《薄膜晶體硅太陽能電池行業(yè)報(bào)告》-全文預(yù)覽
【正文】 ber 2020. 上一頁 【 1】【 2】【 3】 。而對于多晶薄膜太陽能電池，由于襯底成本非常低，可以預(yù)期的超過 7%的效率就已經(jīng)在商業(yè)化所需的正確方向上了?，F(xiàn)在還很難預(yù)測到底哪一種制造方法將最終勝出。 然而，雖然所獲得的 Voc （ 506 mV）和填充因子（ 71%）可謂達(dá)到了目前最好的工藝水平，但是電流密度（ mA/cm2）和電池效率對于商業(yè)化而言仍然太低。通過對電池前表面進(jìn)行粗糙 處理，可以降低電池的前反射率，并更好地將光耦合到電池中，從而能夠更有效地俘獲光子。兩種接觸類型的開路電壓（ Voc）基本相當(dāng)，但是叉指狀接觸的電池在短路電流（ Jsc）和填充因子方面的表現(xiàn)要好得多?？梢允褂貌煌墓に囆蛄衼慝@得這種新穎的接觸結(jié)構(gòu)。 大多數(shù)適用于多晶硅太陽能電池的高溫襯底都是絕緣體，所以必須開發(fā)新的金屬接觸方案以避免使用背接觸。需要指出的是，在這種工藝中硅不需要重新熔化。對于多孔硅而言，在多晶襯底上生長的外延層質(zhì)量較差，這個(gè)事實(shí)可以解釋性能下降的原因。也就是說， 15 mm薄層的光學(xué)表現(xiàn)相當(dāng)于厚度為210mm的硅層。 在實(shí)踐中，這種反射器是通過電化學(xué)生長孔隙率高低交替變化的多孔硅疊層（多重布拉格反射器）來制作的。這樣一來，到達(dá)該界面的光子就會(huì)被反射而第二 次穿過有源層。等離子體粗糙處理的優(yōu)點(diǎn)很多，包括更低的反射（從粗糙處理之前的 35%下降到 10%）、斜入射光耦合和更低的接觸電阻（因?yàn)楣枰r底和銀電極之間的接觸面積更大）。這使得光子能夠以 60176。 然而，兩項(xiàng)獨(dú)立的電池級(jí)開發(fā)成果已經(jīng)使這種狀況有所改善 2。然而，短路電流（ Jsc ）受限于薄的光學(xué)有源層（ 20mm）。然而，最近的一些研究結(jié)果已經(jīng)在正確的方向上又前進(jìn)了必要的一步。然而這樣的選擇卻限定了只能使用陶瓷等耐熱襯底材料。我們已經(jīng)證實(shí)，利用非晶硅的鋁誘導(dǎo)晶化可以獲得高質(zhì)量 的多晶硅太陽能電池。這種技術(shù)的思路是多次重復(fù)利用母襯底，從而使每個(gè)太陽能電池的最終硅片成本很低。 薄膜 PV 基礎(chǔ) 第一種技術(shù)是制作外延（ epitaxial）薄膜太陽能電池（圖 1），從高摻雜的晶體硅片（例如優(yōu)級(jí)冶金硅或廢料）開始，然后利用化學(xué)氣相淀積（ CVD）方
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