生產(chǎn)工藝培訓(xùn)教材(文件)
【正文】 清洗（邊緣刻蝕 /去 PSG） 絲網(wǎng)印刷 Al 絲網(wǎng)印刷 Ag 燒結(jié) /測試 /分選 17 前清洗工藝簡介 制絨按工藝不同可分為堿制絨和酸制絨： 利用堿溶液對 單晶硅 不同晶面有不同的腐蝕速率（各向異性腐蝕），對（ 100）面腐蝕快，對（ 111）面腐蝕慢。這些電子空穴對必須有 足夠的壽命 保證不會在分離前被附和。當(dāng)太陽光或其他光照射半導(dǎo)體的 PN 結(jié)時，就會在 PN 結(jié)的兩邊出現(xiàn)電壓 , 叫做光生電壓。 7 8 p型半導(dǎo)體（受主摻雜） 接受自由電子 空鍵 接受電子 空穴 p型半導(dǎo)體的空穴為 多子 電子為 少子 9 多余電子 n型半導(dǎo)體（施主摻雜） 提供自由電子 n型半導(dǎo)體的電子為 多子 空穴為 少子 10 在光照等激發(fā)下，價帶電子會越遷到導(dǎo)帶，產(chǎn)生非平衡載流子，當(dāng)激發(fā)源撤離以后，這些非平衡載流子會復(fù)合而消失。非平衡載流子的 平均生存時間 為非平衡載流子的壽命。這種現(xiàn)象就是著名的光生伏打效應(yīng)。第三，必須有個靜電場（ PN結(jié)），起 分離電子空穴 的作用。如果將 (100)作為電池的表面，經(jīng)過腐蝕、在表面會出現(xiàn)以 (111)面形成的錐體密布表面（金字塔狀），稱為 表面織構(gòu)化 。 降低反射率 (2)入射光在光錐表面多次折射，改變了入射光在硅中的前進方向，不僅延長了光程，增加了對紅外光子的吸收，而且有較多的光子在靠近 PN結(jié)附近產(chǎn)生光生載流子，從而增加了光生載流子的收集幾率。 前清洗工藝步驟： 制絨 →堿洗 →酸洗 →吹干 Etch bath Dryer1 Rinse1 Alkaline Rinse Rinse2 Acidic Rinse Rinse3 Dryer2 RENA Intex前清洗設(shè)備的主體分為以下八個槽，此外還有滾輪、排風(fēng) 系統(tǒng) 、自動及手動補液 系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng) 和溫度控制系統(tǒng)等。 所用溶液為 KOH， 作用： 1. 對形成的 多孔硅表面 進行清洗 ； 。擴散的宏觀表現(xiàn)是物質(zhì)的定向輸送。 鎳 、 鐵等重金屬元素等是此種方式 。 34 ???? 4P5SiO5SiO2P 252 5253 OP3PC lC6005PO Cl ????? ?? ?? ?????? ??? 25225 10ClO2P2O過 量5O4PCl 擴散設(shè)備及簡化示意圖 35 36 擴散裝置示意圖 37 影響方阻的因素 反應(yīng)溫度 反應(yīng)時間 氣體流量 淀積溫度 摻雜濃度 結(jié)深 方塊電阻 38 后清洗工藝簡介 擴散過程中，雖然采用背靠背擴散，硅片的邊緣將不可避免地擴散上磷。 后清洗的目的就是進行 邊緣 刻蝕和去除 PSG。 3) 磷硅玻璃的存在使得 PECVD后產(chǎn)生色差。 所用溶液為 HF+HNO3+H2SO4， 作用： 邊緣刻蝕，除去邊緣 PN結(jié)，使電流朝同一方向流動。 HF Bath： HF酸槽 。 開路電壓 Voc：要獲得較高的開路電壓 Voc，則需要較高的摻雜濃度，這有利于形成良好的歐姆接觸，減少接觸時的串聯(lián)電阻。 ? The number of photons,與入射光的光強有關(guān) 。 68 ?輸出功率等于該點所對應(yīng)的矩形面積 ?其中只有一點是輸出最大功率，稱為最佳工作點 ?該點的電壓和電流分別稱為最佳工作電壓 Vop和最佳工作電流 Iop ?填充因子定義為： FF =Vop Rs偏高，主要受到擴散后的方塊電阻大小及絲網(wǎng)印刷過程中的印刷質(zhì)量及燒結(jié)條件的影響。 避免污染 : 嚴(yán)禁任何臟源接觸片子， 包括金屬污染，漿料，手指 印，汗?jié)n，灰塵，化學(xué)品等。 4. Rs及 Rsh 5. 能量轉(zhuǎn)化效率 η 70 ?表示入射的太陽光能量有多少能轉(zhuǎn)換為有效的電能 η =（太陽能電池的輸出功率 /入射的太陽光功率） 100% = （ Vop Iop/Pin S） 100% = Voc?Isc?FF/Pin ? S ?其中 Pin是入射光的能量密度， S為太陽能電池的面積 ?當(dāng) S是整個太陽能
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1