弱光性能參數(shù)優(yōu)化(文件)
【正文】 輸入具體的光強、溫度、Isc、Voc、Impp和Vmpp值，參考圖12。) Pmpp（W）Vmpp（V）Impp(A)Voc(V)Isc(A)200 300 400 500 600 700 800 900 1000 緊接著基于南京地區(qū)的氣象數(shù)據(jù)，使用該組件對優(yōu)化前后的兩種情況進(jìn)行發(fā)電量模擬，如圖14和圖15所示，%，%，這個值的大小也和當(dāng)?shù)氐娜贻椪涨闆r有關(guān)，在不同的地區(qū)會有差異，參考表9。PVsyst軟件給設(shè)計人員帶來了很多幫助，但筆者覺的模型還有待完善之處，如串聯(lián)電阻對弱光是一個關(guān)鍵因素，相關(guān)研究文獻(xiàn)已提到串聯(lián)電阻值和輻照的變化關(guān)系，但在PVsyst6模型中對兩者之間的關(guān)系還尚未提及，筆者相信以后隨著版本的更新會得到解決。文中介紹了四個弱光參數(shù)Rs（module）、Rsh（Gref）、Rsh(0)和Rsh（exp）的優(yōu)化方法，并根據(jù)現(xiàn)有的樣本實測數(shù)據(jù)對某組件的Rs進(jìn)行了優(yōu)化，有助于提高該組件在弱光性能預(yù)測時的準(zhǔn)確性。表7第三方測試機構(gòu)提供的低輻照測試結(jié)果Module typeT=25℃，輻照條件200w/m2Pmpp(W)Vmpp(V)Impp(A)Voc(V)Isc(A)XXX24060p圖13 Rs（module）優(yōu)化結(jié)果優(yōu)化后不同輻照下的電性能模擬結(jié)果和弱光損失比例上文對XXX24060P多晶組件的弱光參數(shù)優(yōu)化，Rsh缺少相關(guān)數(shù)據(jù)仍保留為默認(rèn)值，根據(jù)第三方測試數(shù)據(jù)對Rs（module）進(jìn)行了優(yōu)化，表8為優(yōu)化后該組件在不同輻照度下和25℃條件的模擬結(jié)果，200W/m2時的數(shù)據(jù)基本上和第三方的測試結(jié)果較為吻合。圖10 電池并聯(lián)電阻值和串聯(lián)電阻值隨輻照變化關(guān)系[3] （單位：1 suns代表200mW/m2）Rs（module）的調(diào)整參考圖11定義窗口，默認(rèn)提供了兩種輸入模式，第一種只需要輸入組件在不同光強和溫度下的相對STC條件轉(zhuǎn)換效率（可選 800, 600, 400 and 200 W/m178。圖7 250個樣品組件Rsh測試值分布（STC）圖8為XXX24060P組件在PVsyst模型中默認(rèn)的值以及Rsh和輻照度的變化關(guān)系，Rsh(0) 和Rsh (exp)是根據(jù)不同輻照下的Rsh值進(jìn)行擬合得到。圖6為Rsh(exp)取不同的值時，對公式（2）進(jìn)行曲線繪制，其中Rsh(Gref)=250Ω，Rsh(0)=1000Ω，當(dāng)輻照降低時并聯(lián)電阻值會增加。 (G / Gref)) （2）其中Rsh(Gref)為STC下測試的并聯(lián)電阻值。（1）式中IL為光生電流（A），I0為二極管反向飽和電流（A），n為二極管理想因子。其實，對于大多數(shù)設(shè)計人員，若僅僅知道組件的Datasheet上的基本電性能參數(shù)很難去評估組件的弱光性能，使用默認(rèn)參數(shù)模擬下來的弱光損失比較高，如果組件供應(yīng)商能給用戶提供比較準(zhǔn)確的弱光數(shù)據(jù)，設(shè)計人員可
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