第6章存儲器及其接口(文件)
【正文】 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 35 EPROM芯片 27256 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND D3 D4 D5 D6 D7 CE A10 OE A11 A9 A8 A13 A14 Vcc 27256引腳圖 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CE OE D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 27256邏輯圖 36 電可擦除的可編程序的 ROM（ EEPROM） ? 用加電方法 ， 進行在線 （ 無需拔下 ， 直接在電路中 ） 擦寫 （ 擦除和編程一次完成 ） ? 有字節(jié)擦寫 、 塊擦寫和整片擦寫等方法 ? 并行 EEPROM：多位數(shù)據(jù)線 ? 串行 EEPROM： 1位數(shù)據(jù)線 37 EEPROM芯片 2817A ? 存儲容量為 2K 8 ? 28個 引腳： ? 11 根地址線 A10～ A0 ? 8 根數(shù)據(jù)線 I/O7～ I/O0 ? 片選 CE ? 讀寫 OE、 WE ? 狀態(tài)輸出 RDY/BUSY 功能表 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 GND Vcc WE NC A8 A9 NC OE A10 CE I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 39 EEPROM芯片 2864A ? 存儲容量為 8K 8 ? 28個 引腳： ? 13 根地址線 A12～ A0 ? 8 根數(shù)據(jù)線 I/O7～ I/O0 ? 片選 CE ? 讀寫 OE、 WE 功能表 Vcc WE NC A8 A9 A11 OE A10 CE I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 41 存儲器的連接 ? 半導(dǎo)體存儲器與 CPU的連接是本章的 重點 ? SRAM、 EPROM與 CPU的連接 ? 其 譯碼方法 同樣適合 I/O端口 42 位擴充 ? 若芯片的數(shù)據(jù)線正好 8 根： ? 一次可從芯片中訪問到 8 位數(shù)據(jù) ? 全部數(shù)據(jù)線與系統(tǒng)的 8 位數(shù)據(jù)總線相連 ? 若芯片的數(shù)據(jù)線不足 8 根： ? 一次不能從一個芯片中訪問到 8 位數(shù)據(jù) ? 利用多個芯片擴充數(shù)據(jù)位 （ 數(shù)據(jù)寬度 ） ? 這種擴充方式稱 “ 位擴充 ” 43 位擴充 4K?4 A11～ A0 D3～ D0 片選 D3～ D0 D7～ D4 A11～ A0 4K ?4 A11～ A0 D7～ D4 CE CE 兩片同時選中 數(shù)據(jù)分別提供 讀寫 44 2. 字擴充 ? 字擴充即存儲容量的擴充 ， 采用地址串聯(lián) 。 數(shù)據(jù)線 :存儲器芯片的數(shù)據(jù)入 、 出線分開的芯片需在加三態(tài)門 ,才和 DB連接 . 地址線 :對動態(tài) RAM， 在 CPU和存儲器之間加多路開關(guān) ， 將地址的行列 （ 高位與低位 ） 分別送存儲器 。 69 第 6章教學要求 1. 掌握半導(dǎo)體存儲器的分類 ， 了解應(yīng)用特點； 2. 熟悉半導(dǎo)體存儲器芯片的結(jié)構(gòu)； 3. 了解 SRAM 611 DRAM 211 EPROM 271 EEPROM 2817A的引腳功能； 4. 理解 SRAM讀寫原理 、 DRAM讀寫和刷新原理 、 EPROM和 EEPROM工作方式 5. 掌握存儲芯片與 CPU連接的方法 ， 特別是片選端的處理 ； 6. 了解存儲芯片與 CPU連接的總線驅(qū)動和時序配合問題 。 ? 。 CPU外部總線的負載能力可帶一個標準 TTL負載 ， 連接的存儲器芯片較多時 ，應(yīng)增加總線驅(qū)動能力 ， 常用緩沖器或總線驅(qū)動器 。 ? 刷新定時間隔一般為幾微秒～幾毫秒 ? DRAM的特點是集成度高 （ 存儲容量大 ， 可達 1Gbit/片以上 ） ， 功耗低 ， 但速度慢 （ 10ns左右 ） ， 需要刷新 。 ? 在 PC機中 ， SRAM被廣泛地用作高速緩沖存儲器Cache。 23 DRAM 2164的刷新 采用 “ 僅行地址有
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