變壓器繞制工藝(文件)
【正文】 材料，中間是導(dǎo)線芯；最外層是透明的玻璃纖維；中間層是噴漆涂層；最內(nèi)層是被國(guó)外市場(chǎng)稱之為“黃金薄膜”的一厚度僅僅幾微米的聚酰胺薄膜，但是卻可以承受3KV的脈沖高壓。所以我們?cè)谟?jì)算變壓器的時(shí)候，如果要使用三重絕緣線。因?yàn)槲移綍r(shí)看到的大多是（從里層到外層）繞線一：Np/2NsNbNp/2繞線二：Np/2NbNsNp/2這兩種繞法沒有太大的差別，如果非得在這兩種繞法中選擇的話，我會(huì)選擇第一種繞法因?yàn)榈谝环N繞法的Ns更容易繞得平整我的習(xí)慣把Nb繞在最外層Np/2NsNp/2Nb這樣有利于初次級(jí)的耦合，減少漏感；還有利于繞線的平整度；最后一個(gè)好處是，供電繞組電壓變化受次級(jí)的負(fù)載影響較小，更穩(wěn)定如果是你說的那樣，應(yīng)該是考慮到繞組的層數(shù)與漏感的問題打個(gè)比方：計(jì)算出初級(jí)的匝數(shù)為90T，選定繞組的線徑之后，發(fā)現(xiàn)每層只能繞30T,這個(gè)時(shí)候難道還有人去選擇將初級(jí)繞組分成45T+45T嗎？最優(yōu)的選擇應(yīng)該是60T+30T，這樣的線包才能繞得比較平整，漏感也相對(duì)較小。當(dāng)MOSFET關(guān)斷的時(shí)候，變壓器的漏感與MOSFET的結(jié)電容以及變壓器的層間電容會(huì)產(chǎn)生振動(dòng)，幅度達(dá)到幾十甚至超過一百V，這對(duì)MOSFET與EMI來說都是不允許的，所以，我們?cè)黾覴CD吸收來抑制這個(gè)振蕩，達(dá)到保護(hù)MOSFET與改善EMI的目的。 這個(gè)是220V輸入時(shí)滿載，MOSFET的Vds的波形假如我選用的MOSFET 耐壓值為700V，但上機(jī)帶載測(cè)試時(shí)MOSFET VDS極電壓（也就是示波器中ΔY的電壓）會(huì)超過700。可以減少初級(jí)耦合至變壓器磁芯高頻干擾。先來看第一種，初級(jí)夾次級(jí)的繞法（也叫初級(jí)平均繞法） 如上圖，順序?yàn)镹p/2,Ns,Np/2,Nb，此種繞法有量大優(yōu)點(diǎn)由于增加了初次級(jí)的有效耦合面積，可以極大的減少變壓器的漏感，而減少漏感帶來的好處是顯而易見的：漏感引起的電壓尖峰會(huì)降低，這就使MOSFET的電壓應(yīng)力降低，同時(shí)，由MOSFET與散熱片引起的共模干擾電流也可以降低，從而改善EMI；由于在初級(jí)中間加入了一個(gè)次級(jí)繞組，所以減少了變壓器初級(jí)的層間分布電容，而層間電容的減少，
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