恒流源電路知識講座(文件)
【正文】 ? 即： ? ? 或 △ V≤Vth1。 低壓共源共柵結構 — 常數(shù) Vb的偏置 ? 為了使消耗的電壓余度最小，且保證三極管 M1處于飽和區(qū)，因此可選取 VA= VGS1－ Vth1，而 Vb電位的選擇必須使 M3導通，因此 Vb必須等于 (或略高于 ) VGS2＋ (VGS1－ Vth1)，這樣可以采用如圖 Vb。 ? 同理，由于采用的是級聯(lián)結構，因此還具有高的輸出阻抗。 VD DM1ID S 1M3M2RIo 電源抑制電流源 CMOS峰值電流源 1 亞閾值狀態(tài) ? 亞閾值電流源是利用 MOS管工作在亞閾值區(qū)的特性得到的。 ? 電路中的電阻 R可由擴散電阻實現(xiàn)。 ? 該電流源具有很高的電源抑制比。 ? 根據(jù) KCL定理有： ? 且有： ? 根據(jù)飽和薩氏方程，則有： VD DM1= ID S 1M3M2RIoM4M5IRID S 3 RIVV DGSGS 331 ??oDSR III ?? 1 13 DSDS KII ? RIVLWCIVLWCIDSthoxnDSthoxno333311 )/(2)/(2 ?????? 恒定跨導電流源 ? 求解上式可得： ? 如果 ΔVth很小，則上式可簡化成： ? 而根據(jù)有關跨導的定義，可求得其負載管的跨導為： )2()11()/( 2 22221 RIVRVKRLWCI oththoxno???????221)11()/( 2 KRLWCIoxno ?? ? )11(2)/()/()/(21 KRLWLWILWCg loloxnml ??? ? 恒定跨導電流源 ? 由上式可以看出輸出電流與電源電壓幾乎無關，是一高電源抑制的電流源。 演講完畢，謝謝觀看！ 。 ? 當然該電路的缺點是電阻 R的溫度系數(shù)與工藝偏差會影響 gml，為了減小電阻 R的影響，對該電流源可進一步改進成： 1)、把電阻 R接到 M4的源極以避免體效應。 ? 同理，該電路的一個主要缺點就是電阻 R隨工藝及溫度變化較明顯，因此必須考慮溫度及工藝對輸出電流 Io的影響。 ? 該電路有一個主要缺點就是電阻 R隨工藝及溫度變化較明顯，因此必須考慮溫度及工藝對輸出電流 Io的影響。 ? 上圖中三極管 M1與 M3 工作于亞閾值區(qū)，且有： ID01＝ ID03， VDS＞＞ Vth， VGS1＝ IDS1R＋ VGS3 VD DM1IRM3M2RIoM4M6 電源抑制電流源 CMOS峰值電流源 ? 式中 ID0＝ IS0/（ W/L），故有：
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