【正文】 27 P1=0x01。 wela=0。 A3=temp1%100/10。 elay(2)。 dula=0。 wela=1。 wela=1。 P1=table1[A3]。 大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 26 delay(8)。 dula=0。 wela=1。 wela=1。 P1=0xbf。 A4=temp1%10。 } if(temp10) //分離出四位要顯示的數(shù)字 { temp1=~temp1。 fm=~fm。 }*/ void display(int temp1) //顯示函數(shù) { char A1,A2,A3,A4,ser。 delay(1)。 //放大十倍，這樣做 的目的將小數(shù)點(diǎn)后第一位 //也轉(zhuǎn)換為可顯示數(shù)字，同時(shí)進(jìn)行一個(gè)四舍五入操作。 //兩字節(jié)合成一個(gè)整型變量。 //連續(xù)讀兩個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù) b=tmpread()。 delay(1)。 //跳過(guò)序列 號(hào)命令 tmpwritebyte(0x44)。i++。 //寫(xiě) 0 部分 i=8。 DS=1。 dat=dat1。 for(j=1。 //讀出的數(shù)據(jù)最低位在最前面，這樣剛好 //一個(gè)字節(jié)在 DAT 里 } return(dat)。 for(i=1。while(i0)i。i++。 bit dat。 DS=1。 } void dsreset(void) //發(fā)送復(fù)位和初始化命令 { uint i。 SCON = 0x50。j200。 void delay(uint x) //delay { uchar i,j。 unsigned char code table[]={ 0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90}。 //define interface 定義 DS18B20 接口 int temp。在此，謹(jǐn)向于老師的培育之恩表示最深的謝意 ! 感謝其他多位老師對(duì)我學(xué)習(xí)和設(shè)計(jì)所給予 的支持和幫助。 她 循循善誘的教導(dǎo)和不拘一格的思路給予我無(wú)盡的啟迪 。 在 本次設(shè)計(jì) 研究和撰寫(xiě)論文的過(guò)程中，我查閱了許多文獻(xiàn)資料，從中學(xué)到了很多有關(guān)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)和程序 調(diào)試方面等的知識(shí)。 N Y N 發(fā) DS18B20 復(fù)位命令 發(fā)跳過(guò) ROM 命令 讀取溫度命令 讀取操作， CRC 校驗(yàn) 9 字節(jié)完？ CRC 校驗(yàn)正確？ 移入溫度暫存器 結(jié)束 十位數(shù) 0？ 溫度數(shù)據(jù)移入顯示寄存器 百位數(shù) 0？ 十位數(shù)顯示符號(hào) 百位數(shù)不顯示 百位數(shù)顯示數(shù)據(jù) (不顯示符號(hào) ) 結(jié)束 大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 16 Y 圖 73讀溫度子程序 溫度轉(zhuǎn)換命令子程序主要是發(fā)溫度轉(zhuǎn)換開(kāi)始命令，其子程序流程見(jiàn)圖 74。 圖 61溫度測(cè)量 數(shù)據(jù) 的采集 DS18B20 數(shù)字溫度傳感器溫度數(shù)據(jù)以數(shù)字的形 式傳至單片機(jī)，單片機(jī)通過(guò) RS232 將大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 14 數(shù)據(jù)傳至計(jì)算機(jī)，由串口調(diào)試助手進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄和顯示， 見(jiàn)圖 62。 DS18B20 在完成一個(gè)讀時(shí)序過(guò)程，至少需要 60us 才能完成。而每一次命令和數(shù)據(jù)的傳輸都是從主機(jī)主動(dòng) 啟動(dòng)寫(xiě)時(shí)序開(kāi)始，如果要求單總線器件回送數(shù)據(jù)，在進(jìn)行寫(xiě)命令后，主機(jī)需啟動(dòng)讀時(shí)序完成數(shù)據(jù)接收。 由于 DS18B20 是在一根 I/O 線上讀寫(xiě)數(shù)據(jù)，因此，對(duì)讀寫(xiě)的數(shù)據(jù)位有著嚴(yán)格的時(shí)序要求。另一種是寄生電源供電方式，如圖 4 所示單片機(jī)端口接單線總線，為保證在有效的 DS18B20 時(shí)鐘周期內(nèi)提供足夠的電流，可用一個(gè) MOSFET 管來(lái)完成對(duì)總線的上拉。 讀暫存器 0BEH 讀內(nèi)部 RA九字節(jié)內(nèi)容 寫(xiě)暫存器 4EH 發(fā)出向內(nèi)部 RAM的第 4字節(jié)寫(xiě) 上下限溫度命令，緊隨該命令之后是傳送兩個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)。 } ，見(jiàn)表 25 表 25存儲(chǔ)器操作命令 指令 約定代碼 功能 讀 ROM 33H 讀取 DS18B20ROM中的編碼（ 64位地址） 符合 ROM 55H 發(fā)出命令后，接著發(fā)出 64位 ROM編碼，訪問(wèn)單總線上與該編碼相同的 DS18B20，使之做出 反應(yīng)，為 下一步讀寫(xiě)作準(zhǔn)備。 DQ = 1。 for (i=8。 DQ = 1。 i) { DQ = 0。 //返回信號(hào)， 0=presence,1= no presence } 大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 10 當(dāng)主機(jī)總線 t o 時(shí)刻從高拉至低電平時(shí) 就產(chǎn)生寫(xiě)時(shí)間隙從 to 時(shí)刻開(kāi)始 15us 之內(nèi)應(yīng)將所需寫(xiě)的位送到總線 DSl820 在 t1 為 1560us 間對(duì)總線采樣 若低電平 寫(xiě)入的位是 0見(jiàn)若高電平 寫(xiě)入的位是連續(xù)寫(xiě) 2 位間的間隙應(yīng)大于 1us ，見(jiàn)圖 25。 //延時(shí) 46us presence = DQ。 //稍做延時(shí) 2ms DQ = 0。 見(jiàn)表 22 表 22DS18B20轉(zhuǎn)化溫度形式 實(shí)際溫度值 數(shù)字輸出（二進(jìn)制） 數(shù)字輸出（十六進(jìn)制） +125℃ 0000 0111 1101 0000 07D0H +85℃ 0000 0101 0101 0000 0550H +℃ 0000 0001 1001 0001 0191H +℃ 0000 0000 1010 0010 00A2H +℃ 0000 0000 0000 1000 0008H 0℃ 0000 0000 0000 0000 0000H ℃ 1111 1111 1111 1000 FFF8H ℃ 1111 1111 0101 1110 FF5EH ℃ 1111 1110 0110 1111 FE6EH 55℃ 1111 1100 1001 0000 FC90H DS18B20 的內(nèi)部 邏輯圖 ， 見(jiàn)圖 23。光刻 ROM 的作用是使每一個(gè) DS18B20 都各不相同，這樣就可以實(shí)現(xiàn)一根總線上掛接多個(gè) DS18B20 的目的。 DS18B20 的內(nèi)部結(jié)構(gòu) DS18B20 內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由四部分組成： 64 位光刻 ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報(bào)警觸發(fā)器 TH 和 TL、配置 寄存器。2176?？蛇x更小的 方式，更寬的電壓適用范圍。而且新一代產(chǎn)品 更便宜，體積更小。C 。176。 DS18B DS1822 “ 一線總線 ” 字化溫度傳感器 同DS1820 一樣， DS18B20 也 支持 “ 一線總線 ” 接口，測(cè)量溫度范圍為 55176。 XTAL1:振蕩器反相放大器和內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生電路的輸入端。否則， ALE 將被微弱拉高。在一般情況下，ALE 以晶振六分之一的固定頻率輸出脈沖，可用來(lái)作為外部定時(shí)器或時(shí)鐘使用。特殊寄存器 AUXR(地址 8EH)上的 DISRTO 位可以使此功能無(wú)效。在 flash 編程和校驗(yàn)時(shí)， P3 口也接收一些控制信號(hào)。 P3 口： P3 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， p2 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) TTL 邏輯電平。在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或用 16 位地址讀取外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（例如執(zhí)行 MOVX DPTR）時(shí)， P2 口送出高八位地址。在 flash 編程和校驗(yàn)時(shí)， P1 口接收低 8 位地址字。 P1 口： P1 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， p1 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) TTL 邏輯電平。當(dāng)訪問(wèn)外部程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)， P0 口也被作為低 8 位地址 /數(shù)據(jù)復(fù)用。掉電保護(hù)方式下， RAM 內(nèi)容被保存，振蕩器被凍結(jié)，單片機(jī)一切工作停止，直到下一個(gè)中大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 5 斷或硬件復(fù)位為止。在單芯片上，擁有靈巧的 8 位 CPU 和在系統(tǒng)可編程 Flash，使得 STC89C52 為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。片內(nèi)有 ROM/EPROM 的單片機(jī)，其最小應(yīng)用 系統(tǒng)即為配有晶振，復(fù)位電路，電源的單個(gè)單片機(jī) .片內(nèi)無(wú) ROM/EPROM 的單片機(jī)，其最小應(yīng)用系統(tǒng)除了外部配置晶振，復(fù)位電路，電源外，還應(yīng)外接 EPROM 或 EEPROM作為程序存儲(chǔ)器用 .（ 2）最小功耗應(yīng)用系