【正文】 ..............................................................................................43 第一章 緒論 隨著科技的發(fā)展，在工業(yè)、農(nóng)業(yè)生產(chǎn)等重要領(lǐng)域?qū)囟鹊目刂埔笤絹碓礁?，因而對溫度?bào)警系統(tǒng)的要求也越來越高。單片機(jī)系統(tǒng)的開發(fā)應(yīng)用給現(xiàn)代工、農(nóng)業(yè)測控領(lǐng)域帶來了一次新的技術(shù)革命，自動(dòng)化、智能化均離不開單片機(jī)的應(yīng)用。伴隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電子技術(shù)有了更高的飛躍，我們現(xiàn)在完全可以運(yùn)用單片機(jī)和電子溫度傳感器對某處進(jìn)行溫度檢測，而且我們可以很容易地做到多點(diǎn)的溫度檢測，如果對此原理圖稍加改進(jìn)，我們還可以進(jìn)行不同地點(diǎn)的實(shí)時(shí)溫度檢測和控制。本設(shè)計(jì)以AT89S51單片機(jī)為核心的溫度控制系統(tǒng)的工作原理和設(shè)計(jì)方法。使用Atmel 公司高密度非易失性存儲器技術(shù)制造，與工業(yè)80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。AT89S52 是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K 在系統(tǒng)可編程Flash存儲器。 AT89S52具有以下標(biāo)準(zhǔn)功能： 8k字節(jié)Flash，256字節(jié)RAM， 32 位I/O 口線，看門狗定時(shí)器，2 個(gè)數(shù)據(jù)指針，三個(gè)16 位 定時(shí)器/計(jì)數(shù)器，一個(gè)6向量2級中斷結(jié)構(gòu)，全雙工串行口， 片內(nèi)晶振及時(shí)鐘電路。P0口是一個(gè)8位漏極開路的雙向I/O口。在這種模式下， P0不具有內(nèi)部上拉電阻。此外，（）和定時(shí)器/計(jì)數(shù)器2 的觸發(fā)輸入（）。作為輸入使用時(shí)，被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因，將輸出電流（IIL）。 在flash編程和校驗(yàn)時(shí)，P2口也接收高8位地址字節(jié)和一些控制信號。端口引腳第二功能： RXD(串行輸入口) TXD(串行輸出口) INTO(外中斷0) INT1(外中斷1) TO(定時(shí)/計(jì)數(shù)器0) T1(定時(shí)/計(jì)數(shù)器1) WR(外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通) RD(外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通)此外，P3口還接收一些用于FLASH閃存編程和程序校驗(yàn)的控制信號。XTAL2振蕩器反相放大器的輸出端。對于 89S52，如果EA 接VCC，程序讀寫先從內(nèi)部存儲器（地址為0000H～1FFFH）開始，接著從外部尋址，尋址地址為：2000H~FFFFH。當(dāng)一條指令訪問高于7FH 的地址時(shí)，尋址方式?jīng)Q定CPU 訪問高128 字節(jié)RAM 還是特殊功能寄存器空間。MOV R0 , data堆棧操作也是間接尋址方式。WDT 在默認(rèn)情況下無法工作；為了激活WDT，用戶必須往WDTRST寄存器（地址：0A6H）中依次寫入01EH 和0E1H。當(dāng)WDT溢出，它將驅(qū)動(dòng)RSR引腳一個(gè)高電平輸出。晶振正常工作、WDT激活后，每一個(gè)機(jī)器周期WDT 都會(huì)增加。為了很好地使用WDT，應(yīng)該在一定時(shí)間內(nèi)周期性寫入那部分代碼，以避免WDT復(fù)位。通過硬件復(fù)位退出掉電模式后，用戶就應(yīng)該給WDT喂狗，就如同通常AT89S52 復(fù)位一樣。為了防止WDT在中斷保持低電平的時(shí)候復(fù)位器件，WDT 直到中斷拉低后才開始工作。默認(rèn)狀態(tài)下，在待機(jī)模式下，WDIDLE=0，WDT繼續(xù)計(jì)數(shù)。與傳統(tǒng)的熱敏電阻等測溫元件相比，它能直接讀出被測溫度，并且可根據(jù)實(shí)際要求通過簡單的編程實(shí)現(xiàn)9～12位的數(shù)字值讀數(shù)方式。 　DS18B20詳細(xì)引腳功能描述序號名稱引腳功能描述1GND接地信號2DQ數(shù)據(jù)輸入/輸出引腳。當(dāng)工作于寄生電源時(shí)，此引腳必須接地。DS18B20溫度傳感器的內(nèi)部存儲器還包括一個(gè)高速暫存ＲＡＭ和一個(gè)非易失性的可電擦除的EERAM。 DS18B20的測溫原理DS18B20的測溫原理是這樣的,器件中低溫度系數(shù)晶振的振蕩頻率受溫度的影響很小，用于產(chǎn)生固定頻率的脈沖信號送給減法計(jì)數(shù)器１；高溫度系數(shù)晶振隨溫度變化其振蕩頻率明顯改變，所產(chǎn)生的信號作為減法計(jì)數(shù)器２的脈沖輸入。另一種是寄生電源供電方式， 所示單片機(jī)端口接單線總線，為保證在有效的DS18B20時(shí)鐘周期內(nèi)提供足夠的電流，可用一個(gè)MOSFET管來完成對總線的上拉。由于DS18B20是在一根I/O線上讀寫數(shù)據(jù)，因此，對讀寫的數(shù)據(jù)位有著嚴(yán)格的時(shí)序要求。而每一次命令和數(shù)據(jù)的傳輸都是從主機(jī)主動(dòng)啟動(dòng)寫時(shí)序開始，如果要求單總線器件回送數(shù)據(jù)，在進(jìn)行寫命令后，主機(jī)需啟動(dòng)讀時(shí)序完成數(shù)據(jù)接收。7） 若CPU讀到數(shù)據(jù)線上的低電平0后，還要進(jìn)行延時(shí)，其延時(shí)的時(shí)間從發(fā)出高電平算起最少480us8） 將數(shù)據(jù)線再次拉到高電平1后結(jié)束（2）DS18B20的寫數(shù)據(jù) １） 數(shù)據(jù)線先置低電平0２） 延時(shí)確定的時(shí)間為15us３） 按從低位到高位的順序發(fā)送數(shù)據(jù)（一次只發(fā)送一位）４） 延時(shí)時(shí)間為45us５） 將數(shù)據(jù)線拉到高電平1６） 重復(fù)15步驟，直到發(fā)送完整個(gè)字節(jié)７） 最后將數(shù)據(jù)線拉到１（3）DS18B20的讀數(shù)據(jù)１） 將數(shù)據(jù)線拉高到１２） 延時(shí)２us３） 將數(shù)據(jù)線拉低到0４） 延時(shí)6us５） 將數(shù)據(jù)線拉高到1６） 延時(shí)4us７） 讀數(shù)據(jù)線的狀態(tài)得到一個(gè)狀態(tài)位，并進(jìn)行數(shù)據(jù)處理８） 重復(fù)17步驟，直到讀取完一個(gè)字節(jié) LCD1602的介紹LCD1602液晶顯示器也叫1602字符型液晶顯示器。 LCD1602是指顯示的內(nèi)容為16X2,即可以顯示兩行，每行16個(gè)字符液晶模塊。　　 第15～16腳：空腳或背燈電源。每一個(gè)字符都有一個(gè)固定的代碼，比如大寫的英文字母“A”的代碼是01000001B（41H），顯示時(shí)模塊把地址41H中的點(diǎn)陣字符圖形顯示出來，我們就能看到字母“A”。顯示模式設(shè)置： (初始化)0011 1000 [0x38] 設(shè)置162顯示，57點(diǎn)陣，8位數(shù)據(jù)接口；顯示開關(guān)及光標(biāo)設(shè)置： (初始化)0000 1DCB D顯示(1有效)、C光標(biāo)顯示(1有效)、B光標(biāo)閃爍(1有效)0000 01NS N=1(讀或?qū)懸粋€(gè)字符后地址指針加1amp。串口經(jīng)過MAX232的電平轉(zhuǎn)換后R1 OUT和T1 IN接到單片機(jī)的RXD與TXD來實(shí)現(xiàn)與用C語言編輯的計(jì)算機(jī)軟件的界面間的通信。（2）DS18BLCD1602：，DS18B20將采集到的數(shù)據(jù)送給單片機(jī)，經(jīng)過單片機(jī)處理后，顯示在8位數(shù)據(jù)線與單片機(jī)P0口的液晶LCD上。定義了有關(guān)的函數(shù)；write_（）向1602寫入命令碼函數(shù)，write_date（）向1602寫入數(shù)據(jù)函數(shù)；display（）1602顯示函數(shù)；lcd_init（）1602初始化；lcd_display（）1602顯示初始化。//顯示清屏 delayms(5)。//當(dāng)讀或?qū)懸粋€(gè)字符后地址指針加一，且光標(biāo)加一 delayms(5)。//第一行顯示temperature write_(0xc0)。 delayus(4)。 delayus(60)。 ds