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無機材料物理性能第6講-全文預覽

2025-02-05 15:11 上一頁面

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【正文】 些位壘的體積平均值就是載流子的活化能 。 摻入施主雜質的半導體稱為 n半導體 , 摻入受主雜質的半導體稱為 p半導體 。 載流子濃度 根據(jù)能帶理論,只有導帶中的電子或價帶之間的空穴才能參與導電。 電子遷移率 散射的兩個原因 晶格散射 晶格振動引起的散射叫做晶格散射;溫度越高 ,晶格振動越強 , 對載流子的晶格散射也將增強 , 遷移率降低 。 電子遷移率 ? 平均自由運動的時間的長短 τ是由載流子的散射強弱決定 。 低溫下,雜質電導占 主要地位 (曲線 1); 高溫下,固有電導起主要作用。 載流子濃度 晶體的熱缺陷主要有兩類: 弗侖克爾缺陷 肖特基缺陷 離子電導 ?雜質電導:由固定較弱的離子 ( 雜質 ) 離子 的運動造成 。 電導的物理特性 電導的物理特性 遷移率和電導率的一般表達式 Ev???? ??iiiiii qn ???離子電導 本征電導 :源于晶體點陣的基本離子的運動 ,高溫下特別顯著 。 霍爾效應 現(xiàn)象 :沿 x軸通入電流 , z方向上加磁場 , y方向上將產(chǎn)生電場 。 V) (S/ cm 2 ?? Ev? ?? en?不同材料的電導率 ?差異巨大,橫跨 27個數(shù)量級 ?導體: 107Ω1m1 ?半導體: 106~104Ω1m1 ?絕緣體: 101~1020Ω1m1 電導的宏觀參數(shù) 體積電阻和體積電阻率 SV III ??SV RRR111 ??電流 : 電阻 : VV IVR ?SS IVR ?ShR vv ??體積電阻 Rv反映材料的導電能力,與材料性質及樣品幾何尺寸的關系 : 電導的宏觀參數(shù) h- 板狀樣品的厚度 (cm) S- 板狀樣品的電極面積 (cm2) ρ v- 體積電阻率 ,為描寫材料電阻 性能的參數(shù) 電導的宏觀參數(shù) 體積電阻和體積電阻率 管狀試樣 12ln21221 rrlxldxR vrr vv ???? ?? ?電導的宏觀參數(shù) 體積電阻和體積電阻率 圓片式樣體積電阻率的測量 g 21rhShIVRvvv ??? ???IVhrv ??21??電導的宏觀參數(shù) 片狀試樣 電導的宏觀參數(shù) 精確測定結果 : 221 )(4 rrS ???IVhrrv ???4)( 221??? ? 2214rrhRvv ??? ??電導的宏觀參數(shù) 表面電阻和表面電阻率 板狀式樣 電導的宏觀參數(shù) 圓片試樣 V I a b g r1 r2 ????2)l n(21221rrxdxR srrss ???? ?電導的物理特性 載流子 : 具有電荷的自由粒子 , 在電場作用下可產(chǎn)生電流 。用此可檢驗材料中是否存在離子電導 。 固有電
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