單相橋式整流電路課程設計27446-全文預覽
【正文】 從圖31可以看出，兩基極b1和b2之間的電阻稱為基極電阻。綜上所述，針對他們的優(yōu)缺點，我們采用方案二，即單相橋式全控整流電路。不存在直流磁化的問題，適用于輸出低壓的場合電流脈沖大（電阻性負載時），且整流變壓器二次繞組中存在直流分量，使鐵心磁化，變壓器不能充分利用。方案三：單相半波可控整流電路：電路簡圖如下： 圖 26此電路只需要一個可控器件，電路比較簡單，VT的a 移相范圍為180176?；虺霭l(fā)脈沖丟失時，由于電感儲能不經變壓器二次繞組釋放，只是消耗在負載電阻上，會發(fā)生一個晶閘管導通而兩個二極管輪流導通的情況，這使ud成為正弦半波，即半周期ud為正弦，另外半周期為ud為零，其平均值保持穩(wěn)定，相當于單相半波不可控整流電路時的波形，即為失控。門極加負脈沖即從門極抽出電流（即抽出飽和導通時儲存的大量載流子），強烈正反饋使器件退出飽和而關斷。GTO的內部結構與普通晶閘管相同，都是PNPN四層結構，外部引出陽極Ａ、陰極Ｋ和門極Ｇ如圖23，和普通晶閘管不同， GTO是一種多元胞的功率集成器件，內部包含十個甚至數(shù)百個共陽極的小GTO元胞，這些GTO元胞的陰極和門極在器件內部并聯(lián)在一起，使器件的功率可以到達相當大的數(shù)值?！?其他幾種可能導通的情況：1）陽極電壓升高至相當高的數(shù)值造成雪崩效應；2）陽極電壓上升率du/dt過高；3）結溫較高；4）光直接照射硅片，即光觸發(fā)：光控晶閘管只有門極觸發(fā)是最精確、迅速、 可靠的控制手段。圖21晶閘管的外形、內部結構、電氣圖形符號和模塊外形a)晶閘管外形 b)內部結構 c)電氣圖形符號 d)模塊外形 晶閘管的工作原理圖晶閘管由四層半導體（PNPN2）組成，形成三個結J1（P1N1）、J2（N1P2）、J3（P2N2），并分別從PPN2引入A、G、K三個電極，如圖22(左)所示。外形：螺栓型和平板型兩種封裝。 20世紀80年代以來，開始被性能更好的全控型器件取代。 單相全控式整流電路其輸出平均電壓是半波整流電路2倍，在相同的負載下流過晶閘管的平均電流減小一半；且功率因數(shù)提高了一半。 單相半控整流電路的優(yōu)點是：線路簡單、調整方便。 電力電子技術課程設計說明書 單相橋式整流電路設計 系 、 部： 電信系 學生姓名： 寇銀珠 指導教師： 專 業(yè)： 電氣自動化技術 班 級： 電氣1201班 完成時間： 2014年6月15日 目 錄1. 設計任務說明…………………………………………………………3.2. 方案選擇………………………………………………………………4 ………………………………………………………4 …………………………………………………63. 輔助電路的設計………………………………………………………9 驅動電路的設計……………………………………………9 保護電路的設計……………………………………………13 過壓保護……………………………………………………14 電流上升率、電壓上升率的抑制保護……………………154. 主體電路的設計………………………………………………………16 主要電路原理及說明……………………………………………16 感性負載可控整流電路…………………………………………16 主電路的設計……………………………………………………17 主要元器件的說明………………………………………………18 性能指標分析……………………………………………………20 元器件清單………………………………………………………215. 設計總結……………………………………………………………226. 參考文獻……………………………………………………………23： （1）設計任務： 進行設計方案的比較，并選定設計方案； 完成單元電路的設計和主要元器件說明； 完成主電路的原理分析,各主要元器件的選擇； 驅動電路的設計,保護電路的設計； （2）設計要求： 單相橋式相控整流的設計要求為： 1).負載為感性負載,L=700mH,R=500歐姆. 技術要求: (1). 電網供電電壓為單相220V； (2). 電網電壓波動為+5%～10%； (3). 輸出電壓為0～100V. 下面分析兩種單相橋式整流電路在帶電感性負載的工作情況。 晶管又稱為晶體閘流管，可控硅整流（Silicon Controlled RectifierSCR），開辟了電力電子技術迅速發(fā)展和廣泛應用的嶄新時代。廣義上講，晶閘管還包括其許多類型的派生器件晶閘管是大功率器件，工作時產生大量的熱，因此必須安裝散熱器。內部結構：四層三個結如圖21。也正是由于能過門極只能控制其開通，不能控制其關斷，晶閘管才被稱為半控型器件。同時它又是全控型器件，即在門極正脈沖電流觸發(fā)下導通，在負脈沖電流觸發(fā)下關斷。 GTO在關斷機理上與SCR是不同的。因此在做設計之前我們主要考慮了以下幾種方案：方案一：單相橋式半控整流電路電路簡圖如下：
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