[工學(xué)]第5章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器-全文預(yù)覽
【正文】 3W2W1W0地址譯碼器讀寫 及 輸入 /輸出控制I / O1 I / O0CS R / WA0A1D1 D0 D0存儲(chǔ)矩陣一、存儲(chǔ)器的整體結(jié)構(gòu) ()20WiD D符號(hào)二、基本存儲(chǔ)單元 :21四、 RAM組件 常用 RAM組件的類型很多，以下介紹兩種： RAM2114和 RAM6116。15例：用 ROM設(shè)計(jì)一組合邏輯電路，用來產(chǎn)生邏輯函數(shù)解：將函數(shù)化為最小項(xiàng)之和形式后得到16取 24 ?4ROM17隨機(jī)存儲(chǔ)器又稱讀寫存儲(chǔ)器。 它一般用 [ 存儲(chǔ)字?jǐn)?shù)： 2N ] ?[ 輸出位數(shù)： M ] 來表示 ( 其中 N為存儲(chǔ)器的地址線數(shù) )。字線位線熔斷絲 若將熔絲燒斷，該單元?jiǎng)t變成 “0”。 只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )6存儲(chǔ)矩陣位線輸出電路字線二極管ROM的電路結(jié)構(gòu)固定 ROM70 00 1011 1 1 1 010 11 11 00 000 1 1地 址A1 A0 D3 D2 D1 D0內(nèi) 容給出任意一個(gè)地址碼，與之對(duì)應(yīng)的四位數(shù)字量輸出情況。由疊柵 MOS制成。由浮柵隧道氧化層 MOS (Float MOS)制成。 109位 /片，存取 10ns4RAM的分類SRAM：靜態(tài) RAM，集成度低速度高DRAM：動(dòng)態(tài) RAM，集成度高速度低，需要定期刷新。操作復(fù)雜、速度慢。 概述3ROM的分類掩膜 ROM： 不能改寫，由二極管或 MOS管制成。 存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展167。電子技術(shù)數(shù)字電路部分第五章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和可編程邏輯器件1第五章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和可編程邏輯器件167。 隨機(jī)存儲(chǔ)器 ( RAM )167。(2) 隨機(jī)存儲(chǔ)器 ( RAM: Random Access Memory )(1) 只讀存儲(chǔ)器 ( ROM :Read Only Memory)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為兩大類：167。由 FAMOS、 SIMOS 制成。用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。加電壓位置不同，可以改寫多次。速度快、可靠性好、集成度高、容量大、成本低，可以改寫多次。 ROM的基本結(jié)構(gòu)及工作原理 基本結(jié)構(gòu) :地址譯碼器 、 存儲(chǔ)矩陣 和 輸出電路167。 PROM
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