【摘要】1預祝各位同學在本門課程的學習中取得優(yōu)異成績!盧健康老師愿為大家學好本門課程盡心盡力!2課程名稱:模擬與數(shù)字電子技術教材:電子技術(電工學II比電工技術難但更有趣)史儀凱主編緒論一、內容體系:1、模擬電子技術(教材第1~5章)重點:第
2025-05-06 12:44
【摘要】現(xiàn)代半導體器件物理與工藝天津工業(yè)大學光電器件1光電器件現(xiàn)代半導體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices現(xiàn)代半導體器件物理與工藝天津工業(yè)大學光電器件2本章內容?輻射躍遷與光的吸收?發(fā)光二極管?半導體激光?光
2025-01-14 10:23
【摘要】上頁返回1-1電子技術電工學II主講孫媛第一章半導體器件上頁返回1-3第一章半導體器件§半導體的基本知識與PN結§二極管§穩(wěn)壓二極管§雙極結型晶體管§場效晶體管
2025-01-19 01:25
【摘要】1半導體光催化的應用2?光催化分解水研究;?染料敏化太陽能電池;?環(huán)境保護等領域的研究。3HydrogenStorageFuelCellWaterINO2H2O2WaterOUTH2ElectrolysisPhotovoltaicsPhotosynthesisPh
2025-01-12 04:10
【摘要】1SemiconductormaterialsLecturer:AiminLiu&WeifengLiu劉愛民劉維峰2半導體材料及器件工藝技術(四)1噴霧熱解成膜技術?2CVD成膜技術?低壓CVD、常壓CVD、離子增強型CVD、MOCVD?3擴散及陽極氧化技術
2025-03-22 02:27
【摘要】半導體激光特性實驗實驗目的?通過實驗熟悉半導體激光器的光學特性?掌握半導體激光器耦合、準直等光路的調節(jié)?掌握WGD-6光學多道分析器的使用半導體激光器的優(yōu)點和應用?體積小,壽命長?其工作電壓與集成電路兼容,因而可與之單片集成?可用高達GHz的頻率直接進行電流調制以獲得高速調制的激光輸出?光通訊、光學唱片系統(tǒng)、
2025-05-12 21:06
【摘要】主講:劉園園2021年2月13509851820半導體的基礎知識晶體三極管場效應管半導體二極管半導體的基礎知識本征半導體雜質半導體PN結半導體材料根據(jù)物體導電能力(電阻率)的不同,來劃分導體、絕緣體和半導體。典型的半
2025-05-11 01:41
【摘要】3半導體電路分析基礎§放大電路及其性能表征放大的概念放大的實質輸出信號大于輸入信號即為放大放大電路輸出信號的能量來源于有源器件上的直流偏置電源,所以放大器實質上是一種能量控制器或能量轉換器。放大電路的性能表征放大倍數(shù)電壓放大倍數(shù)ioVVVA????電壓增益
2025-04-30 23:06
【摘要】半導體所網絡概況圖書信息中心張棣一、本所網絡基本情況本所網絡為千兆主干,百兆到屋。各樓層通過千兆光纖同機房三層中心交換機相連,各樓劃分子網通過三層路由將各子網進行互連。通過防火墻與Inter相連。詳見半導體所網絡拓撲圖。核心交換機8610辦公樓1層網絡中心計費網關
2025-07-18 13:36
【摘要】第4章對半導體材料的技術要求材料學院徐桂英半導體材料第4章對半導體材料的技術要求?半導體材料的實際應用是以其作出的器件來實現(xiàn)的。?器件對材料的要求總的說來有兩個方面:?一方面是根據(jù)器件的功能來選擇能滿足其性能的材料,這包括材料的能帶結構、晶體結構、遷移率、光學性質等;?另一方面,在材料選定后,要使材料具有
2025-05-06 12:45
【摘要】西安電子科技大學計算機學院吳自力202221第一章半導體器件本章是本課程的基礎,應著重掌握以下要點:(1)半導體的導電特性。(2)PN結的形成及其單向導電性(3)三極管的結構、類型及其電流放大原理(4)三極管的特性及其主要參數(shù)本章內容:§半導體基礎知識§PN結
2025-05-06 12:41
【摘要】noneguilibriumcarriersG-R(非平衡載流子的產生與復合)Chapter5NoneguilibriumCarriers(非平衡載流子)產生率G復合率R如果在外界作用下,平衡條件破壞,偏離了熱平衡的狀態(tài)非平衡狀態(tài)。外界作用光
2025-05-06 12:47
【摘要】化合物半導體材料與器件?輸運:載流子的凈流動過程稱為輸運。?兩種基本輸運體制:漂移運動、擴散運動。?載流子的輸運現(xiàn)象是最終確定半導體器件電流-電壓特性的基礎。?假設:雖然輸運過程中有電子和空穴的凈流動,但是熱平衡狀態(tài)不會受到干擾。?涵義:n、p、EF的關系沒有變化。(輸運過程中特定位置的載流子濃度不發(fā)生變化)?熱運動的速度遠遠超
2025-05-06 06:14
【摘要】第四章光源主要內容半導體物理簡介發(fā)光二極管(LED)半導體激光器(LD)光源的物理基礎半導體物理原子的能級、能帶以及電子躍遷自發(fā)輻射與受激輻射半導體本征材料和非本征材料原子核電子高能級低能級孤立原子的能級圍繞原子核旋轉的電子能量不能任意取值,只能取
2025-05-07 12:40
【摘要】中國科學技術大學物理系微電子專業(yè)2022/4/14SemiconductorDevices1半導體器件原理TheoryofSemiconductorDevices聯(lián)系方式中國科學技術大學物理系微電子專業(yè)2022/4/14SemiconductorDevices2前言半導體器件進展中國科學技術大學物理系
2025-04-13 23:58