《微電子器件工藝學(xué)》ppt課件-全文預(yù)覽
【正文】 108 1996 256Mb 108 1999 1Gb 109 2022 2Gb 109 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（ DRAM）發(fā)展年表 發(fā)布年代 型號(hào) 晶體管數(shù) /個(gè) 特征尺寸 /μ m 1971 4004 2250 1972 8008 3000 1974 8080 4500 1976 8085 7000 1978 8086 29000 1982 80286 134000 1985 80386 275000 1989 80486 1202200 1993 Pentium 3100000 1995 Pentium Pro 5500000 1997 PentiumⅡ 7500000 1999 PentiumⅢ 24000000 2022 PentiumⅣ 42022000 2022 PentiumⅣ 55000000 微處理器發(fā)展年表 摩 爾 定 律 在 1960年 ， Intel 公司的創(chuàng)始人之一 Gordon ， 集成電路的功能隨時(shí)間呈指數(shù)增長(zhǎng)規(guī)律 1975年摩爾提出了關(guān)于集成電路集成度發(fā)展的“ 摩爾定律 ” ， 這個(gè)定律說 ， 集成度 (即電路芯片的電子器件數(shù) )每 18個(gè)月翻一番 ， 而價(jià)格保持不變甚至下降 。 主要挑戰(zhàn)： ? 1，超淺結(jié)的形成：器件尺寸小于 100nm ? 2，超薄氧化層 ,當(dāng)柵極長(zhǎng)度縮小至 130nm ? 3，硅化物的形成 ,降低寄生電阻，用硅化鈷或硅化鎳替代硅化鈦 ? 4，金屬連線的新材料，高電導(dǎo)率銅及低介電常數(shù)絕緣體或無機(jī)材料替代鋁 ? 5，功率限制，限制最大開關(guān)速率或每個(gè)芯片上的柵極數(shù)目，這和半導(dǎo)體材料的工作溫度有關(guān) ? 6， SOI工藝的整合，淺結(jié)由 SOI的厚度控制 ? 由 Intel為代表的多家公司正在開發(fā)“ 極端紫外 ” 光刻技術(shù)，用氙燈將波長(zhǎng)降至 ； ? IBM則致力于 X射線光刻技術(shù)研究工作 研究前沿 微電子工業(yè)的未來 ? 21世紀(jì)前 20年，以 PC 的需求驅(qū)動(dòng)集成電路發(fā)展 ? 21世紀(jì)后 20年，除 PC會(huì)繼續(xù)發(fā)揮影響外，與inter相結(jié)合的，可移動(dòng)的，網(wǎng)絡(luò)化的，智能化的，多媒體的 實(shí)時(shí)信息設(shè)備和系統(tǒng)將是主要驅(qū)動(dòng)力 ? 計(jì)算機(jī)，通信和消費(fèi)電子產(chǎn)品的一體化也將是重要的驅(qū)動(dòng)力。經(jīng)研磨、拋光、切片后，即成半導(dǎo)體之原料 晶圓片 第一次光刻 — N+埋層擴(kuò)散孔 ? 作用 1。高溫時(shí)在 Si中的擴(kuò)散系數(shù)小， 以減小上推 3。形成 PMOS管的源、漏區(qū)及 P+保護(hù)環(huán) NSi P B+ 光刻 Ⅶ N+管場(chǎng)區(qū)光刻，刻去 N+管場(chǎng)區(qū)上的膠， N管場(chǎng)區(qū)注入，形成NMOS的源、漏區(qū)及 N+保護(hù)環(huán) 光刻膠 NSi P As 長(zhǎng) PSG（磷硅玻璃） PSG NSi P+ P P+ N+ N+ 光刻 Ⅷ 引線孔光刻，可在生長(zhǎng)磷硅玻璃后先開一次孔，然后在磷硅玻璃回流及結(jié)注入推進(jìn)后再開第二次孔 PSG NSi P+ P P+ N+ N+ 光刻 Ⅸ 引線孔光刻（反刻 AL），壓焊塊光刻 PSG NSi P+ P P+ N+ N+ VDD IN OUT P N S D D S 微電子器件工藝學(xué)講解內(nèi)容 定義： 通過采用各種制造工藝技術(shù)組合按設(shè)計(jì)的器件結(jié)構(gòu)和性能參數(shù)制作符合要求的器件 主要講解內(nèi)容： 襯底制備，薄膜制備，摻雜技術(shù)，氧化技術(shù)，超凈室，光刻技術(shù)，電極制備及連接封裝技術(shù) 結(jié)束 。 VPE（ Vaporous phase epitaxy) 氣相外延生長(zhǎng)硅 SiCl4+H2→Si+HCl 2。減小寄生 PNP管的影響 ? 要求 ： 1。一般晶圓制造廠，將多晶硅融解后，再利用硅籽晶慢慢拉出單晶硅晶棒。 由此可見這一領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)激烈的程度 。T公司的巴?。?J． Bardeen）、布拉頓（ W． H． Brattain）和肖克萊（ W． Shockley）做出了世界上第一個(gè)晶體三極管 ? 1960年，姜（ Kahng）和亞特拉（ Atalla）發(fā)明了金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ MOSFET） ? 1967年，姜（ Kahng）和施敏發(fā)明了一種非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，可以用于便攜式電子系統(tǒng) ? 1980年， Mimura等人發(fā)明了調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管，這是更快速德場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ? 1994年，
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