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電池供電微電阻測量儀設(shè)計與實現(xiàn)畢業(yè)論文(文件)

2025-07-15 15:51 上一頁面

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【正文】 (13)由于微電阻上的電壓降很小,用儀表測量其上的電壓誤差較大(靈敏電流計的不準(zhǔn)確度可達5%),并需對電壓測量儀表進行標(biāo)定,為了減小此種誤差,亦可采用比較法測量。為保證電流的穩(wěn)定性,必要時亦可混合使用。(2) 當(dāng)待測電位差為零時,電位差計上仍有示值U0,這就是熱電勢,可用測量時的示值UX`(=UX+U0)減去零電勢U0作為測量結(jié)果,亦可將待測電位差反向接入,測出其示值UX(=UXU0)則測量結(jié)果為 UX=(UX`+UX``)/2 (12)(3)工作電流漂移,將導(dǎo)致校準(zhǔn)和測量時單位電阻上的電位差不同,而使測量結(jié)果產(chǎn)生誤差。(4)通過試樣電流的穩(wěn)定性及其測量。更小的電阻可用靈敏電流計測量電壓。所以,在測量微電阻時,使用伏安法,只要電表選擇合適,仍可達到一定的測量精度。在一般實驗室里,測量低電阻使用的雙臂電橋最低只能測到10歐姆,測量結(jié)果只有一位有效數(shù)字甚至無法測量,從而使微電阻的測量成為難題。但金屬試樣受幾何形狀的限制電阻很小,只有幾微歐或更小。在科學(xué)研究中,也經(jīng)常把電阻率測量當(dāng)成一種對材料的結(jié)構(gòu)和物質(zhì)形態(tài)變化進行監(jiān)測的手段。而在過度供電狀態(tài)下,電解液分解導(dǎo)致電池特性和耐久性劣化。鋰離子電池對充電供電控制和保護電路的要求較高。鑒于此,以高性能單片機C8051F020為主控制芯片,選用高精度24位的A/D轉(zhuǎn)換芯片AD7714設(shè)計并開發(fā)了微小電阻測量儀。 2減小工作電流 22 23/0接口的功耗分析 25所以,傳統(tǒng)的測量方法難以快速實現(xiàn)微小電阻的測量,鑒于此,我們研制了用于高精度的微小電阻測量儀,方便在現(xiàn)場進行快捷、準(zhǔn)確的測量。隨著鋰離子電池的廣泛應(yīng)用,其使用方法和技術(shù)得到人們越來越多的重視。在過度充電狀態(tài)下,電池溫度上升后能量將過剩,由于電解液分解而產(chǎn)生氣體,致使內(nèi)壓上升而產(chǎn)生自然或破裂的情況。在工程實踐中,常需要測定某些高導(dǎo)電材料的電阻率。在科學(xué)研究中,也經(jīng)常把電阻率測量當(dāng)成一種對材料的結(jié)構(gòu)和物態(tài)變化進行監(jiān)測的手段。但由于實際情況的限制,有時試樣做得很小,其電阻只有微歐數(shù)量級或更小。因為此時待測電阻值很小,做成四端電阻,電壓表所引起的分流可以忽略,測量誤差完全由電表準(zhǔn)確度決定。當(dāng)電阻為106Ω量級時,如電流達1OA量級,則電位差可達數(shù)+μV,結(jié)果有三位有效數(shù)字。(3)電位差計工作電流發(fā)生漂移。電位差計先接在月R2上,調(diào)節(jié)電路中電流使電位差計讀數(shù)為測 測量微電阻原理圖量值UX,則被測電壓真值為 UX=U2=U1R2/R1 (11)由于U1比U2大得多,可以用電位差計準(zhǔn)確測量,電阻R1和R2用標(biāo)準(zhǔn)電阻,比值可以準(zhǔn)確知道,所以UX也可以準(zhǔn)確測得。(4)試樣中需通入穩(wěn)定的大電流,可使用大容量蓄電池或直流穩(wěn)壓電源。R01和R02是兩個標(biāo)準(zhǔn)電阻,R01R02。兩電阻的電壓端鈕間分別短接和接一靈敏檢流計。在電力系統(tǒng)和電器制造業(yè)中,常要對微電阻進行測試,如電機、變壓器的線圈電阻、電閘或油開關(guān)的接線端子的接觸電阻、電纜插座的接觸電阻等。  電力設(shè)備的接地引下線與地網(wǎng)的可靠連接是電力設(shè)備安全運行及操作人員人身安全的根本保證。 ?。?)采用DDS、數(shù)字選頻、梳裝濾波等新技術(shù)確保了測試精度?! 。?)自恢復(fù)過流/過熱保護功能,使儀器使用更安全??朔似渌惍a(chǎn)品由LED顯示值在陽光下不便讀數(shù)的缺點,同時具備了自動消弧功能。(4)高度智能化設(shè)計,功能設(shè)置巧妙先進,可自動判斷測試線虛接、斷線等故障。(8)可儲存120次測量數(shù)據(jù),掉電不丟失。數(shù)字式接地電阻表的優(yōu)點:(1)結(jié)構(gòu)上采用高強度鋁合金作為機殼,電路上為防止工頻、射頻干擾采用鎖相環(huán)同步跟蹤檢波方式并配以開關(guān)電容濾波器使儀表有較好的抗干擾能力。如若測試回路不通表頭顯示“1”代表溢出,符合常規(guī)測量習(xí)慣。所謂補償法就是比較標(biāo)準(zhǔn)電阻與被測電阻的電位差的測量方法。Vx/Vn (33)同時本測試儀采用了四端測試技術(shù)(即一對電流端,一對電位端)。采用24位A/D轉(zhuǎn)換器AD7714實現(xiàn)高精A/D 轉(zhuǎn)換,同時其內(nèi)置的PGA可實現(xiàn)被測電壓信號的數(shù)控放大。Rx作為反饋信號,通過Rf2反饋到放大器的同相端使輸出電流I保持恒定,Rn為標(biāo)準(zhǔn)電阻,Cf、C起濾波作用。,通過使用PA0~PA3置1或清零可選擇以上6種增益。AD7714的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。AD7714有6個模擬輸入通道(AIN1一AIN6),可靈活配置成3個差分模擬輸人(或5個偽差分模擬輸人)和1個差分基準(zhǔn)輸人;采用3V或5V的工作電壓;利用三線串行方式與微控制器接或DSP系統(tǒng)連接,完成增益設(shè)置、信號極性、刷新率的選擇及自校準(zhǔn)與系統(tǒng)校準(zhǔn)功能;低功耗下工作,典型電流值為226μA(掉電模式僅為5μA);具有低噪聲特點(小于150nv/ms),比積分型模數(shù)轉(zhuǎn)換器要好得多。下面介紹其中主要的幾種寄存器的用法。R/W位表示下一次操作為讀或?qū)懖僮?,RS2一RS0為寄存器選擇位,CH2一CH0為通道位。 AD7714與C8051的連接利用AD7714設(shè)計了微小電阻測試儀的電壓采集模塊。在路圖2中,AD7714采集被測電阻上的電壓,SCLK、DOUT、DIN、DRDY、—。使用AD7714之前,一定要對所有寄存器進行設(shè)置,才能保證器件正常工作。 0x80);//輸入數(shù)據(jù) byte=(byte1); AD_SCLK=1; } AD_SCLK=0; AD_DIN =1; AD_CS=1;//結(jié)束}void ADC_init(void){ ADC_write(0xff);//選擇寫滿刻度校準(zhǔn)寄存器 ADC_write(0xff);//寫24位滿刻度校準(zhǔn)寄存器,分三次每次8位 ADC_write(0xff); ADC_write(0xff); ADC_write(0x20);//選擇下一個寫濾波高寄存器 ADC_write(Oxe2);//單極性,長度24位,不提升電流,A器件必須寫入0 ADC_write(0x30);//選擇下一個寫濾波低寄存器 ADC_write(0x80);//寫濾波低寄存器設(shè)定第一個凹口的頻率 ADC_write(0xl0);//選擇下一個寫模式寄存器 ADC_write(0x20+G*4);//選擇正常模式,不用燒斷電流,自校準(zhǔn),增益為2 的G次冪 DEIAY(100);//延時}unsigned long ADC_read(unsigned long temp){ unsigned char i; while(AD_DRDY==1)//等待數(shù)據(jù)準(zhǔn)備好 { DELAY(20); } ADC_write(0x58);//選擇下一個讀數(shù)寄存器 AD_SCLK=0; AD_CS=0;//開始讀數(shù)據(jù) Temp=0: for(i=0;i24;i++) { Temp=temp1; AD_CLK=1; temp=(temp|AD_DOUT);//讀取數(shù)據(jù) AD_SCLK=0; AD_SCLK=0; AD_CS=1;//結(jié)束 return(temp);//返回24位數(shù)據(jù)}}unsigned char GAIN(unsigned char G){ unsigned char i;. for(i:0;i8;i++) { if(0xffffff/AD_VALUE=2) { AD_VALUE*=2; G=i; continue; } break; } return(G);}(1)在REFIN、AIN和其他邏輯輸人引腳加入信號前,應(yīng)接通AD7714電源,避免發(fā)生閉鎖。(4)軟件也應(yīng)采取一些抗干擾措施,如在每次采樣的進程中,要檢測AD7714管腳DPRY的狀態(tài),只要發(fā)現(xiàn)異常就取消該采樣結(jié)果重新采樣;為避免采樣進入死循環(huán),對AD7714的工作要實施定時監(jiān)控,超時則強制將其復(fù)位并初始化。5. 抗干擾設(shè)計測控系統(tǒng)的應(yīng)用現(xiàn)場,被控對象和被測信號往往分布在各個不同的地方,計算機與它們之間也有相當(dāng)?shù)木嚯x,信號線和控制線可能是長線。在本系統(tǒng)中通過光耦進行隔離。導(dǎo)線屏蔽層,機殼都與大地相連。模擬電源采用電阻和電容進行低通濾波,濾掉高頻噪聲干擾。配置去耦電容:。 C8051各部分組件的功耗由于C8051系列單片機為數(shù)模混合SOC系統(tǒng),能夠?qū)崿F(xiàn)整個設(shè)計的大部分功能,因此整個設(shè)計系統(tǒng)的功耗將主要集中在C8051系列單片機的能量消耗上。 整個單片機系統(tǒng)的功耗應(yīng)該由4部分組成:振蕩器功耗、數(shù)字設(shè)備功耗、模擬外設(shè)功耗及I/O端口功耗。模擬外圍設(shè)備功耗主要包含ADC、電壓基準(zhǔn)VREF、溫度傳感器、偏壓發(fā)生器及內(nèi)部振蕩器。對外部振蕩器來說,外部CMOS時鐘、電容和RC網(wǎng)絡(luò)都能夠提供較低的振蕩頻率。 當(dāng)工作于外部振蕩器CMOS時鐘模式時,外部振蕩器驅(qū)動被關(guān)閉.電路功耗電流微小可以近似忽略。(3) 外部電容C模式這是精度最差的一種時基方式,但同時也是最靈活的一種方式。(4) 外部振蕩RC模式RC模式振蕩電路的平均功耗由通過電阻器的平均電流所決定。在驅(qū)動電流較大時用戶町以使用內(nèi)部振蕩器以降低功耗。 數(shù)字設(shè)備的能量淌耗主要是由CPU電流的大小來衡量的。正常模式時的電流值減去空閑模式時的電流值即為CPU正常運行的工作電流值。當(dāng)寫1到STOP位時,CPU進入停機模式。(2) OPU工作電壓、頻率及溫度對功耗的影響這種關(guān)系存在于任意一種工作頻率下,尤其在高頻運行時表現(xiàn)得更為明顯。在這種情況下,設(shè)計者將選擇滿足要求的最低頻率.并采用消耗最低功率的振蕩器配置。 數(shù)字外圍設(shè)備(計數(shù)器、UART、PCA、SPl)的損耗占系統(tǒng)總功耗的比例很小。在上述例子中,如果利用交叉開關(guān)將UARTO的TX端分配到P0.4口,則配置端口為推挽模式將令系統(tǒng)的工作電流再增加82μA。由于增加SAR轉(zhuǎn)換時鐘頻率或降低采樣率會縮短每次A/D轉(zhuǎn)換的時間,使系統(tǒng)在轉(zhuǎn)換間隙有更多的時間處于空閑狀態(tài),因此會大大降低系統(tǒng)功耗。 要降低系統(tǒng)的平均功耗,需要從兩個方面考慮:首先是適當(dāng)調(diào)整在所有時間一直影響系統(tǒng)工作的參數(shù)。第二點就是構(gòu)建合理的固件結(jié)構(gòu)降低以功耗。、減小工作電流對于節(jié)能系統(tǒng).應(yīng)該盡量在保證系統(tǒng)安全可靠的前提下采用最低的工作電壓。無須擔(dān)心電池耗盡時會對系統(tǒng)工作有不良的影響,因為在C8051F系列單片機中,片上電源監(jiān)控器能夠確保在電池耗盡后系統(tǒng)自動復(fù)位。高效工作期的工作電流偏大,而休眠期的電流非常小。 工作功耗與休眠功耗休眠模式可以通過將電源管理模式設(shè)定為空閑或停機狀態(tài)來實現(xiàn)。這里有兩個可選的振蕩器:。 外部電容模式振蕩器消耗的功耗比晶振低,但沒有晶振精確。模式的設(shè)計包括調(diào)整工作電流的峰值以及時鐘頻率,以減小高效工作期問的總電荷量。由于電荷量是一段時間內(nèi)電流的總量,因此可以通過縮短采樣時間或減小采樣時的峰值電流來節(jié)約能量。系統(tǒng)沒有轉(zhuǎn)換到內(nèi)部振蕩器,而是仍采用原來的32kHz晶振作為系統(tǒng)的時鐘基準(zhǔn)。轉(zhuǎn)換完成后,讀ADC數(shù)據(jù),而后停止ADC及內(nèi)部振蕩器并令CPU回到空閑模式。7. 鋰電池充電供電保護電路設(shè)計鋰離子電池允許充電的電壓范圍是:~。但切斷供電進行保護時,必須配合適當(dāng)延遲時間,以避免干擾而造成誤判斷。值得注意的是:保護電路不能因為負(fù)載需要短時間的大電流而誤動作,所以必須提供不同的過供電電流保護延遲時間,以提高電路工作的穩(wěn)定性。鋰離子電池要求的充電方式為恒流/恒壓,在充電初期,為恒流充電。,比較器LM139翻轉(zhuǎn),使Q2由導(dǎo)通為關(guān)斷,從而切斷了充電回路,使充電器無法再對電池進行充電,起到過充電保護作用。電池供電時,,,使Q1由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷,從而切斷了供電回路,使電池?zé)o法再對負(fù)載進行供電,起到過供電保護作用。電池在對負(fù)載正常供電過程中,供電電流在經(jīng)過串聯(lián)的2個MOSFET時,由于MOSFET的導(dǎo)通阻抗,會在其兩端產(chǎn)生一個電壓,該電壓值U=IRDS2,,RDS為單個MOSFET導(dǎo)通阻抗。短路保護的延時時間極短,通常小于7μs。如果電池發(fā)生短路,立刻進入中斷處理程序,關(guān)斷Q1,實現(xiàn)對電池的及時保護。四年的求學(xué)生涯在師長、親友的大力支持下,走得辛苦卻也收獲滿囊,在論文即將付梓之際,思緒萬千,心情久久不能平靜。授人以魚不如授人以漁,置身其間,耳濡目染,潛移默化,使我不僅接受了全新的思想觀念,樹立了宏偉的學(xué)術(shù)目標(biāo),領(lǐng)會了基本的思考方式,從論文題目的選定到論文寫作的指導(dǎo),經(jīng)由您悉心的點撥,再經(jīng)思考后的領(lǐng)悟,常常讓我有“山重水復(fù)疑無路,柳暗花明又一村”。參考文獻及引用資料目錄[1] 何立民. 單片機應(yīng)用技術(shù)選篇 北京航空航天出版社[2] 何立民. 51系列單片機應(yīng)用系統(tǒng) 北京航空航天出版社[3] 詹林. 電池供電單片機的低功耗設(shè)計 高教出版社[4] 鮑遠(yuǎn)律. 劉振安 微型定位、交通監(jiān)控與數(shù)字地圖 國防工業(yè)出版社[5] 田亞娟. 基于單片機的數(shù)據(jù)采集控制 工業(yè)科
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