【正文】 e。 //在此，我們只需要讀兩次，即讀出數(shù)字溫度值的高低兩字節(jié)即可 //主機(jī)可以在獲取了所需字節(jié)后，隨時(shí)以發(fā)送 RESET 脈沖來中止并開始下一次訪問。//取溫度符號(hào)位 //溫度為正 if(sign==0) { ACC_0=Temperature_Low^4。 ACC_4=Temperature_High^0。 //符號(hào)位為 0 Absolute_Temperature=ACC。通過這次的畢業(yè)設(shè)計(jì)我了解了 DS18B20 溫度控制芯片的工作原理和性能特點(diǎn)，同時(shí)在運(yùn)用所學(xué)的 C 語(yǔ)言知識(shí)進(jìn)行實(shí)際編程的過程中也遇到許多問題，不過在老師及時(shí)幫助下最終克服了所有的困難。 22 參考文獻(xiàn)： [1]羅震 .微機(jī)控制原理及技術(shù) .出版地 :天津大學(xué)材料學(xué)院 出版者 ：羅震 [2] 毅剛 .《單片機(jī)原理及應(yīng)用》 [M].高等教育出版社 ,[3]毅剛 .《單片機(jī)原理及應(yīng)用》 [M].高等教育出版社 ,[4] DS18B20 手冊(cè) [M]. [5] DS18B20 手冊(cè) [M]. [6] DS18B20 手冊(cè) [M]. [7] DS18B20 手冊(cè) [M]. [9] DS18B20 手冊(cè) [M]. [10] DS18B20 手冊(cè) [M]. [11] DS18B20 手冊(cè) [M]. [12]百度文庫(kù) . DS18B20 中文資料 DS18B20 中文資料 . [13]百度文庫(kù) . DS18B20 中文資料 DS18B20 中文資料 . [14]百度文庫(kù) . DS18B20 中文資料 DS18B20 中文資料 . 23 附錄 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)程序： include define SYSCLK 184320xx // SYSCLK frequency in Hz void Delay(long int milliseconds) { long int i。 i j。 // start external oscillator with crystal for (i=0。 // select external oscillator as SYSCLK source and enable missing clock detector return。 } void PORT_Init () { XBR0 = 0x04。 P1MDOUT|=0xfd。 return。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_3 =ACC^3。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_7 =ACC^7。 //發(fā)送完 RESET 脈沖后，主機(jī)等待 15us 至 60us 的時(shí)間以等待 DS18B20 回復(fù) PRESENCE信號(hào)。 } while(DQ==0)//DS18B20 發(fā)送了 PRESENCE 信號(hào)，該信號(hào)持續(xù) 60us~240us { NOP()。 //維持 60us DQ=1。 NOP()。 NOP()。 //維持至少 1us NOP()。 NOP()。139。 unsigned int i=0。 if(Write_Lsb==0) { write_0()。 DQ=0。//延時(shí) 9us，最佳讀數(shù)時(shí)間為 10~13uS左右 value=DQ。 } // //讀 DS18B20,每調(diào)用一次，讀出一個(gè)字節(jié)內(nèi)容 //讀 scratchpad 時(shí)，讀出的順序從字節(jié) 0 的 LSB 位開始 (P6) // read_DS18B20(void) { bit Read_Bit=0。 for(i=0。 Temp_Byte=Temp_Bytei。//指令（ ROM 指令或功能指令） unsigned char TH。 //數(shù)字溫度的低字節(jié) unsigned char Temperature_High。 SYSCLK_Init()。 for(。 write_DS18B20(Command)。//等待 DS18B20 轉(zhuǎn)換結(jié)束 } DS18B20_RESET()。 Command=0xbe。 ACC_1=Temperature_Low^5。 ACC_5=Temperature_High^1。 } else if(sign==1) { ACC_0=Temperature_Low^4。 ACC_4=Temperature_High^0。 //符號(hào)位為 0 Absolute_Temperature=ACC。感謝一直以來支持，鼓勵(lì)我們的學(xué)長(zhǎng)，還有一直關(guān)心我們學(xué)習(xí)生活的各位老師。遇到困難，我會(huì)覺得無從下手，不知從何寫起 ， 當(dāng)困難解決了，我會(huì)覺得豁然開朗，思路打開了 ， 當(dāng)畢業(yè)設(shè)計(jì)經(jīng)過一次次的修改后，基本成形的時(shí)候，我覺得很有成 就感。 在沒有做畢業(yè)設(shè)計(jì)以前覺得畢業(yè)設(shè)計(jì)只是對(duì)這幾年來所學(xué)知識(shí)的單純總結(jié)，但是通過這次做畢業(yè)設(shè)計(jì)發(fā)現(xiàn)自己的看法有點(diǎn)太片面。通過這次畢業(yè)設(shè)計(jì)，我才明白學(xué)習(xí)是一個(gè)長(zhǎng)期積累的過程，在以后的工作、生活中都應(yīng)該不斷的學(xué)習(xí)，努力提高自己知識(shí)和綜合素質(zhì)。通過這次畢業(yè)設(shè)計(jì)使我明白了自己原來知識(shí)還比較欠缺。歷經(jīng)了這么久的努力，緊張而又充實(shí)的畢業(yè)設(shè)計(jì)終要落下帷幕。 今年 2 月，我就開始了我的畢業(yè)設(shè)計(jì)任務(wù)，時(shí)至今日，歷時(shí)將近四個(gè)月，畢業(yè)設(shè)計(jì)基本完成。 } } } 29 致 謝 在民族大學(xué)的四年生活即將畫上句號(hào)，而對(duì)于我來說卻是人生 的起航，我將面對(duì)全新的生活環(huán)境，有挑戰(zhàn)也有機(jī)遇。 ACC_6=Temperature_High^2。 ACC_2=Temperature_Low^6。 ACC_7=0。 ACC_3=Temperature_Low^7。 sign=Temperature_High^3。 Command=0xcc。 write_DS18B20(Command)。 DS18B20_PRESENCE()。 PORT_Init()。//溫度的正負(fù)符號(hào) unsigned int Absolute_Temperature=0x00。 //預(yù)設(shè)低溫報(bào)警點(diǎn) unsigned char Config。//實(shí)現(xiàn) lsb 到 msb 位順序讀出到一個(gè)字節(jié) } return(Read_Byte)。i++) { Read_Bit=read_DS18B20_bit()。 unsigned char Read_Byte=0。//延時(shí) 60us。//維持 1us DQ=1。 } 26 } return。i8。 //每個(gè) wirte/read 時(shí)隙至少維持 60us,寫 1 時(shí)隙中釋放總線后時(shí)間應(yīng)延遲 (60 1)uS 以上 return。 DQ=1。 NOP()。 } void write_1(void) { DQ=0。 NOP()。139。 } void write_0(void) { 25 DQ=0。//等待約 20us return。 Delay(1000)。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_5 =ACC^5。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_1 =ACC^1。 P3MDOUT|=0xff。 XBR2 = 0x40。 WDTCN = 0xad。 i++) 。 } void SYSCLK_Init (void) { int i。 j =milliseconds。 這次 寫 論文的經(jīng)歷也會(huì)使我終身受益，我感受到做論文是要真真正正用心去做的一件事情，是真正的自己學(xué)習(xí)的過程和研究的過程，沒有學(xué)習(xí)就不可能有研究的能力，沒有自己的研究，就不會(huì)有所突破，那也就不叫論文了。從開始接到論文題目到系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)，再到論文文章的完成，每走一步對(duì)我來說都是新的嘗試與挑戰(zhàn)，這也是我在大學(xué)期間獨(dú)立完成的最大 的項(xiàng)目。 ACC_6=Temperature_High^2。 ACC_2=Temperature_Low^6。//讀出的為數(shù)字溫度的低字節(jié)內(nèi)容 //存儲(chǔ)低字節(jié)的內(nèi)容 Temperature_High=read_DS18B20()。 //讀 DS18B20 返回的 EEPROM 中的內(nèi)容，順序從字節(jié) 0 的 LSB 位開始。 //發(fā)送 ROM 指令： CCh： Skip ROM Command. Command=0xcc。 指令名稱 指令代碼 指令功能 讀 ROM 33H 讀 DS18B20 ROM 中的編碼 （即讀 64 位地址編碼） ROM 匹配 55H 發(fā)出此命令之后，接著發(fā)出64 位 ROM 編碼，訪問單總線上與編碼相對(duì)應(yīng) DS18B20使之作出響應(yīng)，為下一步對(duì)該DS18B20 的讀寫作準(zhǔn)備 搜索 ROM 0F0H 用于確定掛接在同一總線上DS18B20 的個(gè)數(shù)和識(shí)別 64 位ROM 地址，為操作各器件作好準(zhǔn)備 跳過 ROM 0CCH 忽略 64 位 ROM 地址，直接向 DS18B20 發(fā)溫度變換命令，適用于單片機(jī)工作 報(bào)警搜索 0ECH 該指令執(zhí)行后，只有溫度超過設(shè)定值上限或下限的片子才做出響應(yīng) 指令名稱 指令代碼 指令功能 溫度變換 44H 啟動(dòng) DS18B20 進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換 ， 轉(zhuǎn) 換 時(shí) 間 最 長(zhǎng) 為500ms(典型為 200ms),結(jié)果存入內(nèi)部 9 字節(jié) RAM 中 讀暫存器 0BEH 讀內(nèi)部 RAM 中九字節(jié)的內(nèi)容 寫暫存器 4EH 發(fā)出向內(nèi)部 RAM 的第 3,4 字節(jié)寫上，下限溫度數(shù)據(jù)命令，緊跟該命令之后是傳送兩字節(jié)的數(shù)據(jù) 復(fù)制暫存器 48H 將 RAM 的第 3,4 字節(jié)的內(nèi)容復(fù)制到 EEPROM 中 重調(diào) EEPROM 0B8H EEPROM 中的內(nèi)容恢復(fù)到RAM 中的第 3,4 字節(jié) 讀供電方式 0B4H 讀 DS18B20 的供電模式，寄生供電時(shí) DS18B20發(fā)送“ 0”， 外接供電 DS18B20 發(fā)送“ 1” 19 其中溫度轉(zhuǎn)換： DS18B20 中的溫度傳感器完成對(duì)溫度的測(cè)量，用 16 位二進(jìn)制形式提供，形式表達(dá)，其中 S 為符號(hào)位。 ROM 指令有 5 條，都是 8 位長(zhǎng)度。//實(shí)現(xiàn) lsb 到 msb 位順序讀出到一個(gè)字節(jié) } return(Read_Byte)。i++) { Read_Bit=read_DS18B20_bit()。 unsigned char Read_Byte=0。//延時(shí) 60us。//維持 1us DQ=1。完成一個(gè)讀時(shí)序過程，至少需要 60us 才能完成“ [13]”。 DS18B20 在檢測(cè)到總線被拉低 1 微秒后，便開始送出數(shù)據(jù)，若是要送出 0 就把總線拉為低電平直到讀周期結(jié)束。 } else { write_1()。 //寫字節(jié)時(shí)，從 LSB 位開始寫 for(i=0。 Delay(120)。 NOP()。 NOP()。 return。 NOP()。//發(fā)送結(jié)束，單總線復(fù)位 39。而做為從機(jī)的 DS18B20 則在檢測(cè)到總線被拉底后等待 15微秒然后從 15us 到 45us 開始對(duì)總線采樣，在采樣期內(nèi)總線為高電平則為 1，若采樣期內(nèi)總線為低電平則為 0“ [11]”。 寫操作：寫周期最少為 60 微秒，最長(zhǎng)不超過 120 微秒。 } while(DQ==0)//DS18B20 發(fā)送了 PRESENCE 信號(hào)，該信號(hào)持續(xù) 60us~240us { NOP()。 Delay(40)。 // void DS18B20_RESET(void) { DQ=0。 程序設(shè)計(jì)流程圖： 13 DS18B20 初始化 通過單總線的所有執(zhí)行操作處理都從一個(gè)初始化序列開始。為校驗(yàn)數(shù)據(jù)是否被正確讀