《微電子器件工藝學》ppt課件-全文預覽
【正文】 108 1996 256Mb 108 1999 1Gb 109 2022 2Gb 109 動態(tài)隨機存儲器（ DRAM）發(fā)展年表 發(fā)布年代 型號 晶體管數(shù) /個 特征尺寸 /μ m 1971 4004 2250 1972 8008 3000 1974 8080 4500 1976 8085 7000 1978 8086 29000 1982 80286 134000 1985 80386 275000 1989 80486 1202200 1993 Pentium 3100000 1995 Pentium Pro 5500000 1997 PentiumⅡ 7500000 1999 PentiumⅢ 24000000 2022 PentiumⅣ 42022000 2022 PentiumⅣ 55000000 微處理器發(fā)展年表 摩 爾 定 律 在 1960年 ， Intel 公司的創(chuàng)始人之一 Gordon ， 集成電路的功能隨時間呈指數(shù)增長規(guī)律 1975年摩爾提出了關于集成電路集成度發(fā)展的“ 摩爾定律 ” ， 這個定律說 ， 集成度 (即電路芯片的電子器件數(shù) )每 18個月翻一番 ， 而價格保持不變甚至下降 。 主要挑戰(zhàn)： ? 1，超淺結的形成：器件尺寸小于 100nm ? 2，超薄氧化層 ,當柵極長度縮小至 130nm ? 3，硅化物的形成 ,降低寄生電阻，用硅化鈷或硅化鎳替代硅化鈦 ? 4，金屬連線的新材料，高電導率銅及低介電常數(shù)絕緣體或無機材料替代鋁 ? 5，功率限制，限制最大開關速率或每個芯片上的柵極數(shù)目，這和半導體材料的工作溫度有關 ? 6， SOI工藝的整合，淺結由 SOI的厚度控制 ? 由 Intel為代表的多家公司正在開發(fā)“ 極端紫外 ” 光刻技術，用氙燈將波長降至 ； ? IBM則致力于 X射線光刻技術研究工作 研究前沿 微電子工業(yè)的未來 ? 21世紀前 20年，以 PC 的需求驅動集成電路發(fā)展 ? 21世紀后 20年，除 PC會繼續(xù)發(fā)揮影響外，與inter相結合的，可移動的，網絡化的，智能化的，多媒體的 實時信息設備和系統(tǒng)將是主要驅動力 ? 計算機，通信和消費電子產品的一體化也將是重要的驅動力。經研磨、拋光、切片后，即成半導體之原料 晶圓片 第一次光刻 — N+埋層擴散孔 ? 作用 1。高溫時在 Si中的擴散系數(shù)小， 以減小上推 3。形成 PMOS管的源、漏區(qū)及 P+保護環(huán) NSi P B+ 光刻 Ⅶ N+管場區(qū)光刻，刻去 N+管場區(qū)上的膠， N管場區(qū)注入，形成NMOS的源、漏區(qū)及 N+保護環(huán) 光刻膠 NSi P As 長 PSG（磷硅玻璃） PSG NSi P+ P P+ N+ N+ 光刻 Ⅷ 引線孔光刻，可在生長磷硅玻璃后先開一次孔，然后在磷硅玻璃回流及結注入推進后再開第二次孔 PSG NSi P+ P P+ N+ N+ 光刻 Ⅸ 引線孔光刻（反刻 AL），壓焊塊光刻 PSG NSi P+ P P+ N+ N+ VDD IN OUT P N S D D S 微電子器件工藝學講解內容 定義： 通過采用各種制造工藝技術組合按設計的器件結構和性能參數(shù)制作符合要求的器件 主要講解內容： 襯底制備，薄膜制備，摻雜技術，氧化技術，超凈室，光刻技術，電極制備及連接封裝技術 結束 。 VPE（ Vaporous phase epitaxy) 氣相外延生長硅 SiCl4+H2→Si+HCl 2。減小寄生 PNP管的影響 ? 要求 ： 1。一般晶圓制造廠，將多晶硅融解后，再利用硅籽晶慢慢拉出單晶硅晶棒。 由此可見這一領域競爭激烈的程度 。T公司的巴?。?J． Bardeen）、布拉頓（ W． H． Brattain）和肖克萊（ W． Shockley）做出了世界上第一個晶體三極管 ? 1960年，姜（ Kahng）和亞特拉（ Atalla）發(fā)明了金氧半場效應晶體管（ MOSFET） ? 1967年，姜（ Kahng）和施敏發(fā)明了一種非揮發(fā)性半導體存儲器，可以用于便攜式電子系統(tǒng) ? 1980年， Mimura等人發(fā)明了調制摻雜場效應晶體管，這是更快速德場效應晶體管 ? 1994年，
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