【摘要】復(fù)習(xí):1、光敏電阻的結(jié)構(gòu)與原理2、光敏電阻的應(yīng)用新授:光敏晶體管及其應(yīng)用光敏晶體管及其應(yīng)用光敏二極管v1.光敏二極管的結(jié)構(gòu)及原理v2.光敏二極管的主要特性(1)伏安特性(2)光譜特性v3.光敏二極管的主要參數(shù)(1)光電流IL
2025-08-17 05:02
【摘要】(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransnsator)場效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)MOS場效應(yīng)晶體管(MOSFET)MOS場效應(yīng)晶體管在微處理器和存儲器方面,MOS集成電路幾
2025-05-07 00:11
【摘要】1微電子技術(shù)基礎(chǔ)雙極型和MOS晶體管信息工程學(xué)院姜梅微電子技術(shù)基礎(chǔ)一、雙極晶體管1.雙極晶體管的結(jié)構(gòu)由兩個相距很近的PN結(jié)組成:分為:NPN和PNP兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長度發(fā)射區(qū)收集區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)收集結(jié)發(fā)射極收集
2025-01-14 10:46
【摘要】劉開華2022/2/11電子線路基礎(chǔ)2第三章、放大器的頻率特性線性失真及其分析方法單級放大器的頻率響應(yīng)多級放大器的頻率響應(yīng)放大器的階躍響應(yīng)3線性失真分析方法4由于放大電路中存在電抗元件(電容、電感等),所以在放大含有豐富頻率成分的信號(如語音信號、脈沖信號
2025-01-14 20:55
【摘要】微電子器件原理第七章MOS場效應(yīng)晶體管2第七章MOS場效應(yīng)晶體管§基本工作原理和分類§閾值電壓§I-V特性和直流特性曲線§擊穿特性§頻率特性§功率特性和功率MOSFET結(jié)構(gòu)§開關(guān)特性§
2025-05-01 22:36
【摘要】雙端MOS結(jié)構(gòu)1、MOS結(jié)構(gòu)及其場效應(yīng)2、半導(dǎo)體的耗盡及反型3、平衡能帶關(guān)系4、柵壓-平帶電壓和閾值電壓5、電容(C-V)特性MOS-V+a.MOS結(jié)構(gòu)b.電場效應(yīng)1、雙端MOS結(jié)構(gòu)及其場效應(yīng)-V+_______
2025-05-10 19:00
【摘要】晶體管單級放大器設(shè)計(jì)學(xué)習(xí)目的?掌握晶體管放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置與調(diào)整方法?放大器基本性能指標(biāo)的測試方法?負(fù)反饋對放大器性能的影響?放大器的安裝與調(diào)試技術(shù)。一、電路工作原理及基本關(guān)系式圖阻容耦合共射極放大器CB++I(xiàn)1-RB2RB1IB
2025-01-08 15:08
【摘要】MOS場效應(yīng)晶體管MOSFieldEffectTransistorMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorMOS管的結(jié)構(gòu)、工作原理和輸出特性MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)基本工作原理和輸出特性MOS場效應(yīng)晶體管的分類MOS場效應(yīng)晶體管的閾值電壓M
2025-01-14 04:31
【摘要】1功率場效應(yīng)晶體管功率場效應(yīng)晶體管是20世紀(jì)70年代中后期開發(fā)的新型功率半導(dǎo)體器件,通常又叫絕緣柵功率場效應(yīng)晶體管,簡稱為PMOSFET,用字母PM表示。功率場效應(yīng)晶體管已發(fā)展了多種結(jié)構(gòu)型式,本節(jié)主要介紹目前使用最多的單極VDMOS、N溝道增強(qiáng)型PM,2G(柵極)S(源極)D
2025-05-08 00:18
【摘要】微電子元器件與項(xiàng)目訓(xùn)練授課教師:余菲第4章MOS場效應(yīng)晶體管教師:余菲電子郵件:
【摘要】1第二章雙極型晶體管的直流特性晶體管分類:?結(jié)型晶體管又稱雙極型晶體管(BipolarJunctionTransistor-BJT)?場效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor-FET)又稱單極型晶體管(U
2025-04-29 04:53
【摘要】晶體三極管知識晶體三極管作為重要的半導(dǎo)體器件,其基本結(jié)構(gòu)和工作原理需要掌握。下面具體介紹。三極管的基本結(jié)構(gòu)是兩個反向連結(jié)的pn接面,如圖1所示,可有pnp和npn兩種組合。三個接出來的端點(diǎn)依序稱為射極(emitter,E)、基極(base,B)和集極(collector,C),名稱來源和它們在三極管操作時的功能有關(guān)。圖中也顯示出npn與pnp三極管的
2025-06-24 12:36
【摘要】2022/8/311晶體管參數(shù)培訓(xùn)資料2022/8/312主要內(nèi)容一、芯片介紹:二、芯片制程簡介:三、芯片參數(shù)介紹:四、晶體管參數(shù)詳解:2022/8/313一、芯片介紹:目前芯片主要有以下幾類:1.二極管芯片;2.三極管芯片;3.可控硅芯片;2022/8/314
2025-08-16 01:05
【摘要】晶體管規(guī)則陣列設(shè)計(jì)技術(shù)VLSIC是高度復(fù)雜的集成系統(tǒng),為保證設(shè)計(jì)的正確性并且降低設(shè)計(jì)難度,提高設(shè)計(jì)效率,避免由于在版圖設(shè)計(jì)過程中采用復(fù)雜結(jié)構(gòu)而引入不可靠因素,因此,在VLSI的設(shè)計(jì)技術(shù)中大量地采用規(guī)則結(jié)構(gòu),晶體管規(guī)則陣列設(shè)計(jì)技術(shù)就是其中之一。在這個結(jié)構(gòu)中的基本單元就是MOS晶體管或CMOS晶體管對。晶體管陣列及其邏輯
2025-02-22 23:42
【摘要】場效應(yīng)晶體管有二種結(jié)構(gòu)形式:又分增強(qiáng)型和耗盡型二類只有耗盡型第4章MOS場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)晶體管在集成電路中被廣泛使用,絕緣柵場效應(yīng)晶體管(MOSFET)分為增強(qiáng)型和耗盡型兩大類,每類中又有N溝道和P溝道之分。場效應(yīng)晶體
2025-07-26 05:31