【正文】 生長(zhǎng)法，從原材料的供給到纖維生成的工藝都是連續(xù)的。 K） 高（ 2023） 中或低（ 20） 強(qiáng)化體材料的性能 熱穩(wěn)定性? 碳纖維在無(wú)氧的環(huán)境下可以使用至 2023℃ .? 但在 polymer基體中意義不大? 在金屬基體中容易反應(yīng)? 用于 C/C復(fù)合材料? 玻璃纖維 850 ℃ 軟化? 氧化物 ,碳化物 ,氮化物等陶瓷纖維具有高熔點(diǎn) , Al2O3—2050 ℃,SiC—2700 ℃.耐火纖維的導(dǎo)熱率? 耐火纖維具有接近空氣的導(dǎo)熱率（ λ＝ (mK) ），是因?yàn)槟突鹄w維系由固態(tài)纖維和空氣組成的混合結(jié)構(gòu)，氣孔率達(dá) 90％以上。一般纖維材料的導(dǎo)熱系數(shù)隨溫度升高而增大，其原因是孔壁間輻射傳熱、孔隙中空氣導(dǎo)熱、固體分子熱運(yùn)動(dòng)均相應(yīng)增強(qiáng)。就是說(shuō)，或者是幾乎沒(méi)有塑性變形，或者是受到損傷時(shí)發(fā)生斷裂。? 對(duì)這樣的情況，一般是采用統(tǒng)計(jì)的方法處理。與聚合物不同，由強(qiáng)化材料的加入而得到的剛性的增加一般較小。特別是對(duì)于鈦，更是需要充分注意，例如基體與強(qiáng)化材料之間的界面化學(xué)反應(yīng)。這一點(diǎn)在考慮復(fù)合材料時(shí)也是十分重要的。最后，碳 碳復(fù)合材料時(shí)近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的非常具有魅力的材料。而且，該類材料的魅力之一是能夠比較容易地制造。玻璃陶瓷是經(jīng)過(guò)使晶體相以玻璃狀維系分散的處理的硼硅酸與鋁硅酸等玻璃狀化合物的氧化物。三種金屬基體與氧的親和力都很強(qiáng)，容易發(fā)生反應(yīng)。而且，使用范圍廣的多種合金成分。實(shí)際上，與塊體材料相比，纖維的高強(qiáng)度是指沒(méi)有大的缺陷的情況。因?yàn)檩椛鋫鳠嵊奢椛涿娴臏囟群洼椛渎仕鶝Q定，輻射傳熱量與其溫度 4次方差成正比，所以溫度增加，輻射傳熱量及導(dǎo)熱系數(shù)值均顯著增大。并且氣孔直徑越小，沿?zé)崃鞣较蛴晒虘B(tài)纖維分割成的密閉狀態(tài)的氣孔數(shù)量越多，則耐火纖維的絕熱性能越好。? 另一方面，為了大幅度降低成本， NKK使用了以氫氣為載體的 LDG（ LinzDouawitz混合氣體，研究了氣體組成的影響，催化劑的效果，生成物石墨化性的比較，并詳細(xì)測(cè)定了其力學(xué)性）。剎 車 材料 石墨晶須（ Grw）? 1960年， Bacon利用石墨電極直流放電在 3900K， 90大氣壓下最初制得了 Grw。通 訊電 路 損 失材微波 發(fā)熱 體 單 獨(dú)、耐 熱 粘 結(jié)劑 。cm） ： 1013 施加直流 1000V誘電 率 ： 6~8 推定 值誘電 正切 103 ： 1~6 推定 值屈折率 ： ~比 熱 J/kgK ： 800熱傳導(dǎo) 系數(shù) W/mk ： 化學(xué)式形狀 比重(g/cm3)松裝比重(g/cm3)升 華 點(diǎn)（ ℃ ）腳 長(zhǎng)(μm)腳徑(μm)固有 電 阻(ohacm)熱 膨 脹 系數(shù)(10 6/℃ )ZnO 四腳 ~ 1720 ~200 ~14 4ZnOw的特性 氧化鋅晶須（ ZnOw） 松下產(chǎn)業(yè)機(jī)器公司所開(kāi)發(fā)的 ZnOw是 以為了充分利用制造電容器時(shí)所產(chǎn)生的大量 Zn粉為起點(diǎn)的（ 28）。2B2O3成分的晶須。其強(qiáng)度與彈性模量都超過(guò)上述 KTw，其中彈性模量可與 SiCw匹敵。6TiO2平均徑(μ m)~ ~ ~ ~ ~ 1以下 ~ ~ ~平均 長(zhǎng)(μ m)10~20 10~20 10~20 10~20 20~30 50 30~50 20~40 10~20比重(g/cm3) PH(水中分散 )7~9 8~11 ~9 ~9 7~ 7~9 6~8 6~8 6~8KTw（ tisumoD）的性能 色相 nTiO2K2O6TiO2K2O? 制備方法：可以用燒成法、熔融法、水熱法、溶劑法等合成。日本東海碳公司于 80年代中期開(kāi)發(fā)出了 SiC晶須，隨后的 10年間實(shí)現(xiàn)了在復(fù)合材料中的應(yīng)用，開(kāi)始了所謂 “晶須時(shí)代 ”。 SiCw、 Si3N4w 由于 CF在 500℃ 以上能與 Al反應(yīng)生成碳化物，這意味著從工業(yè)意義上講 CF與 Al的復(fù)合化是十分困難的，以此為契機(jī)開(kāi)發(fā)了 SiCw。另一方面， SiCw對(duì)于陶瓷的高韌化來(lái)說(shuō)未必能夠滿足 (19)，再加上環(huán)境問(wèn)題等，該類晶須與幾乎在同一時(shí)期開(kāi)發(fā)的氮化硅晶須（ Si3N4w），以及碳纖維（ CF）等相比，其增長(zhǎng)并不算快。為將該廉價(jià)的晶須用于工業(yè)生產(chǎn)，美、日兩國(guó)都做了計(jì)劃，然而受到了制造與實(shí)用操作環(huán)境等的阻擋。? 連續(xù)的、細(xì)纖維（直徑 50μm以下）。例如可用于橡膠輪胎的補(bǔ)強(qiáng)，繩索、防彈手套、保護(hù)衣、樹(shù)脂基等復(fù)合材料的強(qiáng)化等。 芳倫纖維缺點(diǎn)：? 是壓縮性差，壓縮強(qiáng)度僅有不到拉伸強(qiáng)度的 1/5。（ 7）對(duì)放射性線的抵抗性大。（ 3）耐熱、不易燃燒。將上述紡絲所得的纖維在氮?dú)鈿夥罩校?550℃ 進(jìn)行定長(zhǎng)熱處理，可以促進(jìn)晶體化與取向。該法與濕式紡絲基本相同，不同之處在于噴絲嘴面與凝固浴之間有約 1cm的空隙。? 原材料： Kevlar的聚合物原材料為聚 P次苯基對(duì)酞酸酰氨（簡(jiǎn)稱 PPT），如下式： NH NHCO CO芳倫纖維l工藝：252。AlN系纖維可以由熱塑性有機(jī)鋁聚合物作為前驅(qū)體，熔融紡絲后，在 NH3氣流中燒成而得。同時(shí)，用表面加水分解進(jìn)行不熔化，再在 NH3氣體中燒成制取了 BN纖維。由于氮化硼纖維兼?zhèn)涞鸩牧虾屠w維材料各自所特有的性能 ,使該材料在核工業(yè)、電子及復(fù)合材料等方面具有很好的應(yīng)用前景。另一方面，將 PCSiC纖維的前驅(qū)體多羧硅烷纖維在惰性氣體中用放射線進(jìn)行不熔化處理，再在NH3中燒成，可以將其中的 C置換為 N，得到無(wú)色、未透明的 SiN系纖維。④ 有機(jī)聚鋯法：將無(wú)機(jī)鋯鹽與有機(jī)配合物進(jìn)行配位、聚合反應(yīng)生成紡絲性極好的有機(jī)鋯聚合物，干法紡絲獲得前驅(qū)體纖維，熱處理獲得氧化鋯連續(xù)纖維。國(guó)際上通常將長(zhǎng)度大于 lm的氧化鋯纖維稱為氧化鋯連續(xù)纖維；連續(xù)纖維的制備相當(dāng)困難，但其強(qiáng)度高、韌性好，可實(shí)現(xiàn)三維編織，在應(yīng)用于復(fù)合增強(qiáng)材料方面具有短纖維所無(wú)法比擬的優(yōu)異性能。 ZrO2系纖維 ? 氧化鋯纖維秉承了氧化鋯陶瓷本身的優(yōu)良性能，具有高熔點(diǎn)、高強(qiáng)度、韌性好、耐高溫、抗氧化、耐酸堿腐蝕、抗熱震性好和隔熱性好等優(yōu)點(diǎn)，特別是纖維抗拉強(qiáng)度高 ( GPa以上 )和最高使用溫度高 (2200℃ )，導(dǎo)熱系數(shù)和高溫蒸氣壓在金屬氧化物中均最小，是一種綜合性能優(yōu)良的防熱、絕熱材料和復(fù)合增強(qiáng)材料 。日本有國(guó)家工業(yè)研究院和三家公司在進(jìn)行連續(xù)氧化鋁基陶瓷纖維的研究 , Sumitomo公司近年來(lái)發(fā)展了 Altex多晶氧化鋁連續(xù)纖維 , Denka K K于 1984年和1985 年開(kāi)發(fā)了莫來(lái)石質(zhì)連續(xù)陶瓷纖維 ,MitsuiMining公司于 20世紀(jì) 90年代初研制出氧化鋁Al2O3纖維? 不同成分的連續(xù)陶瓷纖維具有不同的用途 :連續(xù)碳化硅纖維 (編織物成型后經(jīng)熱處理 )主要用于高性能軍用發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室 。該纖維不與熔融金屬反應(yīng)，所以可望在金屬基、陶瓷基復(fù)合材料中發(fā)揮作用。此外還可以將兩類纖維結(jié)合使用，能夠增大纖維的體積分散，從而得到高性能的復(fù)合材料。該類纖維的直徑可達(dá) 10μm以下，且柔韌性好，所以適合于三維編織物。且由于具有電波透過(guò)性，可用于雷達(dá)無(wú)線電罩。 Si的氧化物呈非晶狀態(tài)，彼此均勻分布。? 成分接近 Si3C4O。（例如 SCS2是在纖維表面涂有 1μm厚的碳層。SiC纖維 CVDSiC纖維? 將有機(jī)硅化合物與氫氣在 1000℃ 以上加熱，在鎢絲（ 12μm）上沉積 SiC。 SiC纖維的商品牌號(hào)有 SCS2， SCS6， SCS8， SCS9等。? 最初的 SiC纖維是將有機(jī)硅化合物與氫氣在 1000℃ 以上加熱，在鎢絲（12μm）上沉積 SiC而制作