【正文】 000K。 在實(shí)際的噪聲計(jì)量和測(cè)試中 , 噪聲量值用超噪比 (EN R ) 來表示 , 單位為 dB。當(dāng) ? 《 a? 時(shí) , 功率譜密度與頻率無關(guān) , 近似為白噪聲。 噪聲源 顧名思義，噪聲源即產(chǎn)生噪聲的根源，是指能夠獲得高頻噪聲的部件。噪聲系數(shù)與增益無關(guān)，夾雜在信號(hào)中的噪聲經(jīng)過放大器后，將和信號(hào)同時(shí)被放大相同的倍數(shù)， 等效噪聲溫度 從前 面的分析可以知道，電阻引起的熱噪聲功率表達(dá)式非常簡(jiǎn)單，為了方便計(jì)算二端口網(wǎng)絡(luò)的噪聲系數(shù)，人們引入了等效噪聲溫度的概念，將網(wǎng)絡(luò)的噪聲功率用電阻在不同溫度下的熱噪聲功率來表征。值得注意的是，噪聲系數(shù)的概念只適用于處理信號(hào)的網(wǎng)絡(luò)。兩者之間的關(guān)系為 NF=10lgF （ 218） 從上述公式可以看到，噪聲系數(shù) NF 為噪聲因子 F 的對(duì)數(shù)，單位為 dB,而噪聲因子 F 沒有單位。 如將白噪聲加在傳輸函數(shù) H（ f）的線性系統(tǒng)的輸入端，則輸出噪聲頻譜密度)(0 fG 為 220 )(2)()()( fHfGfHfG n ??? （ 214） 則輸出噪聲功率為 dffHdffGN out 200 )()( ?? ?? ?? ?? ? （ 215） 假設(shè)相同的噪聲來自帶寬為 B、零頻率響應(yīng)為 H（ 0）的理想低通濾波器，則有 BHdffHN out 220 )0()( ?? ?? ? ? （ 216） 式中， H（ 0）為傳輸函數(shù)在中心頻率處的數(shù)值，由式（ 215）和式（ 216）即可得到等效帶寬的表達(dá)式： 8 dffHHB 202 )()0(1 ? ?? （ 217） 二端口網(wǎng)絡(luò)的噪聲系數(shù) 接收系統(tǒng)輸出端的信噪比是通信系統(tǒng)中的一個(gè)非常重要的指標(biāo)，輸出端的信噪比取決于系統(tǒng)輸入信噪比與噪聲系數(shù)。在雙 7 極晶體管中閃爍噪聲主要在發(fā)射極 基極耗盡區(qū)域由污染引起的陷阱和晶格缺陷所致。 在場(chǎng)效應(yīng)晶體管的噪聲等效電路模型中， gsC , gdC 和 dsC 分別為柵極 源極、柵極 漏極和源極 漏極本征電容， Ri 為本征溝道電阻， mg 和 dsg 分別為跨導(dǎo)和漏極輸出電容， T 為和跨導(dǎo)相關(guān)的時(shí)間延遲， 2gi 為柵極感應(yīng)噪聲，表達(dá)式為： 2gi =4kT fg RCmgs ?)( 2? （ 28） 2di 為漏極溝道噪聲，表達(dá)式為 fPkTgi md ?? 42 （ 29） 2gLi 為柵極漏電流引起的散彈噪聲，表達(dá)式為 gLgL qIi ?22 ? （ 210） 從（ 25）看出，與散彈噪聲不同，柵極感應(yīng)噪聲和頻率的平方 成正比，頻率越高，噪聲電流越大，對(duì)器件噪聲的貢獻(xiàn)也越大。 散彈噪聲 散彈噪聲又稱 Schottky 噪聲，是由固態(tài)器件中穿越半導(dǎo)體結(jié)或者其他不連續(xù)界面的離散隨機(jī)電荷載流子運(yùn)動(dòng)引起的。所有電子運(yùn)動(dòng)的總結(jié)果形成通過導(dǎo)體的電流。如果把 V 噪聲使用 V2 噪聲／ R 終端轉(zhuǎn)換成功率，其中R 終端是噪聲終端電阻，然后乘以以 Hz 為單位的總帶寬，則所得的整個(gè)帶寬上的總噪聲功率 對(duì)低噪聲應(yīng)用可能是不可接受的。 在室溫下，可簡(jiǎn)化為下面的表達(dá)式： RV 4?噪聲 (25) 圖 21 所示為電阻在 25℃ 時(shí)，在 50Ω 終端電阻上產(chǎn)生的熱噪聲功率。（ 273℃ 或 Ok）的任何溫度下，物質(zhì)中的電子都在持續(xù)地?zé)徇\(yùn)動(dòng)。應(yīng)該強(qiáng)調(diào) 指出 Nyquist 公式應(yīng)滿足電阻處于 T 的熱平衡狀態(tài)這一條件。如電 阻、氣體放電管、都會(huì)產(chǎn)生熱噪聲。 噪聲 的一種。是由 導(dǎo)體 中 電子 的熱震動(dòng) ]41[? 引起的，它存在于所有 電子器件 和傳輸介質(zhì) 中。 3）電荷在物體表面的發(fā)射運(yùn)動(dòng)。 1976 年第一篇關(guān)于毫米波雪崩二極管噪聲源的論文發(fā)表，這是因態(tài)器件應(yīng)用于毫米波噪聲源的里程碑，在此之前雪崩二極管只被女裝在同軸線上或帶 狀線仁工作在厘米波段，在那篇論文中，一種新型的安裝雪崩二極管波導(dǎo)結(jié)構(gòu)被報(bào)道，自此以后，經(jīng)過許多實(shí)驗(yàn)，現(xiàn)存的雪崩二極管理論被擴(kuò)展到更高的毫米波段。常用的噪聲源有飽和二極管，氣體放電管，固態(tài)噪聲二極管和電阻等，飽和二極管噪聲源通常用于米波和分米波段，飽和二極管由熱陰極和陽(yáng)極組成。 (2)噪聲發(fā)生器輸出的噪聲功率譜密度與待測(cè)網(wǎng)絡(luò)內(nèi)部噪聲的反應(yīng)相同，可以方便地使用任意型指示器。 固態(tài)源的簡(jiǎn)介和發(fā)展 微波通信、雷達(dá)、導(dǎo)航等技術(shù)的迅速發(fā)展對(duì)低噪聲器件的要求越來越迫切，為檢測(cè)器件的性能和度量通信等設(shè)備接收微弱信號(hào)的能力，需要測(cè)量器件與設(shè)備的噪聲特性，尤其是軍用電子元器件和軍用整機(jī)的測(cè)試，這使得噪聲系數(shù)的測(cè)試與計(jì)量變得 極為重要。 exceed noise ratio。同時(shí)概括了部分噪聲測(cè)量技術(shù)。 作者簽名： 日期： 年 月 日 導(dǎo)師簽名： 日 期： 年 月 日 高超噪比微波固態(tài)噪聲源 的設(shè)計(jì) 摘 要 固態(tài)噪聲二極管的雪崩散彈噪聲在一定條件下近似為白噪聲。本人完全意識(shí)到本聲 明的法律后果由本人承擔(dān)。 作 者 簽 名： 日 期： 指導(dǎo)教師簽名： 日 期： 使用授權(quán)說明 本人完全了解 大學(xué)關(guān)于收集、保存、使用畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的規(guī)定，即：按照學(xué)校要求提交畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的印刷本和電子版本；學(xué)校有權(quán)保存畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的印刷本 和電子版，并提供目錄檢索與閱覽服務(wù)；學(xué)?？梢圆捎糜坝?、縮印、數(shù)字化或其它復(fù)制手段保存論文；在不以贏利為目的前提下，學(xué)?？梢怨颊撐牡牟糠只蛉?jī)?nèi)容。本人授權(quán)成都信息工程學(xué)院可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。 分類號(hào)： U D C： D10621408（ 2020） 07590 密 級(jí)：公 開 編 號(hào)： 2020022078 成都信息工程學(xué)院 學(xué)位論文 高超噪比微波固態(tài)噪聲源的設(shè)計(jì) 論文作者姓名： 申請(qǐng)學(xué)位專業(yè)： 電子信息 科學(xué)與技術(shù) 申請(qǐng)學(xué)位類別： 工學(xué)學(xué)士 指導(dǎo)教師姓名（職稱）： 論文提交日期： 獨(dú) 創(chuàng) 性 聲 明 本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的 研究工作及取得的研究成果。 簽名： 日期： 2020 年 6 月 12 日 關(guān)于論文使用授權(quán)的說明 本學(xué)位論文作者完全了解成都信息工程學(xué)院有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文 被查閱和借閱。對(duì)本研究提供過幫助和做出過貢獻(xiàn)的個(gè)人或集體，均已在文中作了明確的說明并表示了謝意。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。 涉密論文按學(xué)校規(guī)定處理。通過對(duì)噪聲的全方位分析進(jìn)一步加深對(duì)噪聲源的認(rèn)識(shí)。 噪聲二極管 Design of Microwave Solid state Noise Source with High Exceed Noise Ratio Abstract In certain condition s, avalanche shot noise originated from solidstate noise diode is similar to white noise. For maximum exceed noise ratio generated, circuit structure to match the equivalent circuit diagram of the solidstate noise diode in avalanche breakdown state has been designed. The so lid2state noise source exhibit s frequency range 4～ 6 GHz, exceed noise ratio higher than 20 dB This paper studies the characteristics of the noise, noise type, twoport work of the noise factor and noise figure and noise parameters of the measurement techniques. Through prehensive analysis of the noise to further deepen the understanding of noise sources. Also summarizes some of the