【摘要】北華大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)摘要隨著數(shù)字集成電路日益廣泛的應(yīng)用,其相關(guān)的測試技術(shù)也顯得愈發(fā)重要。為了保證數(shù)字集成電路的功能和性能參數(shù)符合技術(shù)要求,在集成電路的設(shè)計(jì)驗(yàn)證、產(chǎn)品檢驗(yàn)以及現(xiàn)場維護(hù)等方面都需要對集成電路進(jìn)行測試。而測試設(shè)備是必不可少的工具,因此研究它們的測試技術(shù)和開發(fā)測試設(shè)備具有重要的意義。本文所設(shè)計(jì)的集成電路測試儀采用MCS-51單片機(jī)為核心,構(gòu)建數(shù)字集成電路的測試儀器
2025-06-27 22:36
【摘要】集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)1集成電路工藝原理集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)2大綱第一章前言第二章晶體生長第三章實(shí)驗(yàn)室凈化及硅片清洗第四章光刻第五章熱氧化第六章
2025-01-08 13:40
【摘要】集成電路Contentsv集成電路的定義v集成電路的分類v集成電路的工藝微電子技術(shù)課程ppt微電子技術(shù)課程ppt集成電路定義v集成電路(integrated?circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連
2025-01-08 12:24
【摘要】1第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝2第四章集成電路器件工藝表3圖幾種IC工藝速度功耗區(qū)位圖4雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的V
2025-01-06 18:35
【摘要】集成電路發(fā)展史姚連軍120012009323管理學(xué)院09財(cái)務(wù)管理蘇世勇120012009222管理學(xué)院09市場營銷傅彩芬110012009023法政學(xué)院09公共管理類陳凱120012009015管理學(xué)院09工商管理集成電路對一般人來說也許會有陌生感,但其實(shí)我們和它打交道的機(jī)會很多。計(jì)算機(jī)、電視機(jī)、手機(jī)、網(wǎng)站、取款機(jī)等等,數(shù)不勝數(shù)。除此之外在航空航天、星
2025-06-25 19:01
【摘要】集成電路工藝原理相關(guān)試題-----------------------作者:-----------------------日期:一、填空題(30分=1分*30)10題/章晶圓制備1.用來做芯片的高純硅被稱為(半導(dǎo)體級硅),英文簡稱(GSG),有時也被稱為(電子級硅)。2.單晶硅生長常用(
2025-03-26 05:15
【摘要】集成電路制造工藝原理課程總體介紹:1.課程性質(zhì)及開課時間:本課程為電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)(微電子技術(shù)方向和光電子技術(shù)方向)的專業(yè)選修課。本課程是半導(dǎo)體集成電路、晶體管原理與設(shè)計(jì)和光集成電路等課程的前修課程。本課程開課時間暫定在第五學(xué)期。2.參考教材:《半導(dǎo)體器件工藝原理》國防工業(yè)出版社
【摘要】關(guān)于集成電路制造工藝介紹-----------------------作者:-----------------------日期:集成電路制造工藝原理課程總體介紹:1.課程性質(zhì)及開課時間:本課程為電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)(微電子技術(shù)方向和光電子技術(shù)方向)的專業(yè)選修課。本課程是半導(dǎo)體集成電路、晶體管原理與設(shè)計(jì)和光集成電路
2025-06-16 04:07
【摘要】半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路?CMOS工藝技術(shù)是當(dāng)代VLSI工藝的主流工藝技術(shù),它是在PMOS與NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。其特點(diǎn)是將NMOS器件與PMOS器件同時制作在同一硅襯底上。?CMOS工藝技術(shù)一般可分為三類,即?P阱CMOS工藝?
2025-07-25 19:09
【摘要】半導(dǎo)體集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2022/5/24pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝2022/5/24P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-
2025-04-26 12:59
【摘要】2011年紹興文理學(xué)院校大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競賽數(shù)字集成電路測試儀參賽組別小組成員2011年6月5日目錄一、任務(wù) 2二、方案設(shè)計(jì)與論證比較 2 2 3 3 3三
2025-03-25 05:04
【摘要】黑龍江大學(xué)本科生畢業(yè)論文(設(shè)計(jì))開題報告學(xué)院電子工程學(xué)院專業(yè)集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)姓名劉博學(xué)號20133942報告日期2017年11月30日論文(設(shè)計(jì))題目基于CMOS工藝的震蕩電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)教師邱成軍論文(設(shè)計(jì))起止時間年月日至年月日(共周)一、論文(設(shè)計(jì))研究背景與
2025-01-21 17:20
【摘要】1集成電路工藝信息學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)2?參考書:?.Chang,.Sze,“ULSITechnology”?王陽元等,“集成電路工藝原理”?M.Quirk,J.Serda,“半導(dǎo)體制造技術(shù)”?成績計(jì)算:?平時成績(出勤、作業(yè)、小測驗(yàn))20%+期終考試
2025-01-08 13:07
【摘要】2023/1/281第3章IC制造工藝外延生長掩膜制作光刻原理與流程氧化淀積與刻蝕摻雜原理與工藝?關(guān)心每一步工藝對器件性能的影響,讀懂PDK,挖掘工藝潛力。2023/1/282外延生長(Epitaxy)外延生長的目的n半導(dǎo)體工藝流程中的基
【摘要】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
2025-04-30 13:59