電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)-電流可逆斬波電路(mosfet)-正文-全文預(yù)覽
【正文】 問題探討 為了尋求問題答案，參考了做電流可逆斬波電路（ IGBT）電路的同學(xué)仿真波形。根據(jù)這一數(shù)值再來確定 gate V2 信號(hào)的觸發(fā)延遲時(shí)間： *%+=。 根 據(jù)以上要求可設(shè)計(jì)上面圖 的磁脈沖驅(qū)動(dòng)電路。 V2 gate 信號(hào)的參數(shù)：由于電感只有 1mH, 釋放磁場(chǎng)能的時(shí)間不易計(jì)算，可在后面仿真時(shí)再確定。 只作降壓斬波器運(yùn)行時(shí)， V2 和 VD2 總處于斷態(tài)； 只作升壓斬波器運(yùn)行時(shí)，則 V1 和 VD1 總處于斷態(tài)； 第 3種工作方式：一個(gè)周期內(nèi)交替地作為降壓斬波電路和升壓斬波電路工作。武漢理工大學(xué)《電力電子技術(shù)》課程設(shè)計(jì) 1 電流可逆斬波電路（ MOSFET） 1 設(shè)計(jì)要求與方案 設(shè)計(jì)一電流可逆斬波電路（ MOSFET），已知電源電壓為 400V，反電動(dòng)勢(shì)負(fù)載，其中 R 的值為 5Ω 、 L 的值為 1 mH、 E=350V，斬波電路輸出電壓 250V。 必須防止 V1 和 V2 同時(shí)導(dǎo)通而導(dǎo)致的電源短路。 參數(shù)計(jì)算 V1 gate 信號(hào)的參數(shù)：輸出 Uo 大小由降壓斬波電路決定，根據(jù) tU=onOiUT ，已知 Ui=400V， Uo=250V，不妨取 T=，則 ton=，占空比為 %。 （ 5）另外要求驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠 ,損耗小 ,根據(jù)情況施加隔離。 從仿真得到的電流波形中，找到 iD1 導(dǎo)通時(shí)間，即對(duì)應(yīng)負(fù)載電感釋放磁場(chǎng)能的時(shí)間，
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