[工學(xué)]門電路課件-全文預(yù)覽
【正文】 VIL(max) 2I?1O? ?? VIL(max) RP ? ?RP 35K ? ?I?對(duì)于 74系列，當(dāng) RP=2K 時(shí)， 就達(dá)到 。 每個(gè)負(fù)載門電流 G1門電流 IIH 50 當(dāng) 小于 I?當(dāng) =， T T5均已導(dǎo)通， T1基極電位被鉗在 不再隨 RP增加，因 此 也不再隨 RP增加。 rce 49 例 ：計(jì)算 G1能驅(qū)動(dòng)的同類門的個(gè)數(shù)。 IIH ?輸入為 ?輸入為 ?輸入為其他電壓時(shí) IIL IIS 輸入電壓小于 ，計(jì)算 IIL的公式仍然成立 (把 VIL換為 ），是一直線方程。 噪聲容限： （二） TTL反向器的靜態(tài)特性 (117頁(yè)） 47 2. 輸入特性 IIL稱為 輸入低電平電流 。 iB= =20 所以， T2飽和。 T4導(dǎo)通，忽略 R2壓降，可求出 ==VOH O?I? =VIL: 二、 TTL反向器的電路結(jié)構(gòu)、工作原理和特性 TTL (TransistorTransistor Logic):晶體管 —晶體管邏輯電路。 注意：三極管飽和越深，由飽和到截止的延遲時(shí)間越長(zhǎng)。 38 五、 CMOS數(shù)字電路的各種系列 39 一、雙極型三極管（ BJT)的開關(guān)特性 可用輸入輸出特性來描述。 (1)輸入端接低內(nèi)阻信號(hào)源； (2)輸入端接有大電容； (3)輸入端接長(zhǎng)線。 36 四、 CMOS電路的正確使用 CMOS電路的輸入保護(hù)電路承受靜電電壓和脈沖功率的能力有限。 33 將電壓傳輸系數(shù)定義如下： KTG= = O?I? TGLLRRR? 采用改進(jìn)電路的 CMOS四模擬開關(guān) CC4066在 VDD=15V時(shí)， RTG值不大于 240?。 TG OI ?? / IO ?? /C C’ 傳輸門可雙向傳輸。 只有一個(gè)門輸出低電平是最不利情況。 RL在求出的范圍內(nèi)取值。 總線電位用 表示。 符號(hào)： A B Y 內(nèi)部邏輯可以變化。( BABABAY ????28 普通 CMOS門不能接成 線與 形式。39。)39。39。 特點(diǎn)： P溝道管串聯(lián)、 N溝道管并聯(lián)； 2RON RON/2 1 1 RON R0N 0 1 RON RON 1 0 RON/2 2R0N 0 0 RO（與非 ) RO（或非） B A 輸出高電平偏低 輸出低電平偏高 此外，輸入狀態(tài)還會(huì)影響這兩個(gè)門的電壓傳輸特性。 定量估算可得動(dòng)態(tài)功耗 PC的公式： PC=CLfV2DD 負(fù)載電容經(jīng) T T2充、放電，也會(huì)產(chǎn)生功耗。 用 tPHL和 tPLH的平均值 tPD表示延遲作用，稱為平均傳輸延遲時(shí)間。 23 (2) 輸出高電平 DS?DS?Di0 0 IOH VDD VOH VOH= + VDD DS? 與輸出低電平類似，此時(shí) T1工作在可變電阻區(qū)；當(dāng)負(fù)載電流增加時(shí)， T1的 VDS加，導(dǎo)致輸出下降。 21 由于 MOS管柵極絕緣，輸入電流恒為 0，但 CMOS門輸入端接有保護(hù)電路，從而輸入電流不為 0。 由于特性對(duì)稱，閾值電壓為 VDD的一半。 CC4000系列 CMOS電路的 VDD可在 3－ 18V之間選取。 要求兩管特性完全一樣 T2截止； T1導(dǎo)通。 ?輸入低電平為 0V；高電平為 VDD。 二 . CMOS反相器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理 ComplementarySymmetry MOS .互補(bǔ)對(duì)稱式 MOS電路。 中規(guī)模集成電路 MSI: Medium Scale Integration。英文Integrated Circuit,簡(jiǎn)稱 IC。 由于是單極型器件，無電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。 OND RR ??若 ，則 回下頁(yè) CCDONONO VRRR???VDD RON 12 D ?靜態(tài)特性 —三個(gè)工作區(qū)。 ?輸入特性可不討論。 空間電荷區(qū) 截止區(qū) VDS=0V出現(xiàn)溝道。而溝道越厚，管子的 導(dǎo)通電阻 RON越小。 VGS(th)稱為開啟電壓 ，與管子構(gòu)造有關(guān)。 它是由于二極管正向?qū)〞r(shí) PN結(jié)兩側(cè)的多數(shù)載流子擴(kuò)散到對(duì)方形成電荷存儲(chǔ)引起的。（見右側(cè)電路圖） 有三種簡(jiǎn)化方法： 輸入信號(hào)慢變化時(shí)的特性。 本章介紹兩類門電路。 負(fù)邏輯： 0代表高電平； 1代表低電平。1 VCC 0V 第三章 門 電 路 第一節(jié) 概述 門電路：實(shí)現(xiàn)基本邏輯運(yùn)算和復(fù)合邏輯運(yùn)算的單元電路。 正邏輯： 1代表高電平； 0代表低電平。 其中包括介紹晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的 開關(guān)特性 。 【 題 】 ， 【 題 】 ， 【 題 】 ， 【 題 】 ， 【 題 】 ， 【 題 】 3 第二節(jié) 半導(dǎo)體二極管門電路 一、二極管的開關(guān)特性 ?伏安特性 ?等效電路 在數(shù)字電路中重點(diǎn)在判斷二極管開關(guān)狀態(tài)，因此必須把特性曲線簡(jiǎn)化。 輸入信號(hào)快變化時(shí)的特性。 Y A Y 7 三、二極管或門 A B Y 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 VA VB VY 0 0 0 0 3 3 0 3 3 D1,D2截止 D1,D2導(dǎo)通 D1截止 ,D2導(dǎo)通 D1導(dǎo)通 ,D2截止 A B Y 8 G S D 一 .MOS管的開關(guān)特性 (MetalOxideSemiconductor FieldEffect Tran
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