[理學(xué)]第6章 波形的產(chǎn)生和變換-全文預(yù)覽
【正文】 C1 串聯(lián)阻抗： R2C2 并聯(lián)阻抗： 212ofZZZUUF+???頻率特性： ++ ++Ru+ofu+12RC12C模擬電子技術(shù) )1j()1(1j1j1j11221211222211222CRCRRRCCCRRCRCRRF??????+++?++++??通常，取 R1＝ R2＝ R， C1＝ C2＝ C，則有： )j(3100 ?????+??F式中： RC10 ??可見：當 時， │F│最大，且 =0176。 Fj當 ω↓時， uf=↑， │F│↑ ↓ Fj+ +++ouf u+2C+1R0 ?|F| 0 ?φF 90176。 R1 11C? R2 21C?其低頻等效電路為： 其頻率特性為： 當 ω=0時， uf=0， │F│=0 =+90176。 3. 選頻網(wǎng)絡(luò) ——只對一個頻率滿足振蕩條件， 從而獲得單一頻率的正弦波輸出。 起振時， Uo=0；穩(wěn)定振蕩時， Uo=B。 ——自激振蕩 模擬電子技術(shù) FA=1 Xid=Xf 所以，自激振蕩條件也可以寫成： 自激振蕩的條件： （ 1）振幅條件： 1|| ?AF（ 2）相位條件： p j j n F A 2 ? + n是整數(shù) 1..?FAAAA j?? ||因為： FFF j?? ||. . X id o f 基本放大器 A 反饋網(wǎng)絡(luò) F X X 模擬電子技術(shù) 起振條件： iouuAu ?ofuuFu ? π2AF n?j放大器 Au 反饋網(wǎng)絡(luò) Fu Uo Uf Ui 1/Fu Au = 1/Fu O ui uo Au uo Au Fu 1 Au Fu 1 Ui1 Uo1 Uf1 Ui2 Uo2 Uf2 Ui3 Uo3 Uf2 Ui4 Uo4 uf uf 起振 穩(wěn)幅 1?AF? ? 模擬電子技術(shù) Uo是振蕩器的輸出電壓，設(shè) B為要輸出的電壓。 2. 正反饋網(wǎng)絡(luò)。 三 .正弦波振蕩器的一般組成 模擬電子技術(shù) 放大器 選頻正 反饋網(wǎng)絡(luò) Uo Uf Ui 選頻 放大器 正反饋 網(wǎng)絡(luò) Uo Uf Ui 判斷 : 1. 檢查電路組成 2.―Q‖點是否合適 3. 是否滿足起振條件 模擬電子技術(shù) RC正弦波 振蕩電路 一 . RC 串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的選頻特性 R1C1 串聯(lián)阻抗： 212ofZZZUUF+???)j/1( 111 CRZ ?+?222222j1 )j/1//(CRRCRZ??+??R2C2 并聯(lián)阻抗： 選頻特性： ++ ++Ru+ofu+12RC12C模擬電子技術(shù) ： （ 1）當信號的頻率很低時。 ＜＜ R1 11C?＜＜ R2 21C?其高頻等效電路為： 其頻率特性為： 當 ω=∞時， uf=0， │F│=0 =90176。 0 ?|F| 0 ?φF 90176。 當 uo幅度自激增長時， Rt減小， A小。 u10k －++A∞fu10k10k39k100kotR模擬電子技術(shù) 能自動穩(wěn)幅的振蕩電路 起振時 D D2不導(dǎo)通，Rf1+Rf2略大于 2R1。 +270176。 270176。 模擬電子技術(shù) 3. 等效電路 rq C0 Cq Lq Lq — 晶體的動態(tài)電感 (103 ~ 102 H)(大 ) Cq — 晶體的動態(tài)電容 ( pF)(小 ) rq — 等效摩擦損耗電阻 (小 ) 1qqq CLrQ ?Co — 晶片靜態(tài)電容 (幾 ~ 幾十 pF) 模擬電子技術(shù) 1qqq CLrQ ?大 小 小 大 4. 頻率特性和諧振頻率 f X fP fS 容性 容性 感性 21 qqS CLf p
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