基于單片機(jī)的溫度計(jì)的設(shè)計(jì)-全文預(yù)覽
【正文】 完一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)之后，都要發(fā)送一個(gè)應(yīng)答信號(hào)給DS1624，直到主器件發(fā)送一個(gè)非應(yīng)答信號(hào)或停止條件來(lái)結(jié)束DS1624的數(shù)據(jù)發(fā)送過程。如果主器件在產(chǎn)生停止條件以前要發(fā)送多于一頁(yè)字的數(shù)據(jù)，地址計(jì)數(shù)器將會(huì)循環(huán)，并且先接收到的數(shù)據(jù)將被覆蓋。在頁(yè)編程模式中，如同字節(jié)寫方式，先將控制字節(jié)、訪問存儲(chǔ)器指令（17H）、字地址發(fā)送到DS1624，接著發(fā)N個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)，其中以8個(gè)字節(jié)為一個(gè)頁(yè)面。指示從接收器被尋址，DS1624接收后應(yīng)答，再由主器件發(fā)送訪問存儲(chǔ)器指令（17H）后，DS1624接收后應(yīng)答，接著由主器件發(fā)送的下一個(gè)字節(jié)字地址將被寫入到DS1624的地址指針。1SHOT為0時(shí)為連續(xù)轉(zhuǎn)換模式，此時(shí)DS1624將連續(xù)進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換，并將最近一次的結(jié)果保存在溫度寄存器中。B14－B3為當(dāng)前測(cè)量的溫度值。表2給出了所測(cè)的溫度和輸出數(shù)據(jù)的關(guān)系。如果計(jì)數(shù)周期結(jié)束之前計(jì)數(shù)器達(dá)到0，已預(yù)置了此初值的溫度寄存器中的數(shù)字就會(huì)增加，從而表明溫度高于－55℃。適用于低功耗應(yīng)用系統(tǒng)。 由于外部時(shí)鐘信號(hào)是通過一個(gè)2分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的，所以對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)的占空比沒有特殊要求，但最小高電平持續(xù)時(shí)間和最大的低電平持續(xù)時(shí)間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)條件的要求。外接石英晶體（或陶瓷諧振器）及電容CC2接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路，對(duì)外接電容CC2雖然沒有十分嚴(yán)格的要求，但電容容量的大小會(huì)輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程度及溫度穩(wěn)定性，如果使用石英晶體，我們推薦電容使用30pF士10pF，而如果使用陶瓷諧振器，建議選擇40pF士l0pF。如果指令是直接尋址方式則為訪問特殊功能寄存器。（11）數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器：AT89C52有256個(gè)字節(jié)的內(nèi)部RAM,80HFFH高128個(gè)字節(jié)與特殊功能寄存器(SFR)地址是重疊的，也就是高128。如端為高電平(接VCC端)，CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。P3口的第二功能端口引腳第二功能RXD（串行輸入口）TXD（串行輸出口）（外中斷0）（外中斷1）T0（定時(shí)/計(jì)數(shù)0）T1（定時(shí)/計(jì)數(shù)1）（外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通）（外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通）（8）/VPP:外部訪問允許。此時(shí)，被外部拉低的P3口將用上拉電阻輸出電流(ILL)。在訪問8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(如執(zhí)行MOVX RI指令)時(shí)，P2口輸出P2鎖存器的內(nèi)容。(P )和輸入(P ),參見下表。 在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí)，這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址(低8位)和數(shù)據(jù)總線復(fù)位，在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。由于將多功能8位CPU和閃爍存儲(chǔ)器組合在單個(gè)芯片中，ATMEL的AT89C51是一種高效微控制器，AT89C2051是它的一種精簡(jiǎn)版本。單片機(jī)課程設(shè)計(jì)論文設(shè)計(jì)題目：基于單片機(jī)的溫度計(jì)的設(shè)計(jì)學(xué)院：汽車學(xué)院班級(jí)：2009級(jí)電氣工程及其自動(dòng)化3班成員名單：指導(dǎo)教師：課程設(shè)計(jì)時(shí)間：2012年5月142012年5月271. 芯片功能簡(jiǎn)介一、AT89C51的功能簡(jiǎn)介AT89C51芯片簡(jiǎn)介 AT89C51是一種帶4K字節(jié)FLASH存儲(chǔ)器（FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory）的低電壓、高性能CMOS 8位微處理器，俗稱單片機(jī)。該器件采用ATMEL高密度非易失存儲(chǔ)器制造技術(shù)制造，與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的MCS51指令集和輸出管腳相兼容。作為輸出口用時(shí)，每位能吸收電流的方式驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL邏輯門電路，對(duì)端口P0寫“1”時(shí)可作為高阻抗輸入端用。作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流(ILL)。 在訪問外部程序存儲(chǔ)器或16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(例如執(zhí)行MOVX DPTR指令)時(shí)，P2口送出高8位地址數(shù)據(jù)。對(duì)P3口寫入“1”時(shí)，它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。當(dāng)振蕩器工作時(shí)，RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。需注意的是:如果加密位LB1被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存端狀態(tài)。（10）XTAL2:振蕩器反相放大器的輸出端。RAM還是訪問特殊功能寄存器。這個(gè)放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器，振蕩電路參見圖41（a）圖所示。這種情況下，外部時(shí)鐘脈沖接到XTAL1端，即內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端，XTAL2則懸空。其數(shù)字溫度輸出達(dá)13位，℃。DS1624在計(jì)數(shù)器中預(yù)置了一個(gè)初值,它相當(dāng)于－55℃?！娴木龋瑴囟容敵鰹?3位，在發(fā)出讀溫度值請(qǐng)求后還會(huì)輸出兩位補(bǔ)償值。表2是13位溫度寄存器中存儲(chǔ)溫度值的數(shù)據(jù)格式高八位字節(jié) 低八位字節(jié)SB14B13B12B11B10B9B8B7B6B5B4B3000其中S－為符號(hào)位，當(dāng)S＝0時(shí)，表示當(dāng)前的測(cè)量的溫度為正的溫度；當(dāng)S＝1時(shí)，表示當(dāng)前的測(cè)量的溫度為負(fù)的溫度。1SHOT為1時(shí)為單次轉(zhuǎn)換模式，DS1624在收到啟動(dòng)溫度轉(zhuǎn)換命令EEH后進(jìn)行一次溫度轉(zhuǎn)換。在主器件發(fā)出開始（START）信號(hào)以后，主器件發(fā)送寫控制字節(jié)即1001A2A1A00（其中R/W控制位為低電平“0”）。在內(nèi)部寫周期DS1624將不產(chǎn)生確認(rèn)信號(hào)。高位順序字地址保持為常數(shù)。主器件在發(fā)送開始信號(hào)之后，主器件首先發(fā)送寫控制字節(jié)1001A2A1A00，主器件接收到DS1624應(yīng)答之后，發(fā)送訪問存儲(chǔ)器的指令（17H），收到DS1624的應(yīng)答之后，接著發(fā)送字地址將被被寫入到DS1624的地址指針。接收到響應(yīng)位后，總線上的主器件發(fā)出一個(gè)命令地址，DS1624接收此地址后，產(chǎn)生響應(yīng)位，主器件就向它發(fā)送數(shù)據(jù)。訪問設(shè)置寄存器指令［ACH］：如果R/W位置0，將寫入數(shù)據(jù)到設(shè)置寄存器。DS1624產(chǎn)生兩個(gè)字節(jié)，即為寄存器內(nèi)的結(jié)果。停止測(cè)溫指令［22H］
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