icp刻蝕工藝要點(diǎn)-全文預(yù)覽
【正文】 打開(kāi)傳輸腔室放置石英托盤(pán)抽真空蝕刻作業(yè)蝕刻結(jié)束，卸下晶片12. 簡(jiǎn)述ELEDE ICP裝晶片標(biāo)準(zhǔn)操作流程A. 用無(wú)塵布蘸IPA擦拭鋁托盤(pán)表面（包括Oring）；B. 用專(zhuān)用鑷子將晶片按照一定順序夾放到托盤(pán)的各個(gè)位置上（如上圖），以邊緣均勻蓋住密封圈為準(zhǔn)（除平邊）,如左下圖（不含石英蓋）所示；C. 放置石英蓋時(shí)不能移動(dòng)晶片，對(duì)準(zhǔn)定位銷(xiāo)將石英蓋輕放至托盤(pán)上，以邊緣均勻蓋住密封圈為準(zhǔn)（除平邊），如右下圖（含石英蓋）所示；D. 擰上螺絲（注意不擰緊，避免衣袖、手套碰到晶片表面）；E. 用力矩螺絲刀擰內(nèi)中外圈螺絲，每隔2個(gè)擰一次，分2次擰緊，1次檢查；F. 檢查一遍晶片是否放好，并用專(zhuān)用吹掃工具吹掃一遍；G. 用無(wú)塵布蘸IPA擦拭鋁托盤(pán)底部，注意不可將IPA沾到晶片上；H. 將裝載托盤(pán)輕放至片盒上。第一次擰的程度為7成緊，第二次力度相對(duì)均勻地稍微擰緊；G:用專(zhuān)用吹掃工具吹掃已裝好片的托盤(pán)一遍。10. 簡(jiǎn)述CORIAL ICP清洗反應(yīng)室方法及步驟A. 進(jìn)入maintenance狀態(tài)，選擇Sequence ”Vent Reactor”；B. 點(diǎn)擊Load Sequence顯示步驟，再點(diǎn)擊Run Sequence；C. 等待Sequence結(jié)束，反應(yīng)室處于破真空狀態(tài)，擰掉反應(yīng)爐室上4顆鎖緊螺絲，打開(kāi)反應(yīng)室；D. 拆下石英細(xì)管，先用無(wú)塵布蘸上DIW，擦洗反應(yīng)室內(nèi)壁和石英窗口，再用無(wú)塵布蘸上IPA擦洗。 選擇比=∕=，描述一下各個(gè)參數(shù)的含義。 邊不對(duì)稱(chēng)：1裝片時(shí)沒(méi)有調(diào)整好，2蓋石英蓋時(shí)造成晶片移位。ICP考試題庫(kù)一， 選擇題。答：造成滿(mǎn)天星的因素可能是1晶片曝光過(guò)程中光刻板污染、顯影過(guò)程中脫膠等，但是刻蝕前沒(méi)有鏡檢，2裝完片沒(méi)有進(jìn)行吹掃有顆粒落在晶片上，3機(jī)臺(tái)長(zhǎng)久沒(méi)有做PM有顆粒掉在晶片上。？，那么理想的選擇比應(yīng)該是多少？ 答：選擇比就是蝕刻藍(lán)寶石襯底的速度與蝕刻光刻膠的速度的比值。7. 簡(jiǎn)述CORIAL ICP清洗托盤(pán)作業(yè)流程圖DIW浸泡石英托盤(pán)DIW沖洗無(wú)塵布擦拭N2吹干IPA擦拭8. 簡(jiǎn)述CORIAL ICP清洗反應(yīng)室作業(yè)流程圖打開(kāi)反應(yīng)室DI水清洗腔壁和石英窗口IPA擦拭用真空硅脂涂抹真空密封橡皮條放置真空密封橡皮條安裝石英細(xì)管關(guān)閉反應(yīng)室9．簡(jiǎn)述CORIAL ICP托盤(pán)清洗標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)流程A. 用DI水浸泡石英托盤(pán)20min；B. 用DI水沖洗一遍；C. 用N2吹干；D．用IPA擦拭；
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