二次設(shè)備帶電清洗必要性解析-全文預(yù)覽
【正文】 MOS結(jié)構(gòu)MOSFET（分立）、MOS集成、數(shù)字集成、線(xiàn)性集成、混合電路電壓引起的介質(zhì)擊穿和接著發(fā)生的大電流現(xiàn)象短路漏電流大半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)二極管（）雙極晶體管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、雙極型集成電路、MOSFET和MOS集成電路電過(guò)剩能量和過(guò)熱引起的微等離子體二次擊穿和微擴(kuò)散；由Si和Al的擴(kuò)散引起電流束增大（電熱遷移）失效薄膜電阻器混合集成電路（厚膜、薄膜）、電阻單片、集成電路薄膜 電阻器密封薄膜、電阻器介質(zhì)擊穿，與電壓有關(guān)的電流通路與焦?fàn)枱崃坑嘘P(guān)的微電流通路的破壞電阻漂移金屬化條混合IC、單片IC、梳狀覆蓋式晶體管與焦?fàn)枱崮芰坑嘘P(guān)的金屬燒毀開(kāi)路場(chǎng)效應(yīng)結(jié)構(gòu)和非導(dǎo)電性蓋板存貯器EPROM等由于ESD使正離子與表面積壘，引起表面反型或柵閥值電壓漂移性能退化、失效壓晶體管晶振聲表面波、電壓過(guò)高產(chǎn)生的機(jī)械力，使晶體破裂性能退化、失效電極閥的間距較小部位聲表面波器件IC內(nèi)各種微電路電弧放電使電極熔融性能退化、失效3） 大氣中的鹽份：大氣中的鹽份可溶解在設(shè)備表面的水膜內(nèi)，使水膜成為活性電解質(zhì)，腐蝕金屬及無(wú)機(jī)材料，并對(duì)不同金屬產(chǎn)生電偶腐蝕。各種各樣的軟件故障表現(xiàn)為：不穩(wěn)定、亂碼、誤碼等；④鹽污溶于空氣中的水分，造成電化學(xué)微電路，對(duì)設(shè)備表面造成腐蝕。①使元器件表面的溫度升高。對(duì)于金屬而言，溶有污染物的水分是最通常的腐蝕劑。1)電力設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生很高的靜電效應(yīng)，吸附粉塵、油污等污染物；遇到氣候轉(zhuǎn)為潮濕時(shí)，空氣中的水分與靜電所吸附的污染物又產(chǎn)生綜合腐蝕。影響電氣盤(pán)柜內(nèi)各組件的正常散熱，導(dǎo)致溫度異常升高，還使得電氣盤(pán)柜內(nèi)各組件更易吸潮，導(dǎo)致絕緣下降；更可能直接造成電氣盤(pán)柜內(nèi)各組件接觸不良，容易在電路板上形成短路或微電路，可能造成控制、測(cè)控設(shè)備信號(hào)丟失、失真；在潮濕條件下這些含有鹽、酸、堿性物質(zhì)的污染物成為電解質(zhì)，導(dǎo)電性增強(qiáng)，絕緣電阻降低，泄漏電流增大，易導(dǎo)致短路、電弧、散熱不良及設(shè)備誤動(dòng)作等事故，這些都將形成了更大的安全隱患?！朵N(xiāo)售經(jīng)理學(xué)院》56套講座+ 14350份資料《銷(xiāo)售人員培訓(xùn)學(xué)院》72套講座+ 4879份資料 二次設(shè)備帶電清洗必要性分析隨著應(yīng)用業(yè)技術(shù)的發(fā)展，電力設(shè)備的性能和結(jié)構(gòu)有了很大的提高，對(duì)于電力公司而言，首先是設(shè)備的安全可靠性，其次是經(jīng)濟(jì)性；安全可靠性問(wèn)題尤其突出，如：某某開(kāi)關(guān)總出問(wèn)題，在線(xiàn)運(yùn)行監(jiān)控總有告警等等，而運(yùn)維力量總是有限的，當(dāng)無(wú)法及時(shí)處理這些問(wèn)題時(shí)，信譽(yù)和經(jīng)濟(jì)效益勢(shì)必受到嚴(yán)重影響。《國(guó)學(xué)智慧、易經(jīng)》46套講座《人力資源學(xué)院》56套講座+27123份資料《各階段員工培訓(xùn)學(xué)院》77套講座+ 324份資料《
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