有關(guān)太陽(yáng)能電池的基礎(chǔ)知識(shí)-全文預(yù)覽
【正文】 。上述蒸鍍法，操作溫度區(qū)間在300~1200℃，主要依據(jù)基材材料而定。除了硅材料使用量可大幅降低外，此類(lèi)型光電池由于電子與電洞傳導(dǎo)距離短，因此硅材料的純度要求，不若硅晶圓型太陽(yáng)能電池高，材料成本可進(jìn)一步降低。二、碲天然運(yùn)藏量有限，其總量勢(shì)必?zé)o法應(yīng)付大量而全盤(pán)的倚賴(lài)此種光電池發(fā)電之需。已知的方法有濺鍍法（sputtering）、化學(xué)蒸鍍（CVD）、ALE（atomic layer epitaxy）、網(wǎng)?。╯creenprinting）、電流沉積法（galvanic deposition）、化學(xué)噴射法（chemical spraying）、密集堆積升華法（closepacked sublimation）、modified closepacked sublimation、sublimationcondensation。CdS層的上沿先接合TCO，再連接基材，CdTe上沿則接合背板，以形成一個(gè)光電池架構(gòu)。 f+ 1 l7 S39。奈米技術(shù)應(yīng)用，引進(jìn)了不同思維，可能有機(jī)會(huì)，但應(yīng)用至大面積制造，其良率多少？可能是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。另外，美國(guó)NREL亦成功開(kāi)發(fā)一種三步驟制程（3stage process），在實(shí)驗(yàn)室非常成功，﹪光電效率的太陽(yáng)能電池。其載體亦可使用具可撓*材質(zhì)，因此制程可以rolltoroll方式進(jìn)行。在實(shí)驗(yàn)室完成的CIGS光電池，光電效率最高可達(dá)約19﹪，就模塊而言，最高亦可達(dá)約13﹪。綜合言之，在價(jià)格上不太具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的前提下，此類(lèi)型光電池年產(chǎn)量再過(guò)去三年仍呈現(xiàn)快速成長(zhǎng)，2003年相較于2002年成長(zhǎng)了113﹪，預(yù)期此趨勢(shì)將持續(xù)下去。 非晶型硅光電池的制造方式是以電漿強(qiáng)化化學(xué)蒸鍍法（PECVD）制造硅薄膜。為克服此困境，此類(lèi)型光電池長(zhǎng)采多層結(jié)構(gòu)堆棧方式設(shè)計(jì)，以兼顧吸光與光電效率。2 o/ 【非晶系硅太陽(yáng)能電池】Amorphous silicon solar cell 此類(lèi)型光電池是發(fā)展最完整的薄膜式太陽(yáng)能電池。. I 生產(chǎn)成本往往深受生產(chǎn)規(guī)模影響，太陽(yáng)能電池也不例外。依據(jù)美國(guó)國(guó)家再生能源實(shí)驗(yàn)室的報(bào)導(dǎo)，薄膜太陽(yáng)能電池的制造成本在過(guò)去10年亦呈大幅下降，趨勢(shì)比硅晶圓還快，不過(guò)至今一般而言，其價(jià)格仍約高于硅晶圓式50﹪。 在介紹薄膜式太陽(yáng)能電池之前，首先本文想先介紹目前市場(chǎng)上最主要產(chǎn)品－硅晶圓太陽(yáng)能電池，簡(jiǎn)述其以目前能在市場(chǎng)居于絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的原因?！ ”∧な教?yáng)能電池由于只需使用一曾極薄光電材料，相較于硅晶圓必須維持一定厚度而言，材料使用非常少，而且由于薄膜是可使用軟*基材，應(yīng)用彈*大，如果技術(shù)能發(fā)展成熟，相信其市場(chǎng)面將較硅晶方式寬廣許多。然而硅晶圓為主的太陽(yáng)能發(fā)電技術(shù)其成本畢竟高出傳統(tǒng)電力產(chǎn)生方式甚多，因此目前市場(chǎng)仍只能局限于特定用途，也因此世界上主要的研究單位，均致力于投入太陽(yáng)能相關(guān)技術(shù)的研究，企求開(kāi)發(fā)出新的物質(zhì)，能降低產(chǎn)品成本并提升效能。 z8 E* u: K 本文將就數(shù)種薄膜式太陽(yáng)能電池，就技術(shù)面、發(fā)展?jié)摿εc可能瓶頸提出概括論述，由于篇幅限制以及個(gè)人才疏學(xué)淺，疏漏錯(cuò)失之處，尚祈大家指正?！ ∮捎诳萍嫉倪M(jìn)步，包括了晶圓厚度、切割技術(shù)、晶圓尺寸，以及晶圓價(jià)格，均有長(zhǎng)足的改善，自1960s以來(lái)，以此類(lèi)電池發(fā)電，單
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