【正文】 d G ra i n (n m ) % 圖 23 納米金剛石粉末的粒度分布比例（平均粒度 ） 由于納米金剛石顆粒很容易團聚在一起，形成帶有若干弱連接界面的尺寸較大的團聚體，這給納米顆粒在金屬襯底表面的均勻分布帶來了很大的困難，從而影響電子發(fā)射的均勻性。用高目數(shù)的篩網(wǎng)進行過濾，過濾過程中機械地壓碾糊狀物，以便使納米金剛石和納米石墨充分分散。冷卻至室溫時分散稀糊狀漿料變成粘稠的狀態(tài)。絲網(wǎng)印刷納米金剛石薄膜的制備包括納米金剛石漿料的絲網(wǎng)印 刷和印刷后的熱燒結(jié)過程以及對燒結(jié)后納米金剛石薄膜的后處理三個部分。 采用自動印刷機的工藝流程為：調(diào)整印刷器的壓力→上網(wǎng)框→對版→固定工作臺→二次對準(zhǔn)→固定印刷臺（網(wǎng)框 ）→調(diào)整刮板壓力→上漿→試印刷→正式印刷。熱燒結(jié)處理可以達到兩個目的：一方面可以使印刷的納米金剛石薄膜干 燥并牢固地粘結(jié)在襯底上，另一方面可以使印刷的納米金剛石薄膜中所含制漿材料分解蒸發(fā)掉。 圖 210 工智能控制高溫?zé)Y(jié)爐控制面板各部分名稱 絲網(wǎng)印刷納米金剛石薄膜實驗測試系統(tǒng)裝置和電路 （ 1）實驗測試系統(tǒng)裝置 （ 1 ） （ 2 ） 3 4 （ 5 ） （ 6 ） （ 7 ） （ 8 ） （ 9 ） （ 10 ） （ 1 ） 輸出指示； （ 2 ） 自整定； （ 3 ） 報警指示； （ 4 ）程序控溫運行指示； （ 5 ） 測量值顯示（上顯示器） PV ； （ 6 ） 給定值顯示（下顯示器） SV ； （ 7 ） 設(shè)置鍵；（ 8 ） 數(shù)據(jù)移位鍵； （ 9 ） 數(shù)據(jù)減少鍵； （ 10 ）數(shù)據(jù)增加鍵； 北方民族大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 實驗系統(tǒng)和實驗關(guān)鍵步驟處理 15 圖 211 圖 212 北方民族大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 實驗系統(tǒng)和實驗關(guān)鍵步驟處理 16 （ 2）電路 利用實驗測試系統(tǒng)裝置和電路，對絲網(wǎng)印刷納米金剛石薄膜的場發(fā)射特性進行研究，評價納米金剛石薄膜材料的場致發(fā)射特性的性能參數(shù)主要包括開啟電場、閾值、場發(fā)射電流密度、場發(fā)射電流穩(wěn)定性、場發(fā)射電子光斑分布等。熱處理過程包括 3個升溫階段、 3 個恒溫階段和 1 個降溫階段。最后是自然降溫過程，圖中的線段不代表實際 溫度。 北方民族大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 實驗結(jié)果分析 18 圖 32 熱燒結(jié)處理的印刷在襯底上的納米金剛石薄膜表面的 SEM 照片 不同的印刷厚度對納米金剛石場發(fā)射特性的影響 用 2:5:6 比例漿料印刷在石墨襯底上不同厚度的納米金剛石薄膜的開啟電壓隨厚度的不同而不同（圖 513），印刷 一層漿料的納米金剛石的開啟電場為；印刷二層漿料納米金剛石薄膜的開啟電場為 ；印刷三層漿料的納米金剛石薄膜的開啟電場為 ；厚度小的雖然容易開啟發(fā)射，但薄膜的均勻性差影響強電場下的場發(fā)射；厚度大的薄膜均勻性好，但影響電子的輸運，顯然印刷兩層的隨著場強的增大納米金剛石薄膜的發(fā)射性能最好。 將打磨好的襯底材料先用吹風(fēng)機吹去大的顆粒，然后用酒精擦洗干凈。m） J=1mA/cm2時 ,閾值電場（ V/181。圖 514為不同退火條件下納米 納米金剛石薄膜 電子場發(fā)射的特性曲線。 0 .0 0 .5 1 .0 1 .5 2 .0 2 .5 3 .0 3 .5 4 .0 4 .5 5 .02 0 002004006008001000120014001600 6 0 0 ? C 1 5 m i n 6 0 0 ? C 1 0 m i n 5 0 0 ? C 1 5 m i n 5 0 0 ? C 1 0 m i n 7 0 0 ? C 1 5 m i n 7 0 0 ? C 1 0 m i ncurrent density (???CM??El e ct ri c f i e l d ( V/ ? M ) 圖 34 不同退火條件下不銹鋼襯底上 納米金剛石薄膜 電子場發(fā)射的特性曲線 500℃的 退火 熱處理溫度下，整個 不銹鋼襯底與金剛石接觸的界面鍵合作用北方民族大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 實驗結(jié)果分析 22 很弱，造成電子在不同區(qū)域的疏運能力差異較大。從 AFM 圖上也可以看到，該溫度下金剛石顆粒間的結(jié)合程度較強，為電子在金剛石顆粒間的輸運提供了有利條件，加之暴露在表面顆粒也非常細(xì)小尖銳，使得表面的場增強因子較大，所以樣品的發(fā)射閾值低、穩(wěn)定性很好。從圖中可以發(fā)現(xiàn)退火前陽極熒光屏的發(fā)光點密度不高，各發(fā)光點亮度也不均勻。從圖中可以發(fā)現(xiàn)，在 60 分鐘的實驗測試過程中，發(fā)射電流隨時間變化不大，呈緩慢增加的趨勢，但與此同時外加電壓也是緩慢增加的。 圖 37 印刷納米金剛石薄膜場發(fā)射穩(wěn)定性 0 10 20 30 40 50 60550560570580590600610620Emission Current (?A)T i m e (m i n )北方民族大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 利用納米金剛石薄膜設(shè)計信息傳感器 25 第四章 利用納米金剛石薄膜設(shè)計信息傳感器 實驗測試電路 由場致發(fā)射的 FN 方程： 求導(dǎo)后得到公式如下： dxdFBFeAdxdy BF )2( ??? ? ? ???A ?????B 在電壓 達到場致發(fā)射的條件下，若如上所敘述的傳感器的陽極金屬片受到一定的 壓力時，導(dǎo)致銅片發(fā)生微小的形變，則由場強公式 E=U/d 可以知道板間距離變小且電壓不變時場強變大，由場致發(fā)射的 FN 方程可知，電流表的電流值會增大。功函數(shù)取 1ev 時的 MATLAB 仿真。 mesh(X,Y,Z) 得到 圖 42 dJ/dS 隨 dF/dS 的變化圖形如下： 圖 42 功函數(shù)為 4 ev 時 dJ/dS 隨 dF/dS 的變化圖 X表示 dF/dS， Y表示 F， Z 表示 dJ/dS。 Z=./4.*(2.*Y+.*4.^).*exp(./Y).*X。 plot(x,y) 可得到如圖 44 圖 44Φ為 6ev, F 為 3000000 V/ cm 時 dJ/dS 隨 dF/dS 的變化圖 北方民族大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 結(jié)束語 28 第五章 結(jié)束語 本研究采用納米金剛石作為微尖，引入石墨作為導(dǎo)電晶界。 （ 1） 本課題根據(jù)市場對場致發(fā)射材料的需求，在納米金剛石粉體中摻入納 米石墨粉體制成納米金剛石漿料，納米金剛石作為微尖，引入石墨作為導(dǎo)電晶界。 北方民族大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 致謝 29 致 謝 光陰似箭，四年的求學(xué)生涯即將結(jié)束。他注重鍛煉學(xué)生的分析問題和解決問題的能力，在研究進展緩慢時，張老師總是鼓勵學(xué)生勇于克服困難，開闊思路，培養(yǎng)創(chuàng)新精神。 在求學(xué)的路上與他們同行，乃人生一大幸事。s rated current value. SCR 過載能力 as a result of the electromagic devices than the average small household electrical appliances in general and therefore choose the current value of thyristor current actual value of 2 ~ 3 times. At the same time, under SCR repeat peak offstate voltage VDRM and peak reverse voltage VRRM repeat of the peak current when the device should be less than the provisions of IDRM and IRRM. State (peak) voltage VTM option: it is to provide a multiple pass thyrist。 北方民族大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 參考文獻 30 參考文獻 [1]楊德清，莊偉 .電子發(fā)射原理和應(yīng)用 [M].昆明：云南大學(xué)出版社， . [2]劉榴娣，常本康，黨長民 .顯示技術(shù) [M].北京：北京理工大學(xué)出版社 ,. [3]金子英二著 液晶電視 王新文，田建民譯，北京：電子 工業(yè)出版社， . [4]應(yīng)根裕 , 胡文波 , 邱勇等 . 平板顯示技術(shù) [M]. 北京 : 人民郵電出版社 , 20xx, P214. [5]金長春 . 場發(fā)射顯示 . 液晶與顯示 , [J]1996,11 (1) 5260 [6]邵樂喜 ,謝二慶 ,公維賓等 , 納米金剛石涂層的場電子發(fā)射 . 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Appl .,89(5):29582967. 北方民族大 學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 附錄 31 附 錄 Twoway design and application of siliconcontrolled analytical studies Abstract: Analysis of a twoway thyristor design and parameters selection methods and at the same time introduced the method of bidirectional SCR installation. Keywords: SCR、 current rate of increase、 thermal Silicone Grease Introduction In 1958, the General Electric Company from the United States successfully developed the