電力電子技術(shù)課程設(shè)計-電流可逆斬波電路(mosfet)-正文-全文預(yù)覽
【正文】 問題探討 為了尋求問題答案，參考了做電流可逆斬波電路（ IGBT）電路的同學仿真波形。根據(jù)這一數(shù)值再來確定 gate V2 信號的觸發(fā)延遲時間： *%+=。 根 據(jù)以上要求可設(shè)計上面圖 的磁脈沖驅(qū)動電路。 V2 gate 信號的參數(shù)：由于電感只有 1mH, 釋放磁場能的時間不易計算，可在后面仿真時再確定。 只作降壓斬波器運行時， V2 和 VD2 總處于斷態(tài)； 只作升壓斬波器運行時，則 V1 和 VD1 總處于斷態(tài)； 第 3種工作方式：一個周期內(nèi)交替地作為降壓斬波電路和升壓斬波電路工作。武漢理工大學《電力電子技術(shù)》課程設(shè)計 1 電流可逆斬波電路（ MOSFET） 1 設(shè)計要求與方案 設(shè)計一電流可逆斬波電路（ MOSFET），已知電源電壓為 400V，反電動勢負載，其中 R 的值為 5Ω 、 L 的值為 1 mH、 E=350V，斬波電路輸出電壓 250V。 必須防止 V1 和 V2 同時導(dǎo)通而導(dǎo)致的電源短路。 參數(shù)計算 V1 gate 信號的參數(shù)：輸出 Uo 大小由降壓斬波電路決定，根據(jù) tU=onOiUT ，已知 Ui=400V， Uo=250V，不妨取 T=，則 ton=，占空比為 %。 （ 5）另外要求驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單可靠 ,損耗小 ,根據(jù)情況施加隔離。 從仿真得到的電流波形中，找到 iD1 導(dǎo)通時間，即對應(yīng)負載電感釋放磁場能的時間，
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