【正文】 100 安培，則它允許的有效電流為 安培。時 （ 2） 觸發(fā)角為 60186。 五、作圖題（本題共 1 小題，共 16 分） 在三相半波整流電路中，如果 U相的觸發(fā)脈沖消失，試繪出在電阻負載下整流電壓 ud的 波形和 V相上晶閘管 VT2上的管壓降波形。 軟開關電路可以分為哪幾類？各有什么特點？（ 10 分） 答：根據(jù)電路中主要的開關 元件開通及關斷時的電壓電流狀態(tài)，可將軟開關電路分為零電壓電路和零電流電路兩大類；根據(jù)軟開關技術發(fā)展的歷程可將軟開關電路分為準諧振電路，零開關 PWM 電路和零轉換 PWM 電路 （ 4 分） 。 （ 12 分） 器 件 優(yōu) 點 缺 點 IGBT 開關速度高，開關損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅動，驅動功率小 開關速度低于電力 MOSFET,電壓，電流容量不及 GTO GTR 耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低 開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路復雜，存在二次擊穿問題 GTO 電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導調制效應， 其通流能力很強 電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低 電 力 MOSFET 開關速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題 電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過 10kW的電力電子裝置 試分析下圖間接交流變流電路的工作原理，并說明其局限性。（ ） 在單相全控橋整流電路中，晶閘管的額定電壓應取 U2。（ ） 逆變角太大會造成逆變失敗。 D、 180176。 D、 0186。 B、 10186。 A、同步電壓 B、控制電壓 C、脈沖變壓器變比 D、以上都不能 可實現(xiàn)有源逆變的電路為（ ）。 C、 360176。導電型 當溫度降低時，晶閘管的觸發(fā)電流會 、正反向漏電流會 ； 常用的過電流保護措施有 、 、 、 。 晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是 、 和 。 空 1 180。 （ 3 分） 波形繪制 （ 3 分） 試卷參考答案及評分標準 ( 3 卷 ) 課程名稱： 電力電子技術 選課課號： 適用專業(yè) /年級： 抽（命）題人： 考試方式： 閉卷 卷面總分： 100 分 一、填空題（ 本題 共 7 小題，每空 1 分，共 20 分） 空 1 GTR；空 2 GTO；空 3 MOSFET；空 4 IGBT；空 5 MOSFET；空 6 GTR。已知電感負載 L=、 α=60176。變壓器采用Δ /Y 接法。（ 2 分） 某一晶閘管，額定電壓為 300V，額定電流為 100A，維持電流為 4mA，使用在下圖所示的各電路中是否合理 ?說明其理由。 若增大 SPWM 逆變器的輸出電壓基波頻率，可采用的控制方法是 （ ） A、 增大三角波幅度 B、 增大三角波頻率 C、 增大正弦調制波頻率 D、 增大正弦調制波幅度 三相半波可控整流電路中，晶閘管可能承受的反向峰值電壓為（ ） A、 U2 B、 U2 C、 2 U2 D. U2 晶閘管電流的波形系數(shù)定義為 （ ） A、 B、 C、 Kf =IdT 在下圖中， _______和 ________構成降壓斬波電路使直流電動機電動運行，工作于第 1象限； _______和 _______構成升壓斬波電路，把直流電動機的動能轉變成為電能反饋到電源，使電動機作再生制動運行，工作于 ____象限。 功率因數(shù)由 和 這兩個因素共同決定的。 （ 1）觸發(fā)角為 60176。（要給出分析過程，分析依據(jù)） （ 12 分） 同步變壓器的鐘點數(shù)為 Y/Y10,4 晶 閘 管 VT1 VT2 VT3 VT4 VT5 VT6 主電路電壓 +Uu Uw +Uv Uu +Uw Uv 同 步 電 壓 UsU UsW UsV UsU UsW UsV 電路與波形如圖所示。 （ 3 分） 四、 作圖題（共 2 小題，每題 12 分，共 24 分） 三相全控橋，阻感負載，主回路整流變壓器 的接法是 D,y5，采用 NPN 管的鋸齒波觸發(fā)器，要求在整流與逆變狀態(tài)運行。區(qū)域，使直流端電壓 Ud 的極性與整流狀態(tài)時相反，才能把直流功率逆變成交流功率返送回電網(wǎng)。 其方法有二：（ 1）減小正向陽極電壓至某一最小值以下，或加反向 陽極電壓；（ 2）增加負載回路中的電阻。（ 7 分） 晶閘管導通的條件是：陽極承受正向電壓，處于阻斷狀態(tài)的晶閘管，只有在門極加正向觸發(fā)電壓，才能使其導通。 D、 0176?！?150 B、 0176。 逆變電路的負載如果接到電源，則稱為 逆變，如果接到負載，則稱為 逆變。在逆變電路的輸出頻率范圍劃分成若 干頻段，每個頻段內載波頻率與調制信號頻率之比為桓定的調制方式稱為 _____分段同步 _______調制。 考試試卷 ( 1 )卷 一、填空題（本題共 8 小題，每空 1 分，共 20 分） 電子技術包括 __信息電子技術 ___和電力電子技術兩大分支，通常所說的模擬電子技術和數(shù)字電子技術就屬于前者。 在 PWM 控制電路中，載波頻率與調制信號頻率之比稱為 ______載波比 _______，當它為常數(shù)時的調制方式稱為 _____同步 ____調制。 設三相電源的相電壓為 U2，三相半波可控整流電路接電阻負載時，晶閘管可能承受的 最大反向電壓為電源線電壓的峰值，即 ，其承受的最大正向電壓為 。 A、 1 個 B、 2 個 C、 3 個 D、 4 個 對于單相交交變頻電路如下圖，在 t1~t2 時間段內， P 組晶閘管變流裝置與 N 組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是（ ） A、 P 組阻斷， N 組整流 B、 P 組阻斷， N 組逆變 C、 N 組阻斷， P 組整流 D、 N 組阻斷， P 組逆變 電阻性負載三相半波可控整流電路中，控制角的范圍是（ ） A、 30176?！?125176。 A、 AC/AC B、 DC/AC C、 DC/DC D、 AC/DC 為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲時間，桓流驅動電路經(jīng)常采用（ ） A、 du/dt 抑制電路 B、抗飽和電路 C、 di/dt 抑制電路 D、吸收電路 已經(jīng)導通的晶閘管的可被關斷的條件是流過晶閘管的電流（ ） A、減小至維持電流以下 B、減小至擎住電流以下 C、減小至門極觸發(fā)電流以下 D、減小至 5A 以下 IGBT 是一個復合型的器件，它是（ ） A、 GTR 驅 動的 MOSFET B、 MOSFET 驅動的 GTR C、 MOSFET 驅動的晶閘管 D、 MOSFET 驅動的 GTO 三、簡答題（共 3 小題， 22 分） 簡述晶閘管導通的條件與關斷條件。 （ 3 分） 使導通了的晶閘管關斷的 條件是：使流過晶閘管的電流減小至某個小的數(shù)值－維持電流ＩＨ以下 。 （ 3 分） 簡述 實現(xiàn) 有源逆變的基本條件，并指出至少兩種引起有源 逆變失敗的原因 （ 7 分） （ 1）外部條件：要有一個能提供逆變能量的直流電源，且極性必須與直流電流方向一致，其電壓值要稍大于 Ud； （ 2 分） （ 2）內部條件：變流電路必須工作于 β90176。當逆變角太小時，也會發(fā)生逆變失敗。同步變壓器的的接法為 Y/Y10， 4 接法，如下圖所示，選擇晶閘管的同步電壓。 （ a）電路圖 （ b）輸入電壓 u2 的波形圖 五、計算題（共 1 小題，共 20 分） 電路如圖所示，單相全控橋式整流電路接大 電感負載， R=4Ω， U2=220V。 (1) (a)Ud==220cos600=99V （ 1 分 ） Id=Ud/R=99/4=（ 1 分） I2=Id= （ 1 分） IdVT=1800/3600Id=（ 1 分） IVT= （ 2 分） （ b）波形如圖 1 所示 （ 3 分） （ 2）（ a） Ud=（ 1+cosα） /2=220（ 1+cos600） /2=（ 1 分） Id=Ud/R=（ 1800α ） /3600Id= （ 1800600 ）/3600=（ 1 分） （ 1 分） （ 2 分） IdVD=2α/36