10mwp光伏發(fā)電項(xiàng)目備案申請報(bào)告(文件)
【正文】 后 15 年衰減 10％、平均每年衰減 ％。染料敏化 Ti02 納米薄膜太陽電池簡稱 DSC，對它的研究處于起步階段。目前在大規(guī)模應(yīng)用和工業(yè)生產(chǎn)中仍占據(jù)主導(dǎo)地位。 與晶體硅太陽電池相比，硅基薄膜太陽電池最重要的是成本優(yōu)勢，具有弱光響應(yīng)好和溫度系數(shù)小的特性，便于大規(guī)模生產(chǎn)，有極大的發(fā)展和應(yīng)用潛力。產(chǎn)品的成熟程度是單晶硅比多晶硅更加成熟，硅基薄膜稍差。3開路電壓 Voc V Isc A Vmppt V Imppt A LWH mm 158080840安裝尺寸 mm重量 kg 率溫度系數(shù) /℃ /℃ /℃ 年功率衰降 1020 年功率衰降 20組件效率 VDE CE通過的認(rèn)證及測試 IEC61215/730 VDE CE滿足的標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)程規(guī)范 IEC61215/730 硅基薄膜電池組件 指 標(biāo) 單 位 數(shù) 據(jù) 峰值功率 Wp 111 177。 晶硅方陣設(shè)計(jì) 晶硅方陣由單晶硅電池組件組成，標(biāo)準(zhǔn)發(fā)電單元配置方案為： 單晶硅電池組件的工作電壓 Vmppt為 。為了系統(tǒng)的合理配置，配置了二種規(guī)格匯流箱： 匯 流 箱 A 有 16 路 輸 入 端 口 ， 則 每 一 組 功 率2800Wp1644800 Wp。 每 一 單 元 的 功 率 為 44800Wp118400 Wp 501200 Wp MWp 晶硅方陣共需配置 500kW 逆變器 10 臺(tái)。 下圖為該陣列平面布置示意圖： 晶硅組件安裝示意圖如下： 單晶硅標(biāo)準(zhǔn)塊支架透視圖 薄膜方陣設(shè)計(jì) 薄膜方陣由硅基薄膜電池組成，標(biāo)準(zhǔn)發(fā)電單元配置方案為： 硅基薄膜電 池的工作電壓 Vmppt為 。 薄膜的匯流箱為第三種規(guī)格，即 15 路輸入。 薄膜方陣匯流箱需二級配置。共需 111Wp 組件數(shù)量 45000 塊。可分別輸入 1 1 3 回路電池組件串。 對于硅基薄膜電池組件，每回路工 作電流 ，短路電流 。 （ 2）直流配電柜 直流配電柜按照 500kW 的逆變器進(jìn)行設(shè)計(jì)， 500kW 的逆變器配置 2 臺(tái)直流配電柜。 直流配電柜的輸出直流 開關(guān)電流 600A， 2 回路。具有自動(dòng)同期功能。 （ 3）逆變器 逆變器具有較好的人機(jī)界面和監(jiān)控通信功能，便于監(jiān)控中心遠(yuǎn)端控制。輸入 /輸出有防雷保護(hù)。 輸 出 直 流 電 流 。匯流箱 A 為 16 路輸入，輸出直流電流 80/ /短路電流，匯流箱 B 為 3 路輸入，輸出直流電流 15/工作電流 /短路電流。 晶硅方陣和薄膜方陣的功率總數(shù)為 。每單元配 15 臺(tái)匯流箱 D。 匯 流 箱 C 有 15 路 輸 入 端 口 ， 則 每 一 組 功 率 555Wp158325 Wp。 560247。共需 175Wp 組件數(shù)量 28640塊。 則 每一臺(tái)逆變器功率 50
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