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正文內(nèi)容

車用永磁發(fā)電機(jī)電子穩(wěn)壓器畢業(yè)論文(文件)

 

【正文】 電阻RT 和電容CT 用于確定振蕩器產(chǎn)生的鋸齒波的頻率,這一頻率的選擇對(duì)于PWM控制式整流穩(wěn)壓電路具有重要意義,其選取原則是:應(yīng)使該電路在導(dǎo)通時(shí)間最短的工況下,每個(gè)PWM周期中晶閘管導(dǎo)通期間包含足夠多的脈波數(shù)。 方案改進(jìn) 由于仿真環(huán)境為調(diào)壓器,輸出電壓的頻率為50HZ,跟汽車永磁發(fā)電機(jī)的真實(shí)環(huán)境不吻合而且此電路結(jié)構(gòu)系統(tǒng)所消耗的功耗較大,鑒于這兩個(gè)缺點(diǎn),改用降壓式斬波開(kāi)關(guān)電源控制方式。主電路原理圖如43所示: (43)主電路主要采用降壓斬波變換電路。主要決定了一個(gè)電路的系統(tǒng),就如一座高樓大廈,需要有個(gè)框架一樣,一個(gè)不合理的設(shè)計(jì)系統(tǒng),會(huì)使整個(gè)電路無(wú)法完成功能。芯片的脈寬頻率由C9和R8,R17來(lái)決定。在控制電路中,鑒于開(kāi)關(guān)電源的頻率限制,選擇了開(kāi)關(guān)頻率為40KHZ左右。光耦主要的優(yōu)點(diǎn),起到隔離作用,使用光隔離,抗干擾能力強(qiáng),反應(yīng)速度快。因此我們就先作1A到4A的例子進(jìn)行演示。解決方法:調(diào)節(jié)反饋靈敏度,時(shí)間常數(shù)合理,使得反饋跟上響應(yīng)。改善電阻的取值,輸出電壓就明顯變好。但是方案二仍有很大的發(fā)熱現(xiàn)象。則功耗為:再加上整流二極管的開(kāi)關(guān)損耗,哪么6只整流二極管的總體損耗可以超過(guò)100W,這么大的功率在通過(guò)材料表面進(jìn)行散熱,材料表面溫度會(huì)很高。則功耗為:同樣續(xù)流二極管也存在開(kāi)通關(guān)端的損耗,因此溫度也會(huì)很高。在散熱片和材料的安裝中,在兩者之間涂硅油,使得能更好的接觸,有利于散熱。另外改善反饋網(wǎng)絡(luò),調(diào)節(jié)誤差放大器上的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),讓芯片輸出占空比控制接近理想狀態(tài)。但是之前由晶閘管進(jìn)行控制的方案,如果在一個(gè)變頻變壓的測(cè)試環(huán)境下,也可實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)要求。致謝經(jīng)過(guò)半年的忙碌和工作,本次畢業(yè)設(shè)計(jì)已經(jīng)接近尾聲,作為一個(gè)本科生的畢業(yè)設(shè)計(jì),由于經(jīng)驗(yàn)的匱乏,難免有許多考慮不周全的地方,如果沒(méi)有導(dǎo)師的督促指導(dǎo),以及一起工作的同學(xué)們的支持,想要完成這個(gè)設(shè)計(jì)是難以想象的。除了敬佩劉老師的專業(yè)水平外,他的治學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)和科學(xué)研究的精神也是我永遠(yuǎn)學(xué)習(xí)的榜樣,并將積極影響我今后的學(xué)習(xí)和工作。此次畢業(yè)設(shè)計(jì)才會(huì)順利完成。 最后感謝溫州大學(xué)城市學(xué)院四年來(lái)對(duì)我的大力培養(yǎng)。[4] [M].。期刊:[1] 李永斌 王建民 黃明 [J].。附錄附錄1 原理圖附錄2 材料清單序號(hào)編號(hào)規(guī)格/型號(hào)數(shù)量序號(hào)編號(hào)規(guī)格/型號(hào)數(shù)量1C1,C10,C13102320R15,R16,R17,R18R19,R205K(可調(diào)電阻)62C2,C8201221R242013C3,C9,C14103322U1SG352514C4,C164700uF/35v223U3,U4P52125C65uf/25V124T1(變壓器)1:316C7,C12,C5470Uf/35v3備注:其中變壓器,電感都為自制7C17,C1810428D1D730A/600V79D8,D121N4148210D9MUR1560111D101N4007112L1(自制)113Q125A/500V114Q3,Q4S8050,S8550215R1,R8100216R2,3,R5,R6,R7,R9,R1110K617R4,R10150K218R12,R131K219R14,R22,R232K3附錄 3 光耦P521光耦P521的傳輸比資料附錄 4 MUR1560MUR1560資料附錄五:MOSFET管IXFH24N50。[3][J]. 年5 月。[6] ?實(shí)驗(yàn)?測(cè)試[M].。[2] [M].。如果沒(méi)有她的配合,此次設(shè)計(jì)的完成將變得更加困難。劉老師平日里工作繁多,但在我做畢業(yè)設(shè)計(jì)的每個(gè)階段,從查閱資料,電路設(shè)計(jì)確定和修改,中期檢查,后期詳細(xì)設(shè)計(jì),論文等整個(gè)過(guò)程中都給予了我悉心的指導(dǎo)。在新的方案中,完成了在斬波控制方式下,實(shí)現(xiàn)了輸出電壓的穩(wěn)壓和功耗的測(cè)試。解決方法:針對(duì)這個(gè)紋波,對(duì)于輸出電壓進(jìn)行了二次濾波,根據(jù)公式 (51)根據(jù)計(jì)算,f=5MHz,電容選用4700Uf,電感根據(jù)計(jì)算電感選用,需要的電感值很小,在磁芯上繞了5圈的,經(jīng)過(guò)二次濾波,輸出電壓的紋波幅值在700mV,隨著負(fù)載的變化。但是開(kāi)關(guān)電源從原理設(shè)計(jì)上,就會(huì)存在噪音的存在,只有在某個(gè)程度上對(duì)于噪音進(jìn)行控制,使得噪音降到最小。解決方法:在電路中發(fā)熱元件添加散熱片,通過(guò)風(fēng)冷進(jìn)行散熱。則功耗為:另外還有加上幾十KHZ的開(kāi)關(guān)損耗,溫度同樣比較高。經(jīng)過(guò)測(cè)試永磁發(fā)電機(jī)的輸出電壓在幾十伏到幾百伏左右,而且頻率也在16Hz到160Hz之間變化。對(duì)于本設(shè)計(jì),不同的電路結(jié)構(gòu)會(huì)散熱有很大的影響。解決方法:分析現(xiàn)象原因,是反饋網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)不精確造成。類似與51的變化 圖51 負(fù)載為50歐姆此圖是假設(shè)為負(fù)載為50歐姆的時(shí)候,滿足設(shè)計(jì)要求而且根據(jù)輸出電壓的升高電壓符合設(shè)計(jì)要求,但是當(dāng)輸出負(fù)載為3歐姆的時(shí)候如52圖 圖52 負(fù)載為3歐姆,當(dāng)負(fù)載為3歐姆的時(shí)候,輸出電流較大。對(duì)于功率管的選擇主要是使得電壓保留2到3倍的余量,保證材料工作在一個(gè)安全的工作環(huán)境。驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大圖如45: 圖45 推挽輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)主要使用是配對(duì)三極管S8050和S8550構(gòu)成推挽進(jìn)行功率放大,為了防止信號(hào)延遲,在R6和R7之間并聯(lián)加速電容C2和C8,而D8和D12也是為了加快三極管的關(guān)斷時(shí)間,當(dāng)B極為低的時(shí)候?qū)極拉低,從而在增加驅(qū)動(dòng)功率的同時(shí)對(duì)波形整形。占空比輸出腳11腳和14腳分別輸出分別為50%的占空比,但是設(shè)計(jì)中需要100%的占空比,如果使用11腳和14腳就無(wú)法輸出需要的占空比,因此根據(jù)芯片內(nèi)部的結(jié)構(gòu),腳11腳和14腳接地,是13腳OC門經(jīng)過(guò)上拉輸出,這樣就使得占空比輸出接近于100%(由于死區(qū)的存在,無(wú)法達(dá)到100%)。 控制電路SG3525控制電路如44圖: 圖44 SG3525PWM控制部分SG3525是一款內(nèi)部自帶基準(zhǔn)電源的脈寬控制芯片,基準(zhǔn)電源由16腳輸出,提供反饋電壓的比較,通過(guò)調(diào)節(jié)R18,調(diào)節(jié)基準(zhǔn)值到同相輸入端2腳于反饋值進(jìn)行比較。Mosfet管并聯(lián)一個(gè)RDC,一般R選值為100歐姆,二極管選擇高速開(kāi)關(guān)二極管,主要防止浪涌電壓的振蕩。 改進(jìn)后的SG3525電源電路(方案二) 主電路 改進(jìn)后的SG3525開(kāi)關(guān)電源主電路主要分為主電路和控制電路還有反饋電路以及保護(hù)電路四部分。 方案一的優(yōu)缺點(diǎn)分析方案一的優(yōu)點(diǎn)在于,主電路簡(jiǎn)單,整
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