xps材料分析方法(文件)
【正文】 隨激發(fā)源能量增加而增加，因此利用雙陽極激發(fā)源很容易將其分開。 光電子線及伴峰 6）等離子體激元損失峰。此外，還存在表面等離子體集體振蕩。這樣的躍遷稱為攜上過程，會在主峰的高結(jié)合能端出現(xiàn)一個能量損失峰。這種現(xiàn)象稱為光子振動發(fā)射。 2，元素的定量分析。 4，化合物的結(jié)構(gòu)。 。 5，分子生物學(xué)中的應(yīng)用。 3，固體表面分析。 光電子線及伴峰 XPS的應(yīng)用 其主要應(yīng)用： 1，元素的定性分析。由于電子從原子內(nèi)殼層的突然離開，將會引起中心電位的突然改變。當(dāng)光電離發(fā)射出一個電子后，由此引起的弛豫過程會使價電子產(chǎn)生重排。這種集體振蕩的特征頻率與材料的特性有關(guān)。指 EF以下10~20eV區(qū)間內(nèi)強(qiáng)度較低的譜圖。 光電子線及伴峰 3）多重分裂（ Mulitiple splitting） 當(dāng)原子或自由離子的價殼層擁有未成對的自旋電子時，光致電離所形成的內(nèi)殼層空位便將與價軌道未成對自旋電子發(fā)生耦合，使體系出現(xiàn)不止一個終態(tài) 因為只有自旋反平行的電子才存在交換作用，顯然 a終態(tài)的能量低于 b終態(tài)，導(dǎo)致 XPS譜圖上 Mn的 3s譜線出現(xiàn)分裂 光電子線及伴峰 ? 4）俄歇譜線。高結(jié)合能的光電子線比低結(jié)合能的光電子線寬 1～4eV；絕緣體比良導(dǎo)體寬 。光電子線是譜圖中強(qiáng)度最大、峰寬最小、對稱性最好的譜峰，稱為 XPS的主線。 （通常正電荷其結(jié)合能高于自由原子的結(jié)合能，化學(xué)位移為正，反之，得到負(fù)電荷，化學(xué)位移為負(fù)） 結(jié)合能位移可表示成 ΔEBA =ΔEVA+ΔEMA ΔE VA表示分子 M中 A原子本身價電子的變化對化學(xué)位移的貢獻(xiàn)；
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