靜電相互吸引外，還存在電子與電子、原子核與原子核之間
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