【正文】 機(jī)殼上開(kāi)口的電磁泄漏與開(kāi)口的尺寸、輻射源的特性和輻射源到開(kāi)口的距離有關(guān)。機(jī)殼上的接縫、開(kāi)口等都是電磁波的泄漏源。 ? 電磁屏蔽對(duì)屏蔽體的導(dǎo)電性要求要比靜電屏蔽高得多。 ? 電磁屏蔽與靜電屏蔽的不同 電磁屏蔽指的是對(duì)電磁波的屏蔽，而靜電屏蔽指的是對(duì)靜電場(chǎng)的屏蔽。對(duì)于 30MHz以上更高的頻率，通常應(yīng)主要考慮電場(chǎng)分量，在后一種情況下，非鐵磁性材料，諸如鋁或銅，能提供更好的屏蔽，因?yàn)檫@種材料的表面阻抗很低。 應(yīng)當(dāng)注意，低頻電磁波比高頻電磁波有更高的磁場(chǎng)分量。然而，應(yīng)當(dāng)記住，不能只考慮導(dǎo)電性，其理由就在于，電磁波不但有電場(chǎng)分量，還有磁場(chǎng)分量。 這種物理過(guò)程被稱為吸收； x 在屏蔽體內(nèi)尚未衰減掉的剩余能量 ， 傳到材料的另一表面時(shí) ， 在遇到金屬與空氣不連續(xù)的交界面時(shí) ， 會(huì)形成再次反射 ， 并重新返回屏蔽體內(nèi) 。但從屏蔽體能兼有防止電場(chǎng)感應(yīng)的目的出發(fā)，一般還是要接地的。反之，如果要屏蔽內(nèi)部強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)，則材料排列次序要倒過(guò)來(lái)。 ? 磁場(chǎng)屏蔽主要是依賴高導(dǎo)磁材料所具有的低磁阻，對(duì)磁通起著分路的作用，使得屏蔽體內(nèi)部的磁場(chǎng)大大減弱。???C1′ 電場(chǎng)屏蔽的設(shè)計(jì)要點(diǎn) ? 為了獲得良好的電場(chǎng)屏蔽效果 ， 注意以下幾點(diǎn)是必要的： 屏蔽板以靠近受保護(hù)物為好 ， 而且屏蔽板的接地必須良好 。 電場(chǎng)屏蔽的原理 A A B B C1 C2 UA UB UA S C2 C3 C4 圖 1：電場(chǎng)感應(yīng)示意圖 圖 2：電場(chǎng)屏蔽作用的分析 39。由于增加了對(duì)RFI/EMI能量的反射和吸收的總和，使所傳輸?shù)碾姶拍芰繙p小。如果高頻信號(hào)波長(zhǎng)時(shí)，屏蔽效能將進(jìn)一步降低。對(duì)于較低頻率或較長(zhǎng)波長(zhǎng)來(lái)說(shuō)，如果只有一個(gè)小孔則不會(huì)明顯降低屏蔽效能；對(duì)于高頻或較短波長(zhǎng)來(lái)說(shuō)，屏蔽效能的下降將是很劇烈的。 電磁波感應(yīng)的電流沿著電阻最小的路徑并繞著無(wú)縫金屬機(jī)殼外表面運(yùn)行，但遇到任何一個(gè)連接面時(shí)，該電流寧愿繞過(guò)一個(gè)面進(jìn)入內(nèi)部而不越過(guò)窄縫隙到達(dá)另一個(gè)面，如圖 。 當(dāng)電磁波在導(dǎo)電體內(nèi)引起感應(yīng)電流時(shí)，如果該導(dǎo)電體是由良好導(dǎo)體制成，此電流不會(huì)穿透該導(dǎo)電體。 RFI/EMI也可由進(jìn)入敏感設(shè)備的導(dǎo)線和電纜進(jìn)行輻射，任何一個(gè)良好的電磁能量輻射器也可以作為良好的接收器。 ①傳導(dǎo) RFI/EMI可以通過(guò)信號(hào)線、天線饋線、電源線、甚至通過(guò)RFI/EMI敏感設(shè)備之間的接地線進(jìn)行傳導(dǎo)。這時(shí)電力線不再保證全部是連續(xù)的，從約 100MHz頻率開(kāi)始，電場(chǎng)屏蔽效能將逐漸減小，而磁場(chǎng)屏蔽效能則不再增加。在相應(yīng)的頻率范圍中符合一定的規(guī)則。這種干擾不能靠簡(jiǎn)單的屏蔽機(jī)殼來(lái)防止，而只能用適當(dāng)?shù)木€路濾波器來(lái)保護(hù)有用信號(hào)不受損害。 信號(hào)強(qiáng)度的衰減與 屏蔽衰減極限值的判定 ? 表 ? 表 dB 衰減的百分比 10 90 20 99 30 40 50 60 70 dB 評(píng)價(jià) 0～ 10 屏蔽很少 10～ 30 有意義的屏蔽的下限 30～ 60 平均屏蔽量 60～ 90 屏蔽較好 90～ 120 屏蔽很好 120以上 現(xiàn)有技術(shù)的極限 用于屏蔽的金屬電導(dǎo)率 σr/相對(duì)磁導(dǎo)率 μr 特性 金屬 相對(duì)電導(dǎo)率 σr 相對(duì)磁導(dǎo)率 μr 銀 1 銅 1 鋁 1 鋅 1 黃銅 1 鎳 1 鐵 1000 銅 1000 化學(xué)鍍鎳 1 （ 1）干擾場(chǎng) ? 干擾能量沿著導(dǎo)線和自由空間傳播。當(dāng)開(kāi)口的長(zhǎng)度達(dá)到 λ/4時(shí) ， 就變成效率很高的輻射體 ，能夠?qū)⒄麄€(gè)屏蔽體接收到的能量通過(guò)開(kāi)口發(fā)射出去。 ? 開(kāi)口效應(yīng) 當(dāng)一束電磁波碰到屏蔽體時(shí)，在表面上感應(yīng)出電流。 。 μr屏蔽材料的相對(duì)導(dǎo)磁率； σr屏蔽材料的相對(duì)導(dǎo)電率； f頻率， Hz。屏蔽效能與場(chǎng)強(qiáng)衰減的關(guān)系如表： 屏蔽效能與場(chǎng)強(qiáng)衰減的關(guān)系 屏蔽效能越高，每增加２０ｄＢ的難度越大。入射波的一部分在屏蔽體的前表面反射，另一部分被吸收，還有一部分在后表面反射，如圖 17所示。反過(guò)來(lái)，用能將電磁波中電矢量短路的 高導(dǎo)電性金屬 能夠屏蔽電場(chǎng)波和平面波。 在設(shè)計(jì)屏蔽控制輻射時(shí)，這個(gè)概念十分有用。 ? 近場(chǎng)波的特性主要由源特性決定，而遠(yuǎn)場(chǎng)波的特性由傳播媒介決定。 屏蔽的原理 2 ? 按照到源的距離，電磁波可以進(jìn)一步分為兩種， 近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng) 。例如，環(huán)天線中流動(dòng)的電流與較低的驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)應(yīng)。源的種類賦予了場(chǎng)一些特征，如 輻射幅度、距離源的距離 和 電磁波傳輸?shù)拿浇榈奶匦?都會(huì)影響場(chǎng)與屏蔽之間的相互作用。麥克斯威爾、法拉第和其它人在電子學(xué)之前就建立了描述電場(chǎng)和磁場(chǎng)的基本方程式。這種材料的屏蔽效能就是兩個(gè)值的比值。在密封的屏蔽盒內(nèi)放置接收天線的裝置如圖１－５所示。大多數(shù)輻射測(cè)試是在開(kāi)闊場(chǎng)中進(jìn)行，開(kāi)闊場(chǎng)是精心選擇的，其電磁背景很低，周圍沒(méi)有反射物，如建筑物。被測(cè)系統(tǒng)要放在轉(zhuǎn)臺(tái)上，這樣可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)來(lái)找到最大輻射信號(hào)。 手機(jī)電磁兼容的要求 YD 800MHzCDMA數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信系統(tǒng)電磁兼容性要求和測(cè)量方法 第一部分：移動(dòng)臺(tái)及其輔助設(shè)備 GB/T –1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 靜電放電抗擾度試驗(yàn) GB/T –1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn) GB/T –1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn) GB/T –1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn) GB/T –1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn) GB/T –1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn) ISO7637–1（ 1990） 車輛 傳導(dǎo)和耦合的電氣騷擾 第一部分 帶有12V額定電壓電源的客車和小型商用交通工具 僅沿電源線的瞬態(tài)傳導(dǎo) ISO7637–2（ 1990） 車輛 傳導(dǎo)和耦合的電氣騷擾 第二部分 帶有24V額定電壓電源的客車和商用交通工具 僅沿電源線的瞬態(tài)傳導(dǎo) 電磁兼容指標(biāo)測(cè)試的方法 ? 現(xiàn)有的規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)對(duì)產(chǎn)品輻射的電場(chǎng)強(qiáng)度的極限值是在３ m、１０ m或３０ m處規(guī)定的。一般來(lái)說(shuō)，高速數(shù)字電路比統(tǒng)的模擬電路產(chǎn)生更多的干擾 電磁兼容的技術(shù) ? 使設(shè)備達(dá)到電磁兼容狀態(tài)的技術(shù)有哪些？ 為了使設(shè)備或系統(tǒng)達(dá)到電磁兼容狀態(tài)，通常應(yīng)用印制電路板設(shè)計(jì)、屏蔽機(jī)殼、電源線濾波、信號(hào)線濾波、接地、電纜設(shè)計(jì)等技術(shù)。這個(gè)電流與工作電流無(wú)關(guān)，但是電路會(huì)象與工作電流一樣來(lái)接收這個(gè)電流并發(fā)生響應(yīng)。 干擾源 ： 既可以是受干擾系統(tǒng)中的一部分，也可以是完全電氣隔離的單元。另一類電磁兼容問(wèn)題，設(shè)備雖然沒(méi)有直接受到干擾的影響，仍達(dá)不到規(guī)定的功能性指標(biāo)，但不能通過(guò)國(guó)家的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)，如手機(jī)等設(shè)備產(chǎn)生超過(guò)電磁發(fā)射標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的極限值，或在電磁敏感度、靜電敏感度等方面達(dá)不到要求。如裝于機(jī)殼 ]內(nèi)的由微處理器構(gòu)成的控制電路受到裝在同一個(gè)機(jī)殼內(nèi)的馬達(dá)的干擾的問(wèn)題。 輻射干擾 ：當(dāng)一個(gè)器件發(fā)射的能量，通常是射頻能量，通過(guò)空間到達(dá)敏感器時(shí)。這個(gè)定律表明當(dāng)一個(gè)變化的電場(chǎng)作用于一個(gè)導(dǎo)體時(shí)，在這個(gè)導(dǎo)體上會(huì)感應(yīng)出電流。它們更快的同步操作產(chǎn)生更尖的電流脈沖，這會(huì)帶來(lái)從Ｉ／Ｏ端口產(chǎn)生 寬帶發(fā)射 的問(wèn)題。另外北京瑞特電子技術(shù)公司編輯的 《 電磁兼容與電磁干擾抑制技術(shù) 》 刊物，提供了實(shí)用而新穎的內(nèi)容。 被測(cè)設(shè)備所處的狀態(tài)必須與實(shí)際使用狀態(tài)相同，Ｉ／Ｏ接口與適當(dāng)?shù)耐庠O(shè)連接。 開(kāi)闊測(cè)試 ? 這種測(cè)試也可以在半無(wú)反射室中進(jìn)行，但一個(gè)合適的測(cè)試室其尺寸和成本都是可觀的。屏蔽盒是最先開(kāi)發(fā)的方法之一。被測(cè)材料的樣品牢固地夾在盒子的開(kāi)口上，記錄下發(fā)射天線處的場(chǎng)強(qiáng)和接收天線處的場(chǎng)強(qiáng)。 屏蔽原理 1 ? 電磁波理是經(jīng)典的理論。 有許多因素會(huì)影響電磁能量源周圍的場(chǎng)。 源上的驅(qū)動(dòng)電壓決定了干擾的特性。這時(shí)，稱為平面波，作為參考， 1MHz的波長(zhǎng)是 300m。 ? 源與過(guò)渡區(qū)是近場(chǎng)，超過(guò)這點(diǎn)為遠(yuǎn)場(chǎng)。高電壓、小電流的源產(chǎn)生電場(chǎng)為主的波。 屏蔽的原理 3 ? 用能將磁通分流的高導(dǎo)磁率鐵磁性材料可以屏蔽 200KHz以下的 低阻抗波 。對(duì)于任何電磁干擾，屏蔽作用由三種機(jī)理構(gòu)成。 屏蔽效能 ? 電磁屏蔽的效果如何評(píng)價(jià)？ 屏蔽體的有效性用屏蔽效能（ＳＥ）來(lái)表示，屏蔽效能的定義為： ＳＥ＝２０ lg(E1/E2) dB 式中，Ｅ１是沒(méi)有屏蔽體時(shí)測(cè)得的場(chǎng)強(qiáng)，Ｅ２是有屏蔽體時(shí)測(cè)得的場(chǎng)強(qiáng)。 ? SE=A+R+B